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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA608NF-NPA-AT | - |  | 6129 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | 2SA608 | 500 MW | TO-92 (TO-226) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.500 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 160 @ 1 mapa, 6V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | MPSA13-BP | - | | 5356 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSA13 | 625 MW | Un 92 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 353-MPSA13-BP | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | FDS6574A | - | | 9731 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS6574 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 16a (TA) | 1.8V, 4.5V | 6mohm @ 16a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 105 NC @ 4.5 V | ± 8V | 7657 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | Bd139g | 0.6600 | | 21 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | BD139 | 12.5 W | A-126 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | DCP69A-13 | 0.1395 | | 3928 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | DCP69A | 1 W | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 85 @ 500mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 62012t | - | | 9375 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sgp04n60xksa1 | - | | 3021 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sgp04n | Estándar | 50 W | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 4a, 67ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 9.4 A | 19 A | 2.4V @ 15V, 4A | 131 µJ | 24 NC | 22ns/237ns | |||||||||||||||||||||||
 | IRFZ48VSTRLPBF | - | | 8932 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 72a (TC) | 10V | 12mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 1985 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BC848W, 135 | 0.0240 | | 4548 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Mtd5n25e | 0.6100 | | 4392 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 76 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J203-18 | - | | 5551 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8536.69.4040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FSS273-TL-E | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | N-canal | 45 V | 8a (TA) | 22mohm @ 8a, 10v | - | 40 NC @ 10 V | 2225 pf @ 20 V | - | 2.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| 4AK18 | 6.8200 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPSA92G | - | | 2248 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | MPSA92 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 300 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 25 @ 30mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | 13.4200 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ S7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R022 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 23a (TC) | 12V | 22mohm @ 23a, 12V | 4.5V @ 1.44MA | 150 NC @ 12 V | ± 20V | 5639 pf @ 300 V | - | 390W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PBSS305PD, 115 | 0.5600 | | 35 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PBSS305 | 1.1 W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 100 V | 2 A | 100na | PNP | 395mv @ 300mA, 3A | 145 @ 1a, 2v | 110MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n3507u4 | - | | 8928 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 1 µA | 1 µA | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 35 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc115eu3t106 | 0.2000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC115 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | BCP55,115 | 0.4800 | | 972 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BCP55 | 1.35 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1585STPR | - | | 6684 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 2SA1585 | 400 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 2a | 180 @ 100mA, 2V | 240MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 2N4854U | 29.4595 | | 4233 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N4854 | 300MW | U | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2N4854ums | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | DMP2160UFDBQ-7 | 0.5500 | | 109 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | DMP2160 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | U-DFN2020-6 (TUPO B) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.8a | 70mohm @ 2.8a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 6.5nc @ 4.5V | 536pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | DMN2114SN-7 | - | | 5132 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN2114 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-59-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.4V @ 1MA | ± 12V | 180 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | 2SC1959-G-AP | - | | 3899 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2SC1959 | 500 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 100 mapa, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2Sar554pFrat100 | 0.4200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar554 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 25 mm, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 340MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BCP5116H6327XTSA1 | 0.2968 | | 7762 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BCP51 | 2 W | PG-SOT223-4-24 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4886 | 5.4000 | | 7 | 0.00000000 | Sánken | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | 80 W | Un 3pf | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2SC4886 DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 150 V | 14 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 2V @ 500 Ma, 5a | 50 @ 5a, 4V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5140U, 135 | 0.4400 | | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PBSS5140 | 350 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 V | 1 A | 100na | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 300 @ 100mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BSR31,115 | 0.6100 | | 57 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BSR31 | 1.35 W | Sot-89 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 maja, 5v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n3735l | 9.5494 | | 4193 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/395 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3735 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1.5 A | 10 µA | NPN | 900mv @ 100 mm, 1a | 20 @ 1a, 1.5V | - |
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