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Productos de semiconductoros discretos (3821)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Yjl10p02al | 0.0920 |  | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-YJL10P02Altr | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MBRL20150CT | 0.4430 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220b | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MBRL20150CTTR | EAR99 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 850 MV @ 10 A | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
 | BZT52B3V3 | 0.0140 | | 600 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 410 MW | SOD-123 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52B3V3TR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||
 | ES3ABF | 0.0640 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-ES3ABFTR | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52B47Q | 0.0250 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52B47QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MD240K16D2 | 42.9488 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D2 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD240K16D2 | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1600 V | 240a | 1.25 V @ 300 A | 9 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
 | MF400K04F3LG | 22.8810 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | F3 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF400K04F3LG | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 200a | 1.2 v @ 200 a | 140 ns | 1 ma @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||
 | BZT52B4V3S | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52B4V3STR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||
 | US1A | 0.0240 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-us1atr | EAR99 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
 | Ss310bq | 0.1120 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS310BQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MT200DT12L2 | 60.6100 | | 400 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Puente, 3 Formas - SCR/Diodos | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MT200DT12L2 | EAR99 | 4 | 1.2 kV | 3 V | 1900A @ 50Hz | 150 Ma | 200 A | 1 scr, 6 diodos | |||||||||||||||||||
 | BZX84B30Q | 0.0290 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84B30QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40Q | 0.0240 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BC807-40QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Gs2ka | 0.0310 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS2KATR | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C3V3S | 0.0140 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 200 MW | Sod-323 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C3V3STR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||
 | MD250S18M5 | 42.8283 | | 600 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | M5 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD250S18M5 | EAR99 | 6 | 1.6 V @ 300 A | 500 µA @ 1800 V | 250 A | Fase triple | 1.8 kV | |||||||||||||||||||
 | KBPC2510 | 1.0460 | | 5 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-KBPC2510 | EAR99 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C30T | 0.0190 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84C30TTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SS24AQ | 0.0640 | | 750 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS24AQTR | EAR99 | 7,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C51S | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C51STR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FR307 | 0.1030 | | 125 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-FR307TB | EAR99 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
 | MBR2060CD | 0.3010 | | 250 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Un 252 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MBR2060CDTR | EAR99 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 750 MV @ 10 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
| BAT42W | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BAT42WTR | EAR99 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||
 | YJS15G10C | 0.4240 | | 400 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-YJS15G10CTR | EAR99 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MD100C12D1N | 19.8930 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1N | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD100C12D1N | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1200 V | 100A | 1.35 V @ 300 A | 6 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
 | Bc847pnq | 0.0450 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BC847PNQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C68S | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C68STR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| HS2KBF | 0.0600 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AA, placas SMB Platos | Estándar | SMBF | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-HS2KBFTR | EAR99 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 v @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||
| BZX84B6V8Q | 0.0290 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84B6V8QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C7V5W | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84C7V5WTR | EAR99 | 3.000 | 1.2 V @ 100 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios |
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