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Productos de semiconductoros discretos (3821)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G15B | 0.0230 |  | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-G15BTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SS58Q | 0.1820 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS58QTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT720 | 0.0290 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-bat720TR | EAR99 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 500 Ma | 100 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 90pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | MD60K16D1 | 16.4580 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD60K16D1 | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1600 V | 60A | 1.45 V @ 200 A | 5 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
 | BAS40X | 0.0150 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | BAS40 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BAS40XTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5256BS | 0.0180 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MMSZ5256BSTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40WT-06Q | 0.0330 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | BAS40 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BAS40WT-06QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F15m | 0.0230 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-F15MTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB400K02F4N | 21.6800 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Schottky | F4n | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MB400K02F4N | EAR99 | 12 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 200a | 900 MV @ 200 A | 1 ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
 | U1BF | 0.0570 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-U1BFTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV21W | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | BAV21 | Estándar | SOD-123 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BAV21WTR | EAR99 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | SS15U45PQ | 0.2610 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS15U45PQTR | EAR99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX53 | 0.0690 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | Sot-89 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BCX53TR | EAR99 | 1,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
| MD120A12D1 | 18.4650 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD120A12D1 | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1200 V | 120a | 1.35 V @ 300 A | 6 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
 | HER508G | 0.1460 | | 125 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-HER508GTB | EAR99 | 1.250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS10U60 | 0.2410 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS10U60TR | EAR99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C4V7Q | 0.0220 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C4V7QTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GR2AA | 0.0360 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-gr2aatr | EAR99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GS2KBF | 0.0340 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS2KBFTR | EAR99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX584C7V5 | 0.0170 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 150 MW | Sod-523 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX584C7V5TR | EAR99 | 8,000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Mg25p12e1 | 64.5125 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | - | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MG25P12E1 | EAR99 | 8 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 25 A | 2.25V @ 15V, 25A | 1 MA | Si | 1.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| GS1MQ | 0.0290 | | 750 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS1MQTR | EAR99 | 7,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Yjd60p04a | 0.3070 | | 250 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-YJD60P04ATR | EAR99 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2FA | 0.0380 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-ES2FATR | EAR99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES5C | 0.1050 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-ES5CTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBR10100CT | 0.3040 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR1010 | Schottky | Un 220b | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MBR10100CT | EAR99 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 850 MV @ 5 A | 200 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||
| BZT52B24S | 0.0190 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52B24STR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | MD250S16M3 | 42.9217 | | 600 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | M3 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD250S16M3 | EAR99 | 6 | 1.6 V @ 300 A | 500 µA @ 1600 V | 250 A | Fase triple | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||||||||
 | MG150HF12MRC2 | 65.8250 | | 400 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | - | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | C2 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MG150HF12MRC2 | EAR99 | 4 | Piquero | - | 1200 V | 150 A | - | No | |||||||||||||||||||||||||
 | MF200U12F2 | 48.1700 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | F2 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF200U12F2 | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.3 V @ 200 A | 110 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 200a | - |
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