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Productos de semiconductoros discretos (3821)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DZ23C36 | 0.0240 |  | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-DZ23C36TR | EAR99 | 3.000 | 1 par Cátodo Común | 36 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HS1DB | 0.0570 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-HS1DBTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMST2222AQ | 0.0290 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MMST2222AQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DZ23C2V4Q | 0.0460 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-DZ23C2V4QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Murb840 | 0.3830 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | Un 263 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-murb840tr | EAR99 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | S515F | 0.0570 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-S515FTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002KC | 0.0160 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 2N7002 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-2N7002KCTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT54WTQ | 0.0320 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | BAT54 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-bat54wtqtr | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52B2V7 | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 410 MW | SOD-123 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52B2V7TR | EAR99 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 83 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | KBPC5006 | 1.1100 | | 5 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-KBPC5006 | EAR99 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dta143eua | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTA143 | 200 MW | Sot-323 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-dta143euatr | EAR99 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | MT75DT08L1 | 37.2967 | | 600 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Puente, 3 Formas - SCR/Diodos | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MT75DT08L1 | EAR99 | 6 | 800 V | 3 V | 920A @ 50Hz | 150 Ma | 75 A | 1 scr, 6 diodos | |||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ5241BQ | 0.0270 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MMSZ5241BQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MF200DU04FJ | 17.2612 | | 2 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4 | Estándar | Sot-227 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF200DU04FJ | EAR99 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 100A | 1.3 V @ 100 A | 95 ns | 500 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
| H1JFS | 0.0210 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-H1JFSTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ES1GQ | 0.0910 | | 750 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-ES1GQTR | EAR99 | 7,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GS3AQ | 0.1140 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS3AQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Gr3jbf | 0.0610 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-gr3jbftr | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MF500U12F2 | 108.9563 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo F2 | Estándar | F2 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF500U12F2 | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2 V @ 500 A | 200 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 500A | - | |||||||||||||||||||||||||
| AZ23C4V7Q | 0.0460 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-AZ23C4V7QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gr2d | 0.0420 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-gr2dtr | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MF200A12F2N | 44.4025 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | F2n | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF200A12F2N | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1200 V | 200a | 2.3 V @ 200 A | 110 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
| MF100C12F2N | 33.3888 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | F2n | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MF100C12F2N | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1200 V | 100A | 1.58 V @ 100 A | 135 ns | 1 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||
| SSL210 | 0.0630 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SSL210TR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | YJJ3400A | 0.0720 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-YJJ3400ATR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ss54bq | 0.1640 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS54BQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBR30200PT | 0.7910 | | 180 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Schottky | To-247 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MBR30200PTTR | EAR99 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 30A | 900 MV @ 15 A | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||
| GS8AQ | 0.1960 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS8AQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBR1045FCTS | 0.2860 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBR104 | Schottky | ITO-220AB | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MBR1045FCTSTR | EAR99 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 10A | 650 MV @ 5 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||
 | MUR1640FCT | 0.5450 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Estándar | ITO-220AB | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MOR1640FCTTR | EAR99 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 16A | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
2000+
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