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Productos de semiconductoros discretos (3821)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UG2ABF | 0.1060 |  | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-UG2ABFTR | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBRL10100CT | 0.3380 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220b | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MBRL10100CT | EAR99 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 100 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS123 | 0.0140 | | 900 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BSS123TR | EAR99 | 3.000 | N-canal | 100 V | 170 Ma | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10v | 2.8V @ 250 µA | 2 NC @ 10 V | ± 20V | 60 pf @ 25 V | - | 350MW | |||||||||||||||||||||||||
 | D2ub80a | 0.1350 | | 150 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-D2ub80a | EAR99 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD200A18D2 | 33.9975 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D2 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD200A18D2 | EAR99 | 8 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1800 V | 200a | 1.3 V @ 300 A | 9 Ma @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AZ23B22 | 0.0270 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-AZ23B22TR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D4UB100A | 0.1580 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-D4UB100A | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54SWTQ | 0.0250 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | Sot-323 | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BAT54SWTQTR | EAR99 | 3.000 | Conexión de la Serie de 1 par | 30 V | 200 MMA | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ5237BS | 0.0180 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MMSZ5237BSTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GS3MBQ | 0.0570 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-GS3MBQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SS58BQ | 0.1640 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS58BQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52C3V0Q | 0.0270 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C3V0QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ES1HS | 0.0300 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-ES1HSTR | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H1A | 0.0230 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-H1ATR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS28Q | 0.0620 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS28QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD60K08D1 | 16.6960 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD60K08D1 | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 800 V | 60A | 1.45 V @ 200 A | 5 Ma @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C6V2W | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84C6V2WTR | EAR99 | 3.000 | 1.2 V @ 100 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Gr2k | 0.0370 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-gr2ktr | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D8JA80 | 0.3400 | | 75 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-D8JA80 | EAR99 | 750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ5235BQ | 0.0220 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MMSZ5235BQTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84B24Q | 0.0290 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84B24QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UG3CB | 0.1440 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-UG3CBTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS70-06Q | 0.0220 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BAS70-06QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GR1J | 0.0200 | | 500 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-gr1jtr | EAR99 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS28 | 0.0440 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (HSMA) | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS28TR | EAR99 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 850 MV @ 2 A | 500 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DB106 | 0.1000 | | 250 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-1 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-DB106 | EAR99 | 2.500 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 800 V | 1 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Baw56q | 0.0220 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-Baw56Qtr | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD100C16D1N | 19.6660 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | D1N | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-MD100C16D1N | EAR99 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 100A | 1.35 V @ 300 A | 6 Ma @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc114ye | 0.0210 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-523 | Dtc114 | 150 MW | SOT-523 | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-dtc114yetr | EAR99 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Precializado + Diodo | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C8V2Q | 0.0220 | | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZT52C8V2QTR | EAR99 | 3.000 |
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