SIC
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Productos de Semiconducores discretos (191)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
GHXS030A120S-D3 SemiQ GHXS030A120S-D3 67.8600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS030 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1200 V 30A 1.7 V @ 30 A 200 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D010A170B SemiQ GP2D010A170B -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1046-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.75 v @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 812pf @ 1V, 1 MHz
GSXD050A015S1-D3 SemiQ GSXD050A015S1-D3 35.5100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 50A 880 MV @ 50 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD080A004S1-D3 SemiQ GSXD080A004S1-D3 39.3400
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 80A 700 MV @ 80 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD080A006S1-D3 SemiQ GSXD080A006S1-D3 -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 80A 750 MV @ 80 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD080A020S1-D3 SemiQ GSXD080A020S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 6448 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 80A 920 MV @ 80 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E 106.8000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS030 Silicon Carbide Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 1.7 V @ 30 A 200 µA @ 1200 V 30 A Fase única 1.2 kV
GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 223 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 20a, 10ohm, 15V 425 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 40 A 60 A 2.5V @ 15V, 20a 2.8MJ (Encendido), 480 µJ (apaguado) 210 NC 30ns/150ns
GSID100A120S5C1 SemiQ GSID100A120S5C1 -
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 Semiq - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GSID100 650 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1229 EAR99 8541.29.0095 2 Inversor trifásico - 1200 V 170 A 2.1V @ 15V, 100A 1 MA Si 13.7 NF @ 25 V
GSID150A120S5C1 SemiQ GSID150A120S5C1 -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Semiq - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GSID150 1087 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1230 EAR99 8541.29.0095 2 Inversor trifásico - 1200 V 285 A 2.1V @ 15V, 150a 1 MA Si 21.2 NF @ 25 V
GSID300A120S5C1 SemiQ GSID300A120S5C1 -
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 Semiq - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GSID300 1630 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1232 EAR99 8541.29.0095 2 Inversor trifásico - 1200 V 430 A 2.25V @ 15V, 300A 1 MA Si 30 nf @ 25 V
GSID100A120T2C1A SemiQ GSID100A120T2C1A -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo GSID100 800 W Rectificador de Puente Trifásico Módulo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3 Inversor trifásico - 1200 V 200 A 2.1V @ 15V, 100A 1 MA Si 13.7 NF @ 25 V
GSID600A120S4B1 SemiQ GSID600A120S4B1 -
RFQ
 ECAD 1496 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo Gsid600 3060 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2 Medio puente - 1200 V 1130 A 2.1V @ 15V, 600A 1 MA Si 51 NF @ 25 V
GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S-D3 54.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GHXS050B120S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1200 V 101a (DC) 1.7 V @ 50 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S-D3 33.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GHXS050B065S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 650 V 95A (DC) 1.6 v @ 50 a 0 ns 125 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS100B120S-D3 SemiQ GHXS100B120S-D3 82.3100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS100 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GHXS100B120S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1200 V 198a (DC) 1.7 V @ 100 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U 11.8700
RFQ
 ECAD 414 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 GP2T080A Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) 1560-GP2T080A120U EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 35A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 4V @ 10mA 58 NC @ 20 V +25V, -10V 1377 pf @ 1000 V - 188W (TC)
GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1-E1 23.3200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GCMX080 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GCMX080B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 30A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 4V @ 10mA 58 NC @ 20 V +25V, -10V 1336 pf @ 1000 V - 142W (TC)
GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D 2.2227
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Semiq - Tape & Reel (TR) Activo GP3D010 - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D010A065DCT EAR99 8541.10.0080 500 - 650 V - 10A -
GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A 7.9700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D015 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D015A120A EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.6 v @ 15 a 0 ns 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A 962pf @ 1v, 1 MHz
GP3D010A120C SemiQ GP3D010A120C -
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 Semiq * Tubo Activo GP3D010 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GP2D008A065A SemiQ GP2D008A065A -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 Semiq - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.45 V @ 30 A 0 ns 9 µA @ 650 V - 8A -
GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C -
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 Semiq AMP+™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252-2L (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 317pf @ 1v, 1 MHz
GP3D050A065B SemiQ GP3D050A065B 11.0520
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D050A065B EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 50 a 125 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 135a 1946pf @ 1v, 1 MHz
GP3D006A065C SemiQ GP3D006A065C -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 Semiq * Tubo Activo GP3D006 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1044-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 635pf @ 1v, 1 MHz
GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B 5.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D005 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1243 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.65 v @ 5 a 0 ns 20 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 21A 347pf @ 1V, 1 MHz
GSXF120A060S1-D3 SemiQ GSXF120A060S1-D3 38.6179
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF120 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 120a 1.5 V @ 120 A 105 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF100A020S1-D3 SemiQ GSXF100A020S1-D3 35.2259
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF100 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 120a 1 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF060A040S1-D3 SemiQ GSXF060A040S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 6933 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 400 V 60A 1.3 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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