SIC
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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220 -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 Semiconductor genesico - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 GB02SLT12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 138pf @ 1V, 1 MHz
FST8340M GeneSiC Semiconductor FST8340M -
RFQ
 ECAD 6819 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M descascar 1 (ilimitado) FST8340MGN EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 80a (DC) 650 MV @ 80 A 1.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor MUR30005CT -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR30005CTGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTRL -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 300A 600 MV @ 300 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24030 GeneSiC Semiconductor MBRH24030 76.4925
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 720 MV @ 240 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
GBU6A GeneSiC Semiconductor Gbu6a 0.5385
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu6agn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
MBRTA60020 GeneSiC Semiconductor MBRTA60020 -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 300A 700 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR85D05 GeneSiC Semiconductor FR85D05 23.1210
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr85d05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
MBRF60080 GeneSiC Semiconductor MBRF60080 -
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 300A 840 MV @ 250 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBU6M GeneSiC Semiconductor Kbu6m 1.7600
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU6 Estándar Kbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 400 1 v @ 6 a 10 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
MBRF30040 GeneSiC Semiconductor MBRF30040 -
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3004 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT10010 GeneSiC Semiconductor MURT10010 -
RFQ
 ECAD 9411 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murt10010gn EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 50A 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor MBRT60030L -
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 300A 580 MV @ 300 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC25005W GeneSiC Semiconductor GBPC25005W 2.5335
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC25005 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) GBPC25005WGS EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 25 A Fase única 50 V
GBPC25010T GeneSiC Semiconductor GBPC25010T 2.5305
RFQ
 ECAD 6504 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC25010 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 A Fase única 1 kV
MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor MSRTA20080D 142.3575
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo MSRTA200 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante 1242-MSRTA20080D EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 800 V 200a 1.1 v @ 200 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ20D GeneSiC Semiconductor GBJ20D 0.9120
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ20 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ20D EAR99 8541.10.0080 200 1.05 v @ 10 a 5 µA @ 200 V 20 A Fase única 200 V
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor M3P100A-80 -
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 5-smd Estándar 5-SMD - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 100 A 10 Ma @ 800 V 100 A Fase triple 800 V
MURF40020R GeneSiC Semiconductor MURF40020R -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 200a 1 v @ 200 a 150 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3881 GeneSiC Semiconductor 1N3881 7.1300
RFQ
 ECAD 573 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N3881 Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1070 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 v @ 6 a 200 ns 15 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
FST8380SM GeneSiC Semiconductor FST8380SM -
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3SM Schottky D61-3SM descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fst8380smgn EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 80a (DC) 840 MV @ 80 A 1.5 Ma @ 20 V
MURT10040 GeneSiC Semiconductor MURT10040 93.0525
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT10040GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 50A 1.35 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBU8K GeneSiC Semiconductor KBU8K 0.7425
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU8 Estándar Kbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Kbu8kgn EAR99 8541.10.0080 400 1 v @ 8 a 10 µA @ 800 V 8 A Fase única 800 V
MSRT10080AD GeneSiC Semiconductor MSRT10080AD 54.0272
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT100 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 800 V 100A 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor MBR500150CTR -
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 150 V 250a 880 MV @ 250 A 3 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
SD51 GeneSiC Semiconductor SD51 19.1580
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental SD51 Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Sd51gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 660 MV @ 60 A 5 Ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
FR40J02 GeneSiC Semiconductor FR40J02 12.8985
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR40J02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 40 A 250 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H 46.0800
RFQ
 ECAD 2267 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GD60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD60MPS17H EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1700 V 1.8 V @ 60 A 40 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 122a 4577pf @ 1V, 1MHz
MBR40020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTRL -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 200a 580 MV @ 200 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBPC5001T GeneSiC Semiconductor KBPC5001T 2.5875
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, KBPC-T KBPC5001 Estándar KBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 100 V 50 A Fase única 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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