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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MBR7530R GeneSiC Semiconductor MBR7530R 21.9195
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR7530 Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR7530RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 750 MV @ 75 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
MSRTA30080A GeneSiC Semiconductor MSRTA30080A 56.2380
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRTA300 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 800 V 300A (DC) 1.2 V @ 300 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT50045RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A12 51.8535
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MUR2X120 Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 120a 2.35 V @ 120 A 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
S40B GeneSiC Semiconductor S40B 10.3200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
MBR20040CT GeneSiC Semiconductor MBR20040CT 90.1380
RFQ
 ECAD 2790 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR20040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR20040CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 200a (DC) 650 MV @ 100 A 5 Ma @ 20 V
GBU10K GeneSiC Semiconductor GBU10K 1.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU10 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu10kgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR20AR02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
MBR6020R GeneSiC Semiconductor MBR6020R 21.3105
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR6020 Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR6020RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 650 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
MURTA60060R GeneSiC Semiconductor MURTA60060R 188.1435
RFQ
 ECAD 1786 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Murta60060 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murta60060rgn EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 600 V 300A 1.7 V @ 300 A 280 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT500100R GeneSiC Semiconductor MBRT500100R -
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT500100RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 250a 880 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA40040 GeneSiC Semiconductor Murta40040 159.9075
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 200a 1.3 V @ 200 A 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
150K40A GeneSiC Semiconductor 150k40a 35.5695
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 150k40 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 150k40agn EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.33 V @ 150 A 35 Ma @ 400 V -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247 -
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 Semiconductor genesico - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-247-2 GB50SLT12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 50 A 0 ns 1 ma @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 2940pf @ 1V, 1MHz
MURTA600120 GeneSiC Semiconductor MURTA600120 207.4171
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 300A 2.6 V @ 300 A 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H 5.9100
RFQ
 ECAD 484 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GD30MPS06 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-GD30MPS06H EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 49A 735pf @ 1V, 1 MHz
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 1N3294 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3294Agn EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.5 V @ 100 A 13 Ma @ 800 V -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
MURT10005 GeneSiC Semiconductor Murt10005 -
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT10005GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 50A 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT600150 GeneSiC Semiconductor MBRT600150 140.2020
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 300A 880 MV @ 300 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3890 GeneSiC Semiconductor 1N3890 6.7605
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N3890 Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3890GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.4 v @ 12 a 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBRT40040R GeneSiC Semiconductor MBRT40040R 118.4160
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT40040 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT40040RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X060A04 GeneSiC Semiconductor MUR2X060A04 47.1200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Mur2x060 Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1310 EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 400 V 60A 1.3 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBR60045CTL GeneSiC Semiconductor MBR60045CTL -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 300A 600 MV @ 300 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT40005R GeneSiC Semiconductor MURT40005R -
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT40005RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 50 V 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor MBR400100CT 102.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR400100 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1022 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 200a 840 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30040R GeneSiC Semiconductor MBRT30040R 111.0800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT30040 Schottky, Polaridad Inversa Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1074 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento GKR130 Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
MBR2X160A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A100 59.6700
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X160 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 160A 840 MV @ 160 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF50060R GeneSiC Semiconductor MBRF50060R -
RFQ
 ECAD 4099 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 250a 780 MV @ 250 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7580 GeneSiC Semiconductor MBR7580 20.8845
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR7580GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 840 MV @ 75 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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