SIC
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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos
MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTRL -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 150a 580 MV @ 150 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12045R GeneSiC Semiconductor MBRH12045R 60.0375
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Half-Pak MBRH12045 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 120 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 120a -
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N6098R Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N6098RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 700 MV @ 50 A 5 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 50A -
MBRT30060R GeneSiC Semiconductor MBRT30060R 107.3070
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT30060 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT30060RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 150a 800 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTRL -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 200a 580 MV @ 200 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR16JR05GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
SD4145R GeneSiC Semiconductor Sd4145r 14.3280
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento SD4145 Schottky, Polaridad Inversa Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 680 MV @ 30 A 1.5 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor MUR10040CT 75.1110
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR10040 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR10040CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 50A 1.3 V @ 50 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor MURTA60040R 188.1435
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Murta60040 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murta60040rgn EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 300A 1.5 V @ 300 A 220 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1204AR GeneSiC Semiconductor 1n1204ar 4.2345
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1n1204ar Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1064 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
GA080TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA080TH65-227SP 3.0000
RFQ
 ECAD 1033 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GA080 Soltero descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 10 6.5 kV 139 A - 100 mA 80 A 1 SCR
MBRTA40030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA40030RL -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 200a 580 MV @ 200 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST10035 GeneSiC Semiconductor FST10035 65.6445
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FST10035GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 100A 650 MV @ 100 A 2 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20030 GeneSiC Semiconductor MBRF20030 -
RFQ
 ECAD 3637 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 100A 700 MV @ 100 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30040 GeneSiC Semiconductor MBRF30040 -
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3004 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80040 GeneSiC Semiconductor MBRTA80040 -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4588 GeneSiC Semiconductor 1N4588 35.5695
RFQ
 ECAD 3219 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 1N4588 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N4588GN EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.5 V @ 150 A 9.5 Ma @ 200 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MURT10010 GeneSiC Semiconductor MURT10010 -
RFQ
 ECAD 9411 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murt10010gn EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 50A 1.3 V @ 50 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3210 GeneSiC Semiconductor 1N3210 9.6500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N3210 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
MBRTA60030RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60030RL -
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 300A 580 MV @ 300 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA50040 GeneSiC Semiconductor MBRTA50040 -
RFQ
 ECAD 3638 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT200100AD GeneSiC Semiconductor MSRT200100AD 80.4872
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT200 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1000 V 200a 1.1 v @ 200 a 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-46-3 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) A-46 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1251 EAR99 8541.29.0095 200 - 100 V 9A (TC) - 240mohm @ 5a - - - 20W (TC)
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S12MGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A -
MBR3560R GeneSiC Semiconductor MBR3560R 18.5700
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento MBR3560 Schottky, Polaridad Inversa Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 35 A 1.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBRF300150 GeneSiC Semiconductor MBRF300150 -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3001 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 150a 880 MV @ 150 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X030A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X030A060 40.2435
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X030 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 30A 750 MV @ 30 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60060 GeneSiC Semiconductor MBRTA60060 -
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 -
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To-247-2 GB20SLT12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 2 V @ 20 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 968pf @ 1V, 1 MHz
MBR80100 GeneSiC Semiconductor MBR80100 21.1680
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR80100GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 80 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 80A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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