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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MBRF12035 GeneSiC Semiconductor MBRF12035 -
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 60A 700 MV @ 60 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF400150R GeneSiC Semiconductor MBRF400150R -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 150 V 200a 880 MV @ 200 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF40040R GeneSiC Semiconductor MBRF40040R -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 200a 700 MV @ 200 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50030 GeneSiC Semiconductor MBRF50030 -
RFQ
 ECAD 8152 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50080 GeneSiC Semiconductor MBRF50080 -
RFQ
 ECAD 2997 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 250a 840 MV @ 250 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60020 GeneSiC Semiconductor MBRF60020 -
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 300A 650 MV @ 300 A 10 Ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
GBPC2502W GeneSiC Semiconductor GBPC2502W 4.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2502 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1289 EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
GBPC2510W GeneSiC Semiconductor GBPC2510W 4.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2510 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1293 EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X030A02 36.7500
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MUR2X030 Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1305 EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 30A 1 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GBPC1501W GeneSiC Semiconductor GBPC1501W 2.4180
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC1501 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) GBPC1501WGS EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 15 A Fase única 100 V
GBPC2510T GeneSiC Semiconductor GBPC2510T 2.5335
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC GBPC2510 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
GBPC3506W GeneSiC Semiconductor GBPC3506W 2.8650
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3506 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) GBPC3506WGS EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
GBPC50005W GeneSiC Semiconductor GBPC50005W 4.0155
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC50005 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 A Fase única 50 V
GBPC5006W GeneSiC Semiconductor GBPC5006W 4.0155
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC5006 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 A Fase única 600 V
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC5010 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 1000 V 50 A Fase única 1 kV
GKR130/18 GeneSiC Semiconductor GKR130/18 35.8210
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento GKR130 Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
KBP202G GeneSiC Semiconductor KBP202G 0.2280
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP KBP202 Estándar KBP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBP202GGS EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
KBP203G GeneSiC Semiconductor KBP203G -
RFQ
 ECAD 7456 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
KBPC15005W GeneSiC Semiconductor KBPC15005W 2.1795
RFQ
 ECAD 4543 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC15005 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 15 A Fase única 50 V
KBPC1501W GeneSiC Semiconductor KBPC1501W 2.1795
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC1501 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 100 V
KBPC1504W GeneSiC Semiconductor KBPC1504W 2.1795
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC1504 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC1510 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
KBPC2501W GeneSiC Semiconductor KBPC2501W 2.2995
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC2501 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 A Fase única 100 V
KBPC2502W GeneSiC Semiconductor KBPC2502W 2.2995
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC2502 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
KBPC2506W GeneSiC Semiconductor KBPC2506W 2.2995
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC2506 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
KBPC3502W GeneSiC Semiconductor KBPC3502W 2.4720
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC3502 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 A Fase única 200 V
KBPC3510W GeneSiC Semiconductor KBPC3510W 2.4750
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC3510 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
KBPC5001W GeneSiC Semiconductor KBPC5001W 2.5875
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC5001 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 100 V 50 A Fase única 100 V
KBPC5004W GeneSiC Semiconductor KBPC5004W 2.5875
RFQ
 ECAD 5926 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC5004 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 400 V 50 A Fase única 400 V
KBPC5006W GeneSiC Semiconductor KBPC5006W 2.5875
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, KBPC-W KBPC5006 Estándar KBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 600 V 50 A Fase única 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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