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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
MBR40060CTR GeneSiC Semiconductor MBR40060CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 7044 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR40060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 200a 800 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40080CTR GeneSiC Semiconductor MBR40080CTR 98.8155
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40080 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR40080CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 200a 840 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor MBR500100CTR -
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky, Polaridad Inversa Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR500100CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 250a 880 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60060CTR GeneSiC Semiconductor MBR60060CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 300A 800 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6045 GeneSiC Semiconductor MBR6045 20.2695
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR6045 Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR6045GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 650 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
MBR7560 GeneSiC Semiconductor MBR7560 20.8845
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR7560GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 75 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBR8020 GeneSiC Semiconductor MBR8020 21.1680
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR8020GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 750 MV @ 80 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 80A -
MBRH12060 GeneSiC Semiconductor MBRH12060 60.0375
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH12060GN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 120 A 4 Ma @ 20 V 120a -
MBRT200100R GeneSiC Semiconductor MBRT200100R 98.8155
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT200100 Schottky, Polaridad Inversa Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT200100RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 100A 880 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40040 GeneSiC Semiconductor MBRT40040 118.4160
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT40040GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60020R GeneSiC Semiconductor MBRT60020R 140.2020
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT60020 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT60020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60035 GeneSiC Semiconductor MBRT60035 140.2020
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT60035GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo de 3-SMD MSRTA6001 - Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MSRTA6001RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) - 1600 V 600A (DC) -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA60060A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060A 109.2000
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRTA60060 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 600A (DC) 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor MUR20005CT -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR20005CTGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor MUR20020CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR20020 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR20020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2560 GeneSiC Semiconductor MUR2560 10.1910
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR2560GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 25 A 90 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MUR40010CT GeneSiC Semiconductor MUR40010CT 132.0780
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR40010 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR40010CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V
MUR7040R GeneSiC Semiconductor MUR7040R 17.7855
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Mur7040 Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR7040RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
MURF20005 GeneSiC Semiconductor MURF20005 -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) MURF20005GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF20040R GeneSiC Semiconductor MURF20040R -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar TO-244AB - 1 (ilimitado) MURF20040RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 100A 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10005 GeneSiC Semiconductor Murh10005 -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Estándar D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murh10005gn EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100A -
MURH10020R GeneSiC Semiconductor MURH10020R 49.5120
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Murh10020 Polaridad Inversa Estándar D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murh10020rgn EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100A -
MURH10040 GeneSiC Semiconductor Murh10040 49.5120
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Estándar D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murh10040gn EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V 100A -
MURT30020R GeneSiC Semiconductor MURT30020R 118.4160
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT30020 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT30040R GeneSiC Semiconductor MURT30040R 98.7424
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT30040 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30040RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 150a 1.35 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT30060R GeneSiC Semiconductor MURT30060R 118.4160
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT30060 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30060RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 600 V 150a 1.7 V @ 150 A 200 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT40010R GeneSiC Semiconductor MURT40010R 132.0780
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT40010 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT40010RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 200a 1.3 V @ 200 A 125 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
S12KR GeneSiC Semiconductor S12Kr 4.2345
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento S12K Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S12krgn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A -
S12Q GeneSiC Semiconductor S12Q 4.2345
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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