SIC
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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
MBRH120150R GeneSiC Semiconductor MBRH120150R 60.0375
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH120150 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 880 MV @ 120 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 120a -
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor Murta60060 188.1435
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murta60060gn EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 300A 1.7 V @ 300 A 280 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Semiconductor genesico - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Sot-227 descascar 1 (ilimitado) 1242-1314 EAR99 8541.29.0095 10 - 1700 V 160A (TC) - 10mohm @ 100a - - 14400 pf @ 800 V - 535W (TC)
FR12MR05 GeneSiC Semiconductor FR12MR05 7.0500
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr12mr05gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.4 v @ 12 a 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
S25BR GeneSiC Semiconductor S25BR 5.2485
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento S25B Polaridad Inversa Estándar - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S25BRGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
MBR2X050A045 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A045 43.6545
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X050 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 50A 700 MV @ 50 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
MURT30010 GeneSiC Semiconductor MURT30010 118.4160
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30010GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST16040L GeneSiC Semiconductor FST16040L -
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 80A 600 MV @ 80 A 2 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST16020 GeneSiC Semiconductor FST16020 75.1110
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FST16020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 160A (DC) 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1189R GeneSiC Semiconductor 1N1189R 7.4730
RFQ
 ECAD 7084 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1189R Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N1189RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MBRTA60020R GeneSiC Semiconductor MBRTA60020R -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 300A 580 MV @ 300 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT600100R GeneSiC Semiconductor MBRT600100R 140.2020
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT600100 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT600100RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 300A 880 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
S85VR GeneSiC Semiconductor S85VR 15.2800
RFQ
 ECAD 597 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental S85V Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 85a -
FR40DR02 GeneSiC Semiconductor FR40DR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR40DR02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
GKR26/08 GeneSiC Semiconductor GKR26/08 -
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
S40V GeneSiC Semiconductor S40V 6.9421
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40vgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 160 ° C 40A -
FST100200 GeneSiC Semiconductor FST100200 65.6445
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 50A 920 MV @ 50 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST6380M GeneSiC Semiconductor FST6380M -
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 30A 840 MV @ 30 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA40040R GeneSiC Semiconductor MURTA40040R 159.9075
RFQ
 ECAD 2911 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Murta40040 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 200a 1.3 V @ 200 A 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF500200 GeneSiC Semiconductor MBRF500200 -
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 250a 920 MV @ 250 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT20020 GeneSiC Semiconductor MURT20020 104.4930
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT20020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247 -
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-247-2 GC50MPS12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1340 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 50 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 212a 3263pf @ 1V, 1MHz
FR12M05 GeneSiC Semiconductor FR12M05 6.9975
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 800 MV @ 12 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBRT50020R GeneSiC Semiconductor MBRT50020R -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT50020RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A060 48.6255
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X080 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 80A 750 MV @ 80 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
MURF30020 GeneSiC Semiconductor MURF30020 -
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
S70K GeneSiC Semiconductor S70K 9.8985
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S70kgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
FR40DR05 GeneSiC Semiconductor FR40DR05 13.8360
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR40DR05GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
MBR60100R GeneSiC Semiconductor MBR60100R 21.3105
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR60100 Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60100RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
MURT30020 GeneSiC Semiconductor MURT30020 118.4160
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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