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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
GKR71/12 GeneSiC Semiconductor GKR71/12 12.8537
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental GKR71 Estándar Do-5 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.5 V @ 60 A 10 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 95a -
FR40BR02 GeneSiC Semiconductor FR40BR02 13.8360
RFQ
 ECAD 2788 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR40BR02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 40 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
S40QR GeneSiC Semiconductor S40QR 6.3770
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental S40Q Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40QRGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
MUR2X030A06 GeneSiC Semiconductor Mur2x030a06 -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1306 EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 30A 1.5 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBR120100CT GeneSiC Semiconductor MBR120100CT 68.8455
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR120100 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR120100CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 120A (DC) 840 MV @ 60 A 3 Ma @ 20 V
1N1190AR GeneSiC Semiconductor 1N1190ar 10.3200
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1190ar Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1027 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
S16DR GeneSiC Semiconductor S16DR 4.5900
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento S16d Polaridad Inversa Estándar - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S16drgn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 V @ 16 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
S25MR GeneSiC Semiconductor S25MR 5.2485
RFQ
 ECAD 4469 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento S25M Polaridad Inversa Estándar - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S25mrgn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
MSRT200160A GeneSiC Semiconductor MSRT200160A 48.2040
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT200 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1600 V 200a (DC) 1.2 v @ 200 a 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
S25Q GeneSiC Semiconductor S25Q 5.2485
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S25QGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
FR30B02 GeneSiC Semiconductor FR30B02 10.4070
RFQ
 ECAD 1814 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR30B02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
GKN26/08 GeneSiC Semiconductor GKN26/08 -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
GKR130/16 GeneSiC Semiconductor GKR130/16 35.6397
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento GKR130 Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTL -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 150a 600 MV @ 150 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR85GR05 GeneSiC Semiconductor FR85GR05 24.1260
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR85GR05GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 85 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
MBRF60040 GeneSiC Semiconductor MBRF60040 -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 300A (DC) 650 MV @ 300 A 10 Ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
KBPC3501T GeneSiC Semiconductor KBPC3501T 2.4720
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, KBPC-T KBPC3501 Estándar KBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 A Fase única 100 V
MBRF60030 GeneSiC Semiconductor MBRF60030 -
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 300A (DC) 650 MV @ 300 A 10 Ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
FR85GR02 GeneSiC Semiconductor FR85GR02 24.1260
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1010 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 85 A 200 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
S320M GeneSiC Semiconductor S320M 63.8625
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AB, DO-9, Semento S320 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S320MGN EAR99 8541.10.0080 8 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 V @ 300 A 10 µA @ 600 V -60 ° C ~ 180 ° C 320A -
MBR2X120A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A120 51.8535
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X120 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 120a 880 MV @ 120 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBR30035CT GeneSiC Semiconductor MBR30035CT 94.5030
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30035 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1050 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 150a 650 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20080R GeneSiC Semiconductor MBRH20080R 70.0545
RFQ
 ECAD 3860 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH20080 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH20080RGN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 840 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V 200a -
MBR30035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30035CTRL -
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 150a 600 MV @ 150 A 3 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X120A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A060 51.8535
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X120 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 120a 750 MV @ 120 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF40030 GeneSiC Semiconductor MBRF40030 -
RFQ
 ECAD 4834 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 200a 700 MV @ 200 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR12JR02 GeneSiC Semiconductor FR12JR02 9.2235
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 800 MV @ 12 A 250 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBRTA50030 GeneSiC Semiconductor MBRTA50030 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16M05 GeneSiC Semiconductor FR16M05 8.3160
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr16m05gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 V @ 16 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FST6360M GeneSiC Semiconductor FST6360M -
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 30A 750 MV @ 30 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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