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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos
MBRH20040 GeneSiC Semiconductor MBRH20040 70.0545
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH20040GN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 650 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V 200a -
MBR40060CT GeneSiC Semiconductor MBR40060CT 98.8155
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR40060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 200a 800 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA600100A 109.2000
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo de 3-SMD MSRTA600100 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1000 V 600A (DC) 1.2 V @ 600 A 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7530 GeneSiC Semiconductor MBR7530 20.8845
RFQ
 ECAD 8336 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR7530GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 650 MV @ 75 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBR7520R GeneSiC Semiconductor MBR7520R 21.9195
RFQ
 ECAD 6349 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR7520 Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR7520RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 650 MV @ 75 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBRT300150 GeneSiC Semiconductor MBRT300150 107.3070
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 150a 880 MV @ 150 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA600120R GeneSiC Semiconductor MURTA600120R 207.4171
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURTA600120 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 1200 V 300A 2.6 V @ 300 A 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH30045RL GeneSiC Semiconductor MBRH30045RL -
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 300 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 3.9210
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 GC10MPS12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 660pf @ 1V, 1 MHz
GKN71/14 GeneSiC Semiconductor GKN71/14 12.5767
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental GKN71 Estándar Do-5 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.5 V @ 60 A 10 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C 95a -
MUR40060CT GeneSiC Semiconductor MUR40060CT 132.0780
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela Mur40060 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR40060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 200a 1.3 V @ 125 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF20060R GeneSiC Semiconductor MURF20060R -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar TO-244AB - 1 (ilimitado) MURF20060RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 600 V 100A 1.7 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA500120R GeneSiC Semiconductor MURTA500120R 174.1546
RFQ
 ECAD 6602 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURTA500120 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 1200 V 250a 2.6 V @ 250 A 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
S40D GeneSiC Semiconductor S40d 6.3770
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40dgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
MBRT50035R GeneSiC Semiconductor MBRT50035R -
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT50035RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST6345M GeneSiC Semiconductor FST6345M -
RFQ
 ECAD 8594 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 700 MV @ 30 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF40060 GeneSiC Semiconductor MBRF40060 -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF30020R GeneSiC Semiconductor MURF30020R -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA080TH65 GeneSiC Semiconductor GA080TH65 2.0000
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-2 GA080 Soltero descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) 1242-1145 EAR99 8541.30.0080 1 6.5 kV 139 A - 100 mA 80 A 1 SCR
GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33-263 30.3000
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA GB05MPS33 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 263-7 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1351 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 3300 V 3 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 3000 V -55 ° C ~ 175 ° C 14A 288pf @ 1V, 1 MHz
GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 -
RFQ
 ECAD 6547 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 GB02SLT12 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 131pf @ 1v, 1 MHz
MSRT100140D GeneSiC Semiconductor MSRT100140D 87.1935
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT100 Estándar Tres Torre descascar ROHS3 Cumplante 1242-MSRT100140D EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1400 V 100A 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
RFQ
 ECAD 3689 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 200a 600 MV @ 200 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA500160A GeneSiC Semiconductor MSRTA500160A 101.4000
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRTA500160 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1600 V 500A (DC) 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50045R GeneSiC Semiconductor MBRF50045R -
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor MUR30010CT 118.4160
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR30010 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR30010CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR75100 GeneSiC Semiconductor MBR75100 20.8845
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR75100GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 75 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 75a -
FR30MR05 GeneSiC Semiconductor FR30MR05 10.5930
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr30mr05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 30 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
1N2135AR GeneSiC Semiconductor 1N2135ar 8.9025
RFQ
 ECAD 2479 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N2135ar Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N2135Argn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 60 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 60A -
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor MBR200100CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR200100 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR200100CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 200a (DC) 840 MV @ 100 A 5 Ma @ 20 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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