SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO)
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3 28.7400
RFQ
ECAD 2069 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-3l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M12025K3 1 N-canal 1200 V 113a 15V 35mohm @ 50A, 15V 2.4V @ 17.7MA (typ) +21V, -10V - 524W
P3D12020GS PN Junction Semiconductor P3D12020GS 12.4100
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo A 263S Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY A 263S descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D12020GSTR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 0 ns 60 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A
P3D12005E2 PN Junction Semiconductor P3D12005E2 4.5000
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo Un 252-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D12005E2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 0 ns 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 19A
P3D06020P3 PN Junction Semiconductor P3D06020P3 8.8400
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tubo Activo Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-3PF-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06020P3 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 40A
P3M17040K4 PN Junction Semiconductor P3M17040K4 35.8600
RFQ
ECAD 4762 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-4l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M17040K4 1 N-canal 1700 V 73a 15V 60mohm @ 50A, 15V 2.2V @ 50MA (typ) +19v, -8v - 536W
P3D06002G2 PN Junction Semiconductor P3D06002G2 2.1000
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo Un 263-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06002G2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 7A
P3D06010E2 PN Junction Semiconductor P3D06010E2 4.1600
RFQ
ECAD 8153 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo Un 252-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06010E2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 28A
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
RFQ
ECAD 2030 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-3l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M06040K3 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 650 V 68a 15V 50mohm @ 40a, 15V 2.4V @ 7.5MA (typ) +20V, -8V - 254W
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
RFQ
ECAD 9755 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-3l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M06060K3 1 N-canal 650 V 48a 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.2V @ 20MA (typ) +20V, -8V - 188W
P3D06008I2 PN Junction Semiconductor P3D06008I2 3.3300
RFQ
ECAD 4460 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tubo Activo TO20I-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20I-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06008I2 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 36 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21A
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 6.1000
RFQ
ECAD 2987 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20F-2 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO20F-2L descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M171K0F3 1 N-canal 1700 V 5.5a 15V 1.4ohm @ 2a, 15v 2.2V @ 2MA (typ) +19v, -8v - 51W
P3D06006I2 PN Junction Semiconductor P3D06006I2 2.5000
RFQ
ECAD 8790 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tubo Activo TO20I-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20I-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06006I2 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 18A
P3M12160K4 PN Junction Semiconductor P3M12160K4 8.8300
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-4l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M12160K4 1 N-canal 1200 V 19A 15V 192mohm @ 10a, 15V 2.4V @ 2.5MA (typ) +21V, -8V - 110W
P3D06006F2 PN Junction Semiconductor P3D06006F2 2.5000
RFQ
ECAD 2548 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tubo Activo TO20F-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20F-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06006F2 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A
P3D06004T2 PN Junction Semiconductor P3D06004T2 2.1000
RFQ
ECAD 2096 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tubo Activo Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06004T2 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
RFQ
ECAD 7995 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-4l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M06060K4 1 N-canal 650 V 48a 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.4V @ 5MA (typ) +20V, -8V - 188W
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
RFQ
ECAD 7160 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DFN8*8 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) DFN8*8 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M06300D8TR 1 N-canal 650 V 9A 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5MA +20V, -8V - 32W
P3D06010G2 PN Junction Semiconductor P3D06010G2 4.1600
RFQ
ECAD 5972 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo Un 263-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06010G2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A
P6D12002E2 PN Junction Semiconductor P6D12002E2 2.6900
RFQ
ECAD 9835 0.00000000 PN Junction Semiconductor P6d Tape & Reel (TR) Activo Un 252-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P6D12002E2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 0 ns 50 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A
P3D06020F2 PN Junction Semiconductor P3D06020F2 8.8400
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tubo Activo TO20F-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20F-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06020F2 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 50 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 29a
P3D06006G2 PN Junction Semiconductor P3D06006G2 2.5000
RFQ
ECAD 3063 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo Un 263-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06006G2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 21A
P3D06004E2 PN Junction Semiconductor P3D06004E2 2.1000
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo Un 252-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06004E2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A
P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor P3M171K0G7 6.1000
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Sicfet (CARBURO DE SILICIO) D2pak-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M171K0G7 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1700 V 7A 15V 1.4ohm @ 2a, 15v 2.2V @ 2MA (typ) +19v, -8v - 100W
P3D06040K3 PN Junction Semiconductor P3D06040K3 13.8400
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 PN Junction Semiconductor P6d Tubo Activo TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06040K3 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 106a
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
RFQ
ECAD 8824 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-3l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M12160K3 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 19A 15V 192mohm @ 10a, 15V 2.4V @ 2.5MA (typ) +21V, -8V - 110W
P3D06002E2 PN Junction Semiconductor P3D06002E2 0.9100
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tape & Reel (TR) Activo Un 252-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06002E2TR 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 9A
P3M06040K4 PN Junction Semiconductor P3M06040K4 12.1700
RFQ
ECAD 2233 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-4l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M06040K4 1 N-canal 650 V 68a 15V 50mohm @ 40a, 15V 2.4V @ 7.5MA (typ) +20V, -8V - 254W
P3D06020K3 PN Junction Semiconductor P3D06020K3 8.8400
RFQ
ECAD 2386 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3d Tubo Activo TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3D06020K3 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 44 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 82a
P3M171K0K3 PN Junction Semiconductor P3M171K0K3 6.1000
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247-3l descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M171K0K3 1 N-canal 1700 V 6A 15V 1.4ohm @ 2a, 15v 2.2V @ 2MA (typ) +19v, -8v - 68w
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
RFQ
ECAD 4032 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3M Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DFN5*6 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) DFN5*6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 4237-P3M06300D5TR 1 N-canal 650 V 9A 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5MA +20V, -8V - 26W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock