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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1 0.7200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.1a, 10v 3.5V @ 90 µA 9.4 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 100 V - 49W (TC)
IPN50R3K0CEATMA1 Infineon Technologies IPN50R3K0CEATMA1 0.5000
RFQ
 ECAD 2062 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN50R3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 2.6a (TC) 13V 3ohm @ 400mA, 13V 3.5V @ 30 µA 4.3 NC @ 10 V ± 20V 84 pf @ 100 V - 5W (TC)
IPU60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPU60R3K4Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 2.6a (TJ) 10V 3.4ohm @ 500 mA, 10V 3.5V @ 40 µA 4.6 NC @ 10 V ± 20V 93 pf @ 100 V - -
FS600R07A2E3B31BOSA1 Infineon Technologies FS600R07A2E3B31BOSA1 -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Obsoleto FS600R07 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3
IDB15E60ATMA1 Infineon Technologies IDB15E60ATMA1 0.8040
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IDB15 Estándar PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 15 A 87 ns 50 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 29.2a -
IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R350CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7407 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI50R350 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000680736 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 10a (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1020 pf @ 100 V - 89W (TC)
IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R250CPXKSA1 1.8880
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP50R250 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 520 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1420 pf @ 100 V - 114W (TC)
SPD02N50C3BTMA1 Infineon Technologies SPD02N50C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD02N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-311 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 80 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 190 pf @ 25 V - 25W (TC)
SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD04N60C3ATMA1 1.9900
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD04N60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 50W (TC)
BSC020N03LSGATMA2 Infineon Technologies BSC020N03LSGATMA2 -
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo BSC020 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000959514 0000.00.0000 5,000
IPD70N12S3L12ATMA1 Infineon Technologies IPD70N12S3L12ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2365 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 120 V 70A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 70a, 10v 2.4V @ 83 µA 77 NC @ 10 V ± 20V 5550 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB044N15N5ATMA1 8.8000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB044 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 174a (TC) 8V, 10V 4.4mohm @ 87a, 10v 4.6V @ 264 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 75 V - 300W (TC)
IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB048N15N5ATMA1 8.3800
RFQ
 ECAD 770 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB048 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 120a (TC) 8V, 10V 4.8mohm @ 60a, 10V 4.6V @ 264 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 75 V - 300W (TC)
IPP04CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP04CN10NGXKSA1 3.7441
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP04CN10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 4.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 13800 pf @ 50 V - 300W (TC)
DF400R07PE4R_B6 Infineon Technologies DF400R07PE4R_B6 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 4 Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF400R07 1100 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Piquero Escrutinio 650 V 450 A 1.95V @ 15V, 400A 20 na Si 18.5 NF @ 25 V
FS100R12KE3_B3 Infineon Technologies FS100R12KE3_B3 -
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS100R12 480 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 140 A 2.15V @ 15V, 100A 5 Ma No 7.1 NF @ 25 V
FS75R12KE3_B3 Infineon Technologies FS75R12KE3_B3 -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 355 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 100 A 2.15V @ 15V, 75a 5 Ma Si 5.3 NF @ 25 V
IRFH7190ATRPBF Infineon Technologies IRFH7190ATRPBF -
RFQ
 ECAD 9434 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001575652 Obsoleto 0000.00.0000 2.500
BSM30GD60DLCE3224 Infineon Technologies BSM30GD60DLCE3224 -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Bsm30g 135 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero Escrutinio 600 V 40 A 2.45V @ 15V, 30A 500 µA No 1.3 NF @ 25 V
IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies IKD04N60RFATMA1 1.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ikd04n60 Estándar 75 W PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 4A, 43OHM, 15V 34 ns Zanja 600 V 8 A 12 A 2.5V @ 15V, 4A 60 µJ (Encendido), 50 µJ (apaguado) 27 NC 12ns/116ns
IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies IPS70R900P7SAKMA1 0.8500
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPS70R900 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60 µA 6.8 NC @ 10 V ± 16V 211 pf @ 400 V - 30.5W (TC)
FP25R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies FP25R12W2T4B11BOMA1 63.3200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP25R12 175 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 39 A 2.25V @ 15V, 25A 1 MA Si 1.45 NF @ 25 V
FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies FF150R12RT4HOSA1 80.7500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo FF150R12R 790 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 150 A 2.15V @ 15V, 150a 1 MA No
FS150R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS150R12KE3BOSA1 314.7000
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS150R12 700 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 200 A 2.15V @ 15V, 150a 5 Ma Si 10.5 NF @ 25 V
FS35R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies FS35R12W1T4BOMA1 47.2000
RFQ
 ECAD 9453 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS35R12 225 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 65 A 2.25V @ 15V, 35A 1 MA Si 2 NF @ 25 V
FS450R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS450R12KE3BOSA1 770.8400
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 Infineon Technologies - Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS450R12 2100 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 600 A 2.15V @ 15V, 450A 5 Ma Si 32 NF @ 25 V
BSM35GP120BOSA1 Infineon Technologies Bsm35gp120bosa1 -
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo BSM35GP120 230 W - Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 45 A 500 µA Si 1.5 NF @ 25 V
FF300R17ME4BOSA1 Infineon Technologies FF300R17ME4BOSA1 270.2000
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF300R17 1800 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente Escrutinio 1700 V 375 A 2.3V @ 15V, 300A 3 MA Si
FF450R12ME4BOSA1 Infineon Technologies FF450R12ME4BOSA1 270.2000
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF450R12 2250 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 675 A 2.1V @ 15V, 450A 3 MA Si 28 NF @ 25 V
FP50R06W2E3BOMA1 Infineon Technologies FP50R06W2E3BOMA1 64.7000
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP50R06 175 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 600 V 65 A 1.9V @ 15V, 50A 1 MA Si 3.1 NF @ 25 V
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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