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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Número de Scr, diodos | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPI20N65C3XKSA1 | - |  | 4260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | SPI20N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPZA60R060P7XKSA1 | 8.9800 | | 5368 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | IPZA60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 60mohm @ 15.9a, 10v | 4V @ 800 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 2895 pf @ 400 V | - | 164W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRFR3707Z | - | | 4183 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR3707Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 56a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1150 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPAN80R450P7XKSA1 | 2.7500 | | 8554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Ipan80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 11a (TC) | 10V | 450mohm @ 4.5a, 10V | 3.5V @ 220 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 500 V | - | 29W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRF7324D1TR | - | | 1902 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.7V, 4.5V | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 7.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 260 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | PTFA190451EV4XWSA1 | - | | 7446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | H-36265-2 | PTFA190451 | 1.96 GHz | Ldmos | H-36265-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 10 µA | 450 Ma | 11W | 17.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | TT120N16SOFB01HPSA1 | 38.0400 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TT120N16 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 250 Ma | 1.6 kV | 190 A | 2.5 V | 2250A @ 50Hz | 100 mA | 119 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||
 | IRLH5030TR2PBF | - | | 4696 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Pqfn (5x6) muere individual | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 13A (TA), 100A (TC) | 9mohm @ 50A, 10V | 2.5V @ 150 µA | 94 NC @ 10 V | 5185 pf @ 50 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | 0.6495 | | 3894 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R950 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 328 pf @ 100 V | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF7458TR | - | | 3385 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001575116 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 10V, 16V | 8mohm @ 14a, 16V | 4V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 30V | 2410 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
| IRLR7821TRPBF | - | | 2067 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 65a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1030 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSP315P-E6327 | - | | 2951 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.17a (TA) | 4.5V, 10V | 800mohm @ 1.17a, 10V | 2V @ 160 µA | 7.8 NC @ 10 V | ± 20V | 160 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IRL2203NLPBF | - | | 6876 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 116a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3290 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 180W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRFR6215TRLPBF | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR6215 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF7241 | - | | 9448 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 40 V | 6.2a (TA) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 6.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3220 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF3205Z | - | | 9720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF3205Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BSP297L6327HTSA1 | - | | 7291 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 660MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1.8V @ 400 µA | 16.1 NC @ 10 V | ± 20V | 357 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | IPP065N04N G | - | | 4903 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP065N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 50A, 10V | 4V @ 200 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 20 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | 64-9146 | - | | 7769 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico Mt | IRF6691 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mt | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 32A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 71 NC @ 4.5 V | ± 12V | 6580 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPC26N12NX1SA1 | 3.4959 | | 6050 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | Morir | IPC26N | Mosfet (Óxido de metal) | Aserrado en papel | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 120 V | 1A (TJ) | 10V | 100mohm @ 2a, 10v | 4V @ 244 µA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| IRF8113GTRPBF | - | | 9321 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 17.2a (TA) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 17.2a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 36 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2910 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| IRF3205LPBF | - | | 5315 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF3205 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 110A (TC) | 10V | 8mohm @ 62a, 10v | 4V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 3247 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRL1404LPBF | - | | 5088 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 160A (TC) | 4.3V, 10V | 4mohm @ 95a, 10v | 3V @ 250 µA | 140 NC @ 5 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| BSO303SPHXUMA1 | - | | 3035 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.2a (TA) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 9.1a, 10V | 2V @ 100 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2330 pf @ 25 V | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| IPP21N03L G | - | | 9153 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP21N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| IRL3302PBF | - | | 8123 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 39A (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 31 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1300 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF6665TR1PBF | - | | 5653 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ Isométrico sh | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sh | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 4.2a (TA), 19a (TC) | 10V | 62mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Auirf7416qtr | - | | 8954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 2.04V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | BSC060N10NS3GATMA1 | 2.9900 | | 2129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC060 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 14.9A (TA), 90A (TC) | 6V, 10V | 6mohm @ 50a, 10v | 3.5V @ 90 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF7380PBF | - | | 7477 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7380 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 3.6a | 73mohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 660pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico |
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