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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
DR24036041NDSA1	-	RFQ	8189	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto												-			Alcanzar sin afectado	448-DR24036041NDSA1	EAR99	8542.39.0001	1
IPL60R104C7AUMA1	6.5800	RFQ	3	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL60R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						600 V	20A (TC)	10V	104mohm @ 9.7a, 10v	4V @ 490 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1819 pf @ 400 V	-	122W (TC)
IRF7469PBF	-	RFQ	5388	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001565446	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal						40 V	9a (TA)	4.5V, 10V	17mohm @ 9a, 10v	3V @ 250 µA	23 NC @ 4.5 V	± 20V	2000 pf @ 20 V	-	2.5W (TA)
ETD540N22P60HPSA1	250.1700	RFQ	4422	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 135 ° C (TC)	Monte del Chasis	Módulo	ETD540				Conexión de la Serie - SCR/Diodo			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2					300 mA														2.2 kV	700 A	2.2 V	16300A @ 50Hz	250 Ma	542 A											1 scr, 1 diodo
BCW60DE6327HTSA1	0.0492	RFQ	5475	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCW60			330 MW			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																					32 V	100 mA			20NA (ICBO)			NPN	550mv @ 1.25 mA, 50 mA	380 @ 2mA, 5V	250MHz
PTFA212001FV4XWSA1	-	RFQ	4527	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA212001	2.14 GHz	Ldmos				H-37260-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40				10 µA		1.6 A	50W	15.8db																	-															30 V
IRF3808LPBF	-	RFQ	8475	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF3808LPBF	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						75 V	106a (TC)	10V	7mohm @ 82a, 10v	4V @ 250 µA	220 NC @ 10 V	± 20V	5310 pf @ 25 V	-	200W (TC)
BSO080P03NS3GXUMA1	-	RFQ	1628	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO080		Mosfet (Óxido de metal)				PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P						30 V	12a (TA)	6V, 10V	8mohm @ 14.8a, 10V	3.1V @ 150 µA	81 NC @ 10 V	± 25V	6750 pf @ 15 V	-	1.6w (TA)
IRF7403TR	-	RFQ	9451	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Q829130	EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						30 V	8.5A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 4a, 10v	1V @ 250 µA	57 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Bc857se6433htma1	-	RFQ	4552	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BC857			250MW			PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																																					45V	100mA			15NA (ICBO)			2 PNP (dual)	650mv @ 5 mm, 100 mapa	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IRFR3910PBF	-	RFQ	5113	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001571594	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						100 V	16a (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	640 pf @ 25 V	-	79W (TC)
FS75R07N2E4BPSA1	113.8200	RFQ	4846	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 2	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS75R07			250 W		Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor trifásico																																			Parada de Campo de Trinchera	650 V	75 A	1.95V @ 15V, 75a		1 MA	Si	4.6 NF @ 25 V
IRF7311TRPBF	1.1000	RFQ	691	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF731		Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)								20V	6.6a		29mohm @ 6a, 4.5V	700mv @ 250 µA	27NC @ 4.5V		900pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRF9956	-	RFQ	5985	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF995		Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF9956	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)								30V	3.5a		100mohm @ 2.2a, 10V	1V @ 250 µA	14nc @ 10V		190pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IPA65R190CFDXKSA2	4.0800	RFQ	461	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA65R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 700 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	34W (TC)
IPD90N04S405ATMA1	1.4700	RFQ	2	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal						40 V	86a (TC)	10V	5.2mohm @ 86a, 10v	4V @ 30 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	2960 pf @ 25 V	-	65W (TC)
T3801N36TOFVTXPSA1	4.0000	RFQ	9803	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Un 200af	T3801N36				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1					350 Ma														3.6 kV	6020 A	2.5 V	91000A @ 50Hz	350 Ma	5370 A											1 SCR
BC 846B E6433	-	RFQ	9093	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 846			330 MW			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																																					65 V	100 mA			15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IDH20G120C5XKSA1	12.9500	RFQ	2	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Idh20g120		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY				PG-TO20-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																									1200 V		1.8 V @ 20 A	0 ns	123 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	56a	1050pf @ 1V, 1 MHz
BSC109N10NS3GATMA1	1.5900	RFQ	43	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC109		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal						100 V	63A (TC)	6V, 10V	10.9mohm @ 46a, 10v	3.5V @ 45 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 50 V	-	78W (TC)
PTF080101M V1	-	RFQ	1174	Infineon Technologies	Goldmos®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	65 V		Montaje en superficie	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)		960MHz	Ldmos				PG-RFP-10	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500				1 µA		180 Ma	10W	16dB																	-															28 V
DD180N20SHPSA1	-	RFQ	2167	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto			Monte del Chasis	Módulo			Estándar				BG-PB34SB-1	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	8		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																								Conexión de la Serie de 1 par	2000 V	226a			1 ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 135 ° C
IRF7466	-	RFQ	1312	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7466	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal						30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 11a, 10v	3V @ 250 µA	23 NC @ 4.5 V	± 20V	2100 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Auirfs8403trl	-	RFQ	7046	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal						40 V	123A (TC)	10V	3.3mohm @ 70a, 10v	3.9V @ 100 µA	93 NC @ 10 V	± 20V	3183 pf @ 25 V	-	99W (TC)
IRFR5305PBF	-	RFQ	5269	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			Canal P						55 V	31a (TC)	10V	65mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	110W (TC)
BAV 99S H6827	-	RFQ	8032	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	Bav 99		Estándar				PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																								Conexión de la Serie de 2 Pares	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
IRF7463PBF	-	RFQ	5730	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001565454	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal						30 V	14a (TA)	2.7V, 10V	8mohm @ 14a, 10v	2V @ 250 µA	51 NC @ 4.5 V	± 12V	3150 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Irf7331tr	-	RFQ	6159	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF733		Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)								20V	7A		30mohm @ 7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	20NC @ 4.5V		1340pf @ 16V	Puerta de Nivel Lógico
IRF7663TR	-	RFQ	9098	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P						20 V	8.2a (TA)		20mohm @ 7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	45 NC @ 5 V		2520 pf @ 10 V	-
BSS83PE6327	-	RFQ	7719	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canal P						60 V	330 mA (TA)	4.5V, 10V	2ohm @ 330 mm, 10v	2V @ 80 µA	3.57 NC @ 10 V	± 20V	78 pf @ 25 V	-	360MW (TA)