SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies IPP65R190C7FKSA1 3.4900
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R190 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 13a (TC) 10V 190mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 290 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 400 V - 72W (TC)
IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI147N12N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI147 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 120 V 56a (TA) 10V 14.7mohm @ 56a, 10v 4V @ 61 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 3220 pf @ 60 V - 107W (TC)
IRGIB4620DPBF Infineon Technologies IRGIB4620DPBF -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 140 W PG-to220-FP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001545068 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 12a, 22ohm, 15V 68 ns Escrutinio 600 V 32 A 36 A 1.85V @ 15V, 12A 185 µJ (Encendido), 355 µJ (apagado) 25 NC 31ns/83ns
IPA50R190CE Infineon Technologies IPA50R190CE -
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 18.5A (TC) 13V 190mohm @ 6.2a, 13V 3.5V @ 510 µA 47.2 NC @ 10 V ± 20V 1137 pf @ 100 V - 32W (TC)
T880N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T880N16TOFXPSA1 167.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK T880N16 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 300 mA 1.8 kV 1750 A 2.2 V 17500A @ 50Hz 250 Ma 880 A 1 SCR
DD350N12KKHPSA1 Infineon Technologies DD350N12KKHPSA1 -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1200 V 350A 1.28 V @ 1000 A 30 Ma @ 1200 V 150 ° C
DD175N30KHPSA1 Infineon Technologies DD175N30KHPSA1 281.2433
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD175N30 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 3000 V 223A 2.05 V @ 600 A 20 Ma @ 3000 V -40 ° C ~ 150 ° C
BAL99E6327HTSA1 Infineon Technologies BAL99E6327HTSA1 0.0462
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bal99 Estándar PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 70 V -65 ° C ~ 150 ° C 250 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
TZ800N18KOFTIMHPSA1 Infineon Technologies TZ800N18KOFTIMHPSA1 598.2200
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TZ800N18 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 1.8 kV 1500 A 2 V 35000A @ 50Hz 250 Ma 819 A 1 SCR
BC 817-40 E6433 Infineon Technologies BC 817-40 E6433 -
RFQ
 ECAD 8327 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC 817 330 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
IRFS59N10DPBF Infineon Technologies IRFS59N10DPBF -
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 59A (TC) 10V 25mohm @ 35.4a, 10V 5.5V @ 250 µA 114 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BCR133E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR133E6433HTMA1 0.0495
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
IRLR3114ZPBF Infineon Technologies IRLR3114ZPBF -
RFQ
 ECAD 8968 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568538 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10v 2.5V @ 100 µA 56 NC @ 4.5 V ± 16V 3810 pf @ 25 V - 140W (TC)
BCR35PNH6433 Infineon Technologies BCR35PNH6433 -
RFQ
 ECAD 6305 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR35 250MW PG-SOT363-6-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 10 kohms 47 kohms
IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB048N15N5ATMA1 8.3800
RFQ
 ECAD 770 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB048 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 120a (TC) 8V, 10V 4.8mohm @ 60a, 10V 4.6V @ 264 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 75 V - 300W (TC)
IRLZ34NL Infineon Technologies IRLZ34NL -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLZ34NL EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 30A (TC) 4V, 10V 35mohm @ 16a, 10v 2V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R750P7SATMA1 0.8700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN70R750 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 700 V 6.5a (TC) 10V 750mohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 70 µA 8.3 NC @ 10 V ± 16V 306 pf @ 400 V - 6.7W (TC)
BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC600N25NS3GATMA1 3.5900
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC600 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 250 V 25A (TC) 10V 60mohm @ 25A, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 125W (TC)
IRF1010EZLPBF Infineon Technologies IRF1010EZLPBF -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10v 4V @ 100 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPB100N06S3-03 Infineon Technologies IPB100N06S3-03 -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 100A (TC) 10V 3mohm @ 80a, 10v 4V @ 230 µA 480 NC @ 10 V ± 20V 21620 pf @ 25 V - 300W (TC)
IQE018N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies IQE018N06NM6SCATMA1 1.1992
RFQ
 ECAD 5918 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IQE018N06NM6SCATMA1TR 6,000
IRF5305L Infineon Technologies IRF5305L -
RFQ
 ECAD 9509 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF5305L EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 60mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IRF1404ZSTRR Infineon Technologies Irf1404zstrr -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 180A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 25 V - 220W (TC)
T345N18EOFVTXPSA1 Infineon Technologies T345N18EOFVTXPSA1 -
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto - Montaje de Tornillo Sin Estándar T345N - - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 8000A @ 50Hz 1 SCR
IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies IRFS3004TRLPBF 4.0900
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS3004 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 195a (TA) 10V 1.75mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 25 V - 380W (TC)
TD61N16KOFAHPSA1 Infineon Technologies TD61N16KOFAHPSA1 -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TD61N Conexión de la Serie - SCR/Diodo - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 15 200 MA 1.6 kV 120 A 1.4 V 1550A @ 50Hz 120 Ma 76 A 1 scr, 1 diodo
IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies IRFS3006TRL7PP 5.8200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb IRFS3006 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 240a (TC) 10V 2.1mohm @ 168a, 10v 4V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 8850 pf @ 50 V - 375W (TC)
IRF8252TRPBF-1 Infineon Technologies IRF8252TRPBF-1 -
RFQ
 ECAD 6705 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001563862 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 25 V 25A (TA) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 100 µA 53 NC @ 4.5 V ± 20V 5305 pf @ 13 V - 2.5W (TA)
D8320N02TVFXPSA1 Infineon Technologies D8320N02TVFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Do-200ad D8320N02 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 795 MV @ 4000 A 100 mA @ 200 V -25 ° C ~ 150 ° C 8320A -
IPB65R110CFDATMA2 Infineon Technologies IPB65R110CFDATMA2 6.8400
RFQ
 ECAD 2447 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R110 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 31.2a (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10v 4.5V @ 1.3MA 118 NC @ 10 V ± 20V 3240 pf @ 100 V - 277.8W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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