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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Max | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BG3123RH6327XTSA1 | - |  | 8524 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BG3123 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25 Ma, 20 Ma | 14 MA | - | 25db | 1.8db | 5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD50R500CEAUMA1 | 1.0100 | | 26 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50R500 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 7.6a (TC) | 13V | 500mohm @ 2.3a, 13V | 3.5V @ 200 µA | 18.7 NC @ 10 V | ± 20V | 433 pf @ 100 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPB019N08N3GATMA1 | 6.3700 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB019 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 180A (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10v | 3.5V @ 270 µA | 206 NC @ 10 V | ± 20V | 14200 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPI100N04S303AKSA1 | - | | 1564 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 80a, 10v | 4V @ 150 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 9600 pf @ 25 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPI14N03LA | - | | 5647 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI14N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 25 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 20 µA | 8.3 NC @ 5 V | ± 20V | 1043 pf @ 15 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPP110N20NAAKSA1 | 9.8100 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimwatt ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 88a (TC) | 10V | 10.7mohm @ 88a, 10v | 4V @ 270 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 7100 pf @ 100 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRLR2705TRLPBF | 0.9700 | | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR2705 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 28a (TC) | 4V, 10V | 40mohm @ 17a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | TZ425N12KOFHPSA1 | - | | 9127 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TZ425N12 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.2 kV | 800 A | 1.5 V | 14500A @ 50Hz | 250 Ma | 510 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80N06S4L05AKSA1 | - | | 3124 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 60 µA | 110 NC @ 10 V | ± 16V | 8180 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPS65R950C6AKMA1 | 1.1100 | | 150 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPS65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 328 pf @ 100 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPB80N06S3L-05 | - | | 5388 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 5V, 10V | 4.5mohm @ 69a, 10v | 2.2V @ 115 µA | 273 NC @ 10 V | ± 16V | 13060 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IRFR5305TRPBF | - | | 4473 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573302 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 55 V | 31a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R750E6BTMA1 | - | | 6531 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ E6 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 5.7a (TC) | 10V | 750mohm @ 2a, 10v | 3.5V @ 170 µA | 17.2 NC @ 10 V | ± 20V | 373 pf @ 100 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF5800 | - | | 8079 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro6 ™ (TSOP-6) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P | 30 V | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 4a, 10v | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 535 pf @ 25 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BSC027N04LSGATMA1 | 1.5800 | | 51 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC027 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 24a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 50A, 10V | 2V @ 49 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 6800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5406TRPBF | - | | 6841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IRFH5406 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 V | 11a (TA), 40a (TC) | 10V | 14.4mohm @ 24a, 10v | 4V @ 50 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1256 pf @ 25 V | - | 3.6W (TA), 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRLU3110ZPBF | 1.8400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRLU3110 | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 38a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 48 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3980 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3709Z | - | | 5610 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 86a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2330 pf @ 15 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | 3.8000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLS3036 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11210 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRLR8503 | - | | 3891 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLR8503 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 44a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Bar6402ele6327xtma1 | 0.4100 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | 0402 (1006 Métrica) | Bar6402 | PG-TSLP-2-19 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 mA | 250 MW | 0.35pf @ 20V, 1MHz | PIN - Single | 150V | 1.35ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP373L6327HTSA1 | - | | 6233 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 1.7a (TA) | 10V | 300mohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 550 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB060N15N5ATMA1 | 7.1300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB060 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 136a (TC) | 8V, 10V | 6mohm @ 68a, 10v | 4.6V @ 180 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 75 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IPP052N06L3GHKSA1 | - | | 9518 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP052M | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000453616 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 58 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 8400 pf @ 30 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7413ZPBF | - | | 3508 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001551348 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10v | 2.25V @ 25 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1210 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Irf9530nl | - | | 1328 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf9530nl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 14a (TC) | 10V | 200mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 760 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFU540ZPBF | - | | 3549 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 10V | 28.5mohm @ 21a, 10v | 4V @ 50 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLU2705 | - | | 2351 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLU2705 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 28a (TC) | 4V, 10V | 40mohm @ 17a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| BSO215C | - | | 4370 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO215 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 20V | 3.7a | 100mohm @ 3.7a, 10V | 2V @ 10 µA | 11.5nc @ 10V | 246pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TT700N22KofTimHPSA1 | 510.0700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 135 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TT700N | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2.2 kV | 1050 A | 2.2 V | 20400A @ 50Hz | 250 Ma | 700 A | 2 SCRS |
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