SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BCR573E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR573E6433HTMA1 0.0838
RFQ
ECAD 3970 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR573 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 150 MHz 1 kohms 10 kohms
BCW60FFE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW60FFE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
BDP948E6433HTMA1 Infineon Technologies Bdp948e6433htma1 -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BDP948 5 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 45 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
BF799WE6327BTSA1 Infineon Technologies Bf799we6327btsa1 -
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BF799 280MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 20V 35mA NPN 40 @ 20MA, 10V 800MHz 3DB @ 100MHz
BAS 70 B5003 Infineon Technologies BAS 70 B5003 -
RFQ
ECAD 3449 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS 70 Schottky PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C 70 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
BAT 64-05 B5003 Infineon Technologies BAT 64-05 B5003 -
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bat 64 Schottky PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 40 V 120 Ma 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
BAV 70 B5003 Infineon Technologies BAV 70 B5003 -
RFQ
ECAD 1927 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV 70 Estándar PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SPA07N60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 32W (TC)
SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies Spa11n65c3xksa1 4.2700
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa11n65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 3.9V @ 500 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 33W (TC)
IRFB4228PBF Infineon Technologies IRFB4228PBF 4.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4228 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 150 V 83A (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10v 5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 30V 4530 pf @ 25 V - 330W (TC)
IRFSL3306PBF Infineon Technologies IRFSL3306PBF 2.6400
RFQ
ECAD 1978 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL3306 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 4.2mohm @ 75a, 10v 4V @ 150 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 4520 pf @ 50 V - 230W (TC)
IRFS4228PBF Infineon Technologies IRFS4228PBF 3.5400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001571734 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 83A (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10v 5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 30V 4530 pf @ 25 V - 330W (TC)
IPI05N03LA Infineon Technologies IPI05N03LA -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI05N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 25 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 55a, 10v 2V @ 50 µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3110 pf @ 15 V - 94W (TC)
IPI45N06S3-16 Infineon Technologies IPI45N06S3-16 -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI45N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 45a (TC) 10V 15.7mohm @ 23a, 10v 4V @ 30 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 2980 pf @ 25 V - 65W (TC)
IPI60R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPI60R199CPXKSA1 2.8798
RFQ
ECAD 7604 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI60R199 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 16a (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1520 pf @ 100 V - 139W (TC)
IPI80N06S3L06XK Infineon Technologies IPI80N06S3L06XK -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 5V, 10V 5.9mohm @ 56a, 10v 2.2V @ 80 µA 196 NC @ 10 V ± 16V 9417 pf @ 25 V - 136W (TC)
IPP048N06L G Infineon Technologies IPP048N06L G -
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP048N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 100a, 10v 2V @ 270 µA 225 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 30 V - 300W (TC)
IPP05CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP05CN10NGXKSA1 2.2352
RFQ
ECAD 1488 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP05CN10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 5.4mohm @ 100a, 10v 4V @ 250 µA 181 NC @ 10 V ± 20V 12000 pf @ 50 V - 300W (TC)
IPP065N06LGAKSA1 Infineon Technologies IPP065N06LGAKSA1 -
RFQ
ECAD 4808 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP065N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 80a, 10v 2V @ 180 µA 157 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 30 V - 250W (TC)
IPP60R125CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R125CPXKSA1 7.0000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R125 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 16A, 10V 3.5V @ 1.1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 208W (TC)
IPP60R385CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R385CPXKSA1 1.7599
RFQ
ECAD 6666 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R385 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 100 V - 83W (TC)
IPP77N06S3-09 Infineon Technologies IPP77N06S3-09 -
RFQ
ECAD 9050 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP77N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 77a (TC) 10V 9.1mohm @ 39a, 10v 4V @ 55 µA 103 NC @ 10 V ± 20V 5335 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPP80CN10NGHKSA1 Infineon Technologies IPP80CN10NGHKSA1 -
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 13a (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10v 4V @ 12 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 716 pf @ 50 V - 31W (TC)
IPP80N06S3-05 Infineon Technologies IPP80N06S3-05 -
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 5.4mohm @ 63a, 10v 4V @ 110 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 10760 pf @ 25 V - 165W (TC)
IPW60R125CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R125CPFKSA1 5.4657
RFQ
ECAD 1478 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R125 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 16A, 10V 3.5V @ 1.1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 208W (TC)
PTF080101S V1 Infineon Technologies PTF080101S V1 -
RFQ
ECAD 7761 0.00000000 Infineon Technologies Goldmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie H-32259-2 960MHz Ldmos H-32259-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 1 µA 150 Ma 10W 18.5dB - 28 V
PTFA261301E V1 Infineon Technologies PTFA261301E V1 -
RFQ
ECAD 3652 0.00000000 Infineon Technologies Goldmos® Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Fin Lidera 2.68 GHz Ldmos H-30260-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 35 10 µA 1.4 A 130W 13.5dB - 28 V
SIDC05D60C6X1SA2 Infineon Technologies SIDC05D60C6X1SA2 -
RFQ
ECAD 6275 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC05 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.95 V @ 15 A 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A -
SIDC08D120H6X1SA1 Infineon Technologies SIDC08D120H6X1SA1 -
RFQ
ECAD 9701 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC08 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.6 v @ 10 a 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies SPD15N06S2L-64 -
RFQ
ECAD 9274 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD15N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 19a (TC) 4.5V, 10V 64mohm @ 8a, 10v 2V @ 14 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 445 pf @ 25 V - 47W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock