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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Max | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PXAC261202FCV1XWSA1 | - |  | 6463 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | H-37248-4 | 2.61GHz | Ldmos | H-37248-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001178442 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | Fuente Común Dual | - | 230 Ma | 28W | 13.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||
 | IRFR3709Z | - | | 5610 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 86a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2330 pf @ 15 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||
 | PTFB191501EV1R250XTMA1 | - | | 4823 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Fin Lidera | PTFB191501 | 1.99 GHz | Ldmos | H-36248-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.21.0095 | 250 | - | 1.2 A | 150W | 18dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||
 | IRLU3303PBF | - | | 4319 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 21a, 10v | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPP60R040C7XKSA1 | 13.6500 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R040 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 50A (TC) | 10V | 40mohm @ 24.9a, 10V | 4V @ 1.24mA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||
 | Irfu3410pbf | 1.2500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU3410 | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 31a (TC) | 10V | 39mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||||||
| Auirfr48z | - | | 9266 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001522912 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10v | 4V @ 50 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1720 pf @ 25 V | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||
 | IPA50R299CPXKSA1 | - | | 6648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 550 V | 12a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||
| IRLR3410TRR | - | | 9764 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 4V, 10V | 105mohm @ 10a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 5 V | ± 16V | 800 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRFS4229PBF | - | | 4308 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 45a (TC) | 10V | 48mohm @ 26a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4560 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||
 | IPI80P04P4L04AKSA1 | - | | 6076 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI80P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000840198 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 40 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 176 NC @ 10 V | +5V, -16V | 3800 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
| IRFSL4229PBF | - | | 1257 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567750 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 45a (TC) | 10V | 48mohm @ 26a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4560 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||
 | SPU04N60C3BKMA1 | - | | 6382 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Spu04n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||
| IRF540NSPBF | - | | 5013 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 33A (TC) | 10V | 44mohm @ 16A, 10V | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 1960 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||
| IRF6215L | - | | 2023 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF6215L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFH5406TRPBF | - | | 6841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IRFH5406 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 V | 11a (TA), 40a (TC) | 10V | 14.4mohm @ 24a, 10v | 4V @ 50 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1256 pf @ 25 V | - | 3.6W (TA), 46W (TC) | ||||||||||||||||
| IRFS31N20DTRL | - | | 7106 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 31a (TC) | 10V | 82mohm @ 18a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2370 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||
| Irfz48nstrlpbf | 1.9200 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 64a (TC) | 10V | 14mohm @ 32a, 10v | 4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 1970 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 130W (TC) | ||||||||||||||||
 | IPSA70R360P7SAKMA1 | 1.3000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPSA70 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 V | 12.5a (TC) | 10V | 360mohm @ 3a, 10v | 3.5V @ 150 µA | 16.4 NC @ 400 V | ± 16V | 517 pf @ 400 V | - | 59.5W (TC) | ||||||||||||||||
| Ipd16cne8n g | - | | 1936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD16C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 85 V | 53A (TC) | 10V | 16mohm @ 53a, 10v | 4V @ 61 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 40 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | 3.8000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLS3036 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11210 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||
| IRF3709SPBF | - | | 6297 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||
| Irfz44zs | - | | 7856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz44zs | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 51a (TC) | 10V | 13.9mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1420 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||
| Spp20n60s5 | - | | 1909 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp20n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 13a, 10v | 5.5V @ 1MA | 103 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||
 | IPAN65R650CEXKSA1 | 1.4200 | | 9218 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Ipan65 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 10.1a (TC) | 10V | 650mohm @ 2.1a, 10v | 3.5V @ 210 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||
| IRF9Z24NSTRLPBF | - | | 6294 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z24 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 55 V | 12a (TC) | 10V | 175mohm @ 7.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||
| IRLR8503 | - | | 3891 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLR8503 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 44a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||||||||||||
| Auirfs4610 | - | | 6402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001522872 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 73a (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 3550 pf @ 50 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||
 | Bar6402ele6327xtma1 | 0.4100 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | 0402 (1006 Métrica) | Bar6402 | PG-TSLP-2-19 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 mA | 250 MW | 0.35pf @ 20V, 1MHz | PIN - Single | 150V | 1.35ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||
| IRFR3706TRPBF | - | | 1712 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 75A (TC) | 2.8V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2410 pf @ 10 V | - | 88W (TC) |
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