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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR024NPBF | - |  | 4239 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 4V, 10V | 65mohm @ 10a, 10v | 2V @ 250 µA | 15 NC @ 5 V | ± 16V | 480 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDK06G65C5XTMA1 | - | | 5484 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IDK06G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000930848 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.8 V @ 6 A | 0 ns | 1.1 Ma @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI100N04S303MATMA1 | - | | 8664 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | IPI100 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000381620 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB34CN10NGATMA1 | - | | 7110 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB34C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 27a (TC) | 10V | 34mohm @ 27a, 10v | 4V @ 29 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1570 pf @ 50 V | - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PC40F | - | | 5124 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PC40 | Estándar | 160 W | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4PC40F | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480v, 27a, 10ohm, 15V | - | 600 V | 49 A | 200 A | 1.7V @ 15V, 27A | 370 µJ (Encendido), 1.81MJ (apagado) | 100 NC | 26ns/240ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU6215 | - | | 6729 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu6215 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB640 | 1.0000 | | 8265 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU80R3K3P7AKMA1 | 0.9000 | | 5249 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU80R3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 800 V | 1.9a (TC) | 10V | 3.3ohm @ 590mA, 10V | 3.5V @ 30 µA | 5.8 NC @ 10 V | ± 20V | 120 pf @ 500 V | - | 18W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH8202TRPBF | 1.8200 | | 5114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRFH8202 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 V | 47a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1.05mohm @ 50A, 10V | 2.35V @ 150 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 7174 pf @ 13 V | - | 3.6W (TA), 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD570N18KOFXPSA1 | 311.5650 | | 1048 | 0.00000000 | Infineon Technologies | TD | Banda | Activo | 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 1.8 kV | 1.05 ka | 2 V | 20000A @ 50Hz | 250 Ma | 566 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp15n60c3xksa1 | 4.7300 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp15n60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9.4a, 10V | 3.9V @ 675 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1660 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW90R340C3FKSA1 | - | | 5223 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW90R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 900 V | 15A (TC) | 10V | 340mohm @ 9.2a, 10v | 3.5V @ 1MA | 94 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R660CFDATMA1 | 0.8193 | | 5263 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R660 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 6a (TC) | 10V | 660mohm @ 2.1a, 10v | 4.5V @ 200 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 615 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS1602LE6327XTMA1 | 0.0558 | | 5229 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | Sod-882 | BAS1602 | Estándar | PG-TSLP-2-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR4104TRR | - | | 2833 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPT60R050G7XTMA1 | 11.8500 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ G7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT60R050 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 44a (TC) | 10V | 50mohm @ 15.9a, 10v | 4V @ 800 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 pf @ 400 V | - | 245W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bdp949h6327xtsa1 | 0.5094 | | 3114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BDP949 | 5 W | PG-SOT223-4-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847SE6327BTSA1 | - | | 6528 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDL06G65C5XUMA2 | 2.9300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-Powertsfn | IDL06G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-VSON-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 110 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 190pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfs4115trl | 4.6267 | | 8432 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirfs4115 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518088 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 99a (TC) | 10V | 12.1mohm @ 62a, 10v | 5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5270 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AuIRF7647S2TR | 2.6600 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SC | Auirf7647 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sc | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 100 V | 5.9a (TA), 24a (TC) | 10V | 31mohm @ 14a, 10v | 5V @ 50 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 910 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfn8403tr | - | | 7640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRFN8403 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 95A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 50A, 10V | 3.9V @ 100 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 3174 pf @ 25 V | - | 4.3W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ100N06LS3GATMA1 | 1.1600 | | 121 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | BSZ100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 11a (TA), 20a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 23 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 30 V | - | 2.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS4321TRL7PP | 2.8400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IRFS4321 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 86a (TC) | 10V | 14.7mohm @ 34a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4460 pf @ 50 V | - | 350W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | 7.0000 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R125 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 16A, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 179L3 E6327 | - | | 4721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | BCR 179 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFI1310NPBF | 2.4000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Irfi1310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 24a (TC) | 10V | 36mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TT142N14KOFHPSA1 | - | | 9003 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT142N | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 8 | 200 MA | 1.4 kV | 2 V | 4800A @ 50Hz | 150 Ma | 142 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFP420H6433 | 0.1800 | | 80 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 210MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 21db | 4.5V | 60mera | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IQFH39N04NM6ATMA1 | 3.6300 | | 1425 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 448-IQFH39N04NM6ATMA1TR | 3.000 |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
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