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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS316NL6327HTSA1 | - |  | 8612 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.4a (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 1.4a, 10v | 2V @ 3.7 µA | 0.6 NC @ 5 V | ± 20V | 94 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||
 | Irfz44nstrlpbf | 1.7300 | | 25 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfz44 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 49a (TC) | 10V | 17.5mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1470 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | |||||||||||
 | IPP90N04S402AKSA1 | - | | 5012 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP90N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 90a, 10v | 4V @ 95 µA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 9430 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||
 | BG3123RH6327XTSA1 | - | | 8524 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BG3123 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25 Ma, 20 Ma | 14 MA | - | 25db | 1.8db | 5 V | |||||||||||||||
 | IRLMS1503TRPBF | 0.6500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | IRLMS1503 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro6 ™ (TSOP-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.2a (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2.2a, 10V | 1V @ 250 µA | 9.6 NC @ 10 V | ± 20V | 210 pf @ 25 V | - | 1.7w (TA) | |||||||||||
| SPP42N03S2L-13 | - | | 9757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp42n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Spp42n03s2l-13in | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 12.9mohm @ 21a, 10v | 2V @ 37 µA | 30.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1130 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||
 | IPD80N04S306ATMA1 | 0.9041 | | 1307 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD80N04 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10v | 4V @ 52 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||
| IRFR4105ZPBF | - | | 4835 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||
 | IPC50R045CPX1SA1 | - | | 6579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | IPC50 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000236099 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF1010EZPBF | 1.6800 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF1010 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 51a, 10v | 4V @ 100 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2810 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||
 | IPA60R450E6XKSA1 | - | | 2039 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 100 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||
 | IRF8714TRPBF | 0.7000 | | 2270 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF8714 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 14a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1020 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
| IRF7809AVTRPBF | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7809 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 13.3a (TA) | 4.5V | 9mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 62 NC @ 5 V | ± 12V | 3780 pf @ 16 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
 | IRF6623TRPBF | 2.3700 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico st | IRF6623 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ st | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 16A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1360 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
 | IRF5803TRPBF | 0.6500 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | IRF5803 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro6 ™ (TSOP-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 3.4a (TA) | 4.5V, 10V | 112mohm @ 3.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 25 V | - | 2W (TA) | |||||||||||
 | PTFA192001EV4R250XTMA1 | - | | 3993 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | H-36260-2 | PTFA192001 | 1.99 GHz | Ldmos | H-36260-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10 µA | 1.8 A | 50W | 15.9dB | - | 30 V | ||||||||||||||||
| IPP052N06L3GHKSA1 | - | | 9518 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP052M | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000453616 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 58 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 8400 pf @ 30 V | - | 115W (TC) | |||||||||||
| IRLR3802TRLPBF | - | | 5022 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 84a (TC) | 2.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 15a, 4.5V | 1.9V @ 250 µA | 41 NC @ 5 V | ± 12V | 2490 pf @ 6 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||
| IPW65F6048A | - | | 1472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSB280N15NZ3GXUMA1 | 1.3572 | | 5254 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | BSB280 | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 150 V | 9A (TA), 30A (TC) | 10V | 28mohm @ 30a, 10v | 4V @ 60 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 75 V | - | 2.8W (TA), 57W (TC) | |||||||||||
| Si3443DVTR | - | | 3705 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro6 ™ (TSOP-6) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.4a (TA) | 65mohm @ 4.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | 1079 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||
| BSO4410T | - | | 4097 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11.1a (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 11.1a, 10v | 2V @ 42 µA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1280 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
| SPD50N03S2-07 | - | | 9554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD50N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 10V | 7.3mohm @ 50A, 10V | 4V @ 85 µA | 46.5 NC @ 10 V | ± 20V | 2170 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||
| IPB60R099P7ATMA1 | 5.0500 | | 1589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R099 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 31a (TC) | 10V | 99mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 530 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1952 pf @ 400 V | - | 117W (TC) | |||||||||||
| Auirfr2407 | - | | 1923 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001520320 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 75 V | 42a (TC) | 10V | 26mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||
| SIPC69N65C3X1SA1 | - | | 7421 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Sipc69 | - | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | SP000437778 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9024NTRLPBF | 1.1000 | | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 55 V | 11a (TC) | 10V | 175mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||
| IRL520NSTRR | - | | 6939 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4V, 10V | 180mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||
 | IPI80N06S3L-05 | - | | 9580 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 5V, 10V | 4.8mohm @ 69a, 10v | 2.2V @ 115 µA | 273 NC @ 10 V | ± 16V | 13060 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | ||||||||||||
| 94-2310 | - | | 6206 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 94-2310 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 5 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 79W (TC) |
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