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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TD280N18SOFHPSA1 Infineon Technologies TD280N18SOFHPSA1 109.0700
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 130 ° C Monte del Chasis Módulo TD280N18 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 150 Ma 1.8 kV 520 A 2 V 9000A @ 50Hz 150 Ma 280 A 1 scr, 1 diodo
IPS12CN10LGBKMA1 Infineon Technologies IPS12CN10LGBKMA1 -
RFQ
 ECAD 2495 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS12C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 69a (TC) 4.5V, 10V 11.8mohm @ 69a, 10v 2.4V @ 83 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 50 V - 125W (TC)
FZ3600R12HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ3600R12HP4HOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ3600 19000 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único Zanja 1200 V 4930 A 2.05V @ 15V, 3600A 5 Ma No 225 NF @ 25 V
IRF7488TRPBF Infineon Technologies IRF7488TRPBF -
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 V 6.3a (TA) 10V 29mohm @ 3.8a, 10v 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IM240S6Y2BAKSA1 Infineon Technologies IM240S6Y2BAKSA1 -
RFQ
 ECAD 6093 0.00000000 Infineon Technologies IM240-M6 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 23 DIP (0.573 ", 14.55 mm) IGBT descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 15 Inversor de 3 fase 3 A 600 V 1900 VRMS
SPW15N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW15N60CFDFKSA1 -
RFQ
 ECAD 9495 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SPW15N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 650 V 13.4a (TC) 10V 330mohm @ 9.4a, 10V 5V @ 750 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 25 V - 156W (TC)
IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies IRF1310NSTRLPBF 2.5400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF1310 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 42a (TC) 10V 36mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 160W (TC)
IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1 0.8300
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN80R4 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 1.5a (TC) 10V 4.5ohm @ 400 mA, 10V 3.5V @ 20 µA 4 NC @ 10 V ± 20V 80 pf @ 500 V - 6W (TC)
T740N22TOFXPSA1 Infineon Technologies T740N22TOFXPSA1 192.7600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Apretar Do-200ab, B-PUK T740N22 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 9 300 mA 2.6 kV 1500 A 2.2 V 13000A @ 50Hz 250 Ma 745 A 1 SCR
TT425N12KOFHPSA2 Infineon Technologies TT425N12KOFHPSA2 343.3300
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT425N12 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 1.2 kV 800 A 1.5 V 14500A @ 50Hz 250 Ma 471 A 2 SCRS
IRLU120NPBF Infineon Technologies IRLU120NPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRLU120 Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 10a (TC) 4V, 10V 185mohm @ 6a, 10v 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 16V 440 pf @ 25 V - 48W (TC)
IRFI4020H-117P Infineon Technologies IRFI4020H-117P -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-5 paquete completo Irfi4020 Mosfet (Óxido de metal) 21W Un entero de 220-5 pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2 Canal N (Dual) 200V 9.1a 100mohm @ 5.5a, 10V 4.9V @ 100 µA 29NC @ 10V 1240pf @ 25V -
BCR162E6327 Infineon Technologies BCR162E6327 -
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR162 200 MW PG-SOT23-3-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 6,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
IRFR220NTR Infineon Technologies Irfr220ntr -
RFQ
 ECAD 5216 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR220 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 43W (TC)
DDB6U25N16VRBOMA1 Infineon Technologies Ddb6u25n16vrboma1 -
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 86 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 Inversor trifásico con freno - 1600 V 2.15V @ 15V, 15a 1 MA Si
BAT6402WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6402WH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, BAT64 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-80 BAT64 Schottky SCD-80 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 120 Ma 6pf @ 1v, 1 MHz
DD89N14KHPSA1 Infineon Technologies DD89N14KHPSA1 134.8400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD89N14 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1400 V 89A 1.5 V @ 300 A 20 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
BC846PNH6327XTSA1 Infineon Technologies Bc846pnh6327xtsa1 0.4100
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
DD350N12KKHPSA1 Infineon Technologies DD350N12KKHPSA1 -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1200 V 350A 1.28 V @ 1000 A 30 Ma @ 1200 V 150 ° C
SPU01N60C3 Infineon Technologies SPU01N60C3 0.4200
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 800 mA (TC) 10V 6ohm @ 500 mA, 10V 3.9V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 100 pf @ 25 V - 11W (TC)
SPA04N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA04N60C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa04n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 31W (TC)
IPI070N06N G Infineon Technologies IPI070N06N G -
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI070N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 7mohm @ 80a, 10v 4V @ 180 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 30 V - 250W (TC)
IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R750E6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R750 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 5.7a (TC) 10V 750mohm @ 2a, 10v 3.5V @ 170 µA 17.2 NC @ 10 V ± 20V 373 pf @ 100 V - 27W (TC)
T1901N80TOHXPSA1 Infineon Technologies T1901N80TOHXPSA1 4.0000
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200af T1901N80 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 350 Ma 8 kV 3300 A 2.5 V 67000A @ 50Hz 350 Ma 2930 A 1 SCR
T880N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T880N16TOFXPSA1 167.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK T880N16 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 300 mA 1.8 kV 1750 A 2.2 V 17500A @ 50Hz 250 Ma 880 A 1 SCR
IRF300P226 Infineon Technologies IRF300P226 9.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRF300 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 300 V 100A (TC) 10V 19mohm @ 45a, 10v 4V @ 270 µA 191 NC @ 10 V ± 20V 10030 pf @ 50 V - 556W (TC)
IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GXKSA1 3.0800
RFQ
 ECAD 3864 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP045 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 150 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies IRFH4251DTRPBF -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Infineon Technologies Fastirfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH4251 Mosfet (Óxido de metal) 31W, 63W PG-TISON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2-canal (dual), Schottky 25V 64a, 188a 3.2mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 35 µA 15NC @ 4.5V 1314pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
BCR133E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR133E6433HTMA1 0.0495
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
IRLR3114ZPBF Infineon Technologies IRLR3114ZPBF -
RFQ
 ECAD 8968 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568538 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10v 2.5V @ 100 µA 56 NC @ 4.5 V ± 16V 3810 pf @ 25 V - 140W (TC)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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AD9208BBPZ-3000

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