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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
IPB020N04NGATMA1	3.0800	RFQ	6	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	IPB020			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-7-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						40 V	140A (TC)	10V	2mohm @ 100a, 10v	4V @ 95 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	9700 pf @ 20 V	-	167W (TC)
IPB023N06N3GATMA1	-	RFQ	2239	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	IPB023N			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-7	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						60 V	140A (TC)	10V	2.3mohm @ 100a, 10V	4V @ 141 µA	198 NC @ 10 V	± 20V	16000 pf @ 30 V	-	214W (TC)
PTFA211801E V4	-	RFQ	2716	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	H-36260-2	PTFA211801		2.14 GHz	Ldmos		H-36260-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	35				10 µA		1.2 A	35W	15.5dB											-																	28 V
BAS28E6433HTMA1	0.1041	RFQ	5718	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BAS28			Estándar		PG-SOT-143-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																		2 Independientes	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	100 na @ 75 V	150 ° C (Máximo)
BAV 70S E6433	-	RFQ	5690	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BAV 70			Estándar		PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																		2 par Cátodo Común	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
Baw56ue6433htma1	0.1204	RFQ	3649	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	Baw56			Estándar		PG-SC74-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																		2 Par de Ánodo Común	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
BB639CE7908HTSA1	-	RFQ	3671	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BB639					PG-SOD323-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000																											2.75pf @ 28V, 1MHz										Soltero	30 V	15.3	C1/C28	-
BSD214SN L6327	-	RFQ	3793	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363				Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal						20 V	1.5a (TA)	2.5V, 4.5V	140mohm @ 1.5a, 4.5V	1.2V @ 3.7 µA	0.8 NC @ 5 V	± 12V	143 pf @ 10 V	-	500MW (TA)
BSD223P L6327	-	RFQ	1193	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BSD223			Mosfet (Óxido de metal)	250MW	PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)								20V	390 mm		1.2ohm @ 390mA, 4.5V	1.2V @ 1.5 µA	0.62NC @ 4.5V		56pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
BSO220N03MDGXUMA1	0.9300	RFQ	25	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO220			Mosfet (Óxido de metal)	1.4w	PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)								30V	6A		22mohm @ 7.7a, 10V	2.1V @ 250 µA	10nc @ 10V		800pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IPB147N03LGATMA1	-	RFQ	8730	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB147N			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						30 V	20A (TC)	4.5V, 10V	14.7mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	1000 pf @ 15 V	-	31W (TC)
IPB47N10SL26ATMA1	-	RFQ	2155	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB47N			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						100 V	47a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 33a, 10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	175W (TC)
IPD64CN10N G	-	RFQ	7195	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD64C			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal						100 V	17a (TC)	10V	64mohm @ 17a, 10v	4V @ 20 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	569 pf @ 50 V	-	44W (TC)
IPI086N10N3GXKSA1	1.6500	RFQ	4996	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI086			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						100 V	80a (TC)	6V, 10V	8.6mohm @ 73a, 10v	3.5V @ 75 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	3980 pf @ 50 V	-	125W (TC)
IPI08CN10N G	-	RFQ	2169	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI08C			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal						100 V	95A (TC)	10V	8.5mohm @ 95a, 10v	4V @ 130 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	6660 pf @ 50 V	-	167W (TC)
IRG7PH42UD-EP	-	RFQ	4986	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Irg7ph	Estándar			320 W	Un 247ad	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400					600V, 30a, 10ohm, 15V																			153 ns				Zanja	1200 V	85 A	90 A	2V @ 15V, 30a	2.11mj (Encendido), 1.18mj (apaguado)	157 NC	25ns/229ns
IRFH3702TRPBF	0.6500	RFQ	25	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRFH3702			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (3x3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						30 V	16A (TA), 42A (TC)	4.5V, 10V	7.1mohm @ 16a, 10v	2.35V @ 25 µA	14 NC @ 4.5 V	± 20V	1510 pf @ 15 V	-	2.8W (TA)
IRF8707GTRPBF	-	RFQ	8387	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	11.9mohm @ 11a, 10v	2.35V @ 25 µA	9.3 NC @ 4.5 V	± 20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IRF6645	-	RFQ	3784	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SJ				Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ sj	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal						100 V	5.7a (TA), 25a (TC)	10V	35mohm @ 5.7a, 10V	4.9V @ 50 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	890 pf @ 25 V	-	3W (TA), 42W (TC)
IRFH7911TRPBF	-	RFQ	1792	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	18-Powervqfn	IRFH7911			Mosfet (Óxido de metal)	2.4W, 3.4W	PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado	SP001577920	EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)								30V	13a, 28a		8.6mohm @ 12a, 10v	2.35V @ 25 µA	12NC @ 4.5V		1060pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRFHM830TRPBF	0.9300	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRFHM830			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN-Dual (3.3x3.3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						30 V	21a (TA), 40a (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10v	2.35V @ 50 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	2155 pf @ 25 V	-	2.7W (TA), 37W (TC)
Irf9388pbf	-	RFQ	4439	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001563814	EAR99	8541.29.0095	95			Canal P						30 V	12a (TA)	10V, 20V	8.5mohm @ 12a, 20V	2.4V @ 25 µA	52 NC @ 10 V	± 25V	1680 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IRFH5010TRPBF	-	RFQ	3710	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRFH5010			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal						100 V	13A (TA), 100A (TC)	10V	9mohm @ 50A, 10V	4V @ 150 µA	98 NC @ 10 V	± 20V	4340 pf @ 25 V	-	3.6W (TA), 250W (TC)
IRFR540ZTRRPBF	-	RFQ	1043	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001557092	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						100 V	35A (TC)	10V	28.5mohm @ 21a, 10v	4V @ 50 µA	59 NC @ 10 V	± 20V	1690 pf @ 25 V	-	91W (TC)
IRLR3717TRPBF	-	RFQ	8867	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001569116	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						20 V	120a (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 15a, 10v	2.45V @ 250 µA	31 NC @ 4.5 V	± 20V	2830 pf @ 10 V	-	89W (TC)
IRLR2905ZTRLPBF	-	RFQ	9723	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						55 V	42a (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 36a, 10v	3V @ 250 µA	35 NC @ 5 V	± 16V	1570 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRFR1010ZTRLPBF	0.7149	RFQ	8864	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1010			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001564960	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						55 V	42a (TC)	10V	7.5mohm @ 42a, 10V	4V @ 100 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2840 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRLR7843TRLPBF	1.6200	RFQ	38	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR7843			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						30 V	161a (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10v	2.3V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 20V	4380 pf @ 15 V	-	140W (TC)
IRFR3710ZTRRPBF	-	RFQ	5763	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001567124	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						100 V	42a (TC)	10V	18mohm @ 33a, 10v	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	2930 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRLR7833CTRLPBF	-	RFQ	9565	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						30 V	140A (TA)	4.5V, 10V	-	-		± 20V		-	140W (TC)