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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Número de Scr, diodos | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR3714PBF | - |  | 5691 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001578840 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRFS3307ZTRRPBF | 2.9100 | | 800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS3307 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 5.8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IRL3103D1 | - | | 8867 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3103D1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 64a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 34a, 10v | 1V @ 250 µA | 43 NC @ 4.5 V | ± 16V | 1900 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRF9Z34NPBF | 1.1600 | | 85 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 55 V | 19a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BSC060N10NS3GATMA1 | 2.9900 | | 2129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC060 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 14.9A (TA), 90A (TC) | 6V, 10V | 6mohm @ 50a, 10v | 3.5V @ 90 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | T2001N34TOFXPSA1 | - | | 4305 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Un 200af | T2001N | Soltero | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000091273 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 350 Ma | 3.6 kV | 29900 A | 2.5 V | 44000A @ 50Hz | 350 Ma | 1900 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7815TRPBF | 1.3600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7815 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 150 V | 5.1a (TA) | 10V | 43mohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 100 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1647 pf @ 75 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
| 64-4051 | - | | 2039 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.9 NC @ 5 V | ± 16V | 380 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IRF7707 | - | | 9685 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P | 20 V | 7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 22mohm @ 7a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 47 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2361 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | IPS65R950C6AKMA1 | 1.1100 | | 150 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPS65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 328 pf @ 100 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRF6218StrlpBF | - | | 7475 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 150 V | 27a (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2210 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRF1503LPBF | - | | 4051 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF1503 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF1503LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 5730 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRF3515S | - | | 5185 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 V | 41a (TC) | 10V | 45mohm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250 µA | 107 NC @ 10 V | ± 30V | 2260 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRFS5615TRLPBF | - | | 4541 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 33A (TC) | 10V | 42mohm @ 21a, 10v | 5V @ 100 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1750 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRL1404ZS | - | | 9339 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 75a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 110 NC @ 5 V | ± 16V | 5080 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Auirf7416qtr | - | | 8954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 2.04V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
| Irfz24nstrr | - | | 2864 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF3707Z | - | | 4157 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF3707Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1210 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRFR18N15DTR | - | | 4188 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 18a (TC) | 10V | 125mohm @ 11a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 30V | 900 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRF7324D1TR | - | | 1902 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.7V, 4.5V | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 7.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 260 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | IRFU5305 | - | | 6024 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFU5305 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 55 V | 31a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | Bg3430re6327htsa1 | - | | 9214 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25 Ma | 14 MA | - | 25db | 1.3db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||
 | IPB60R040C7ATMA1 | 13.6500 | | 7269 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | IPB60R040 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 50A (TC) | 10V | 40mohm @ 24.9a, 10V | 4V @ 1.24mA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPS65R650Ceakma1 | - | | 4275 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPS65R650 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 700 V | 10.1a (TC) | 10V | 650mohm @ 2.1a, 10v | 3.5V @ 210 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | PTFA190451EV4XWSA1 | - | | 7446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | H-36265-2 | PTFA190451 | 1.96 GHz | Ldmos | H-36265-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 10 µA | 450 Ma | 11W | 17.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| IRLR2705TRLPBF | 0.9700 | | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR2705 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 28a (TC) | 4V, 10V | 40mohm @ 17a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | T920N06TOFXPSA1 | 179.9175 | | 2347 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 140 ° C | Apretar | DO-200AA, A-PUK | T920N06 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 200 MA | 600 V | 1500 A | 2 V | 13500A @ 50Hz | 200 MA | 925 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||
 | IPA65R225C7XKSA1 | 3.0200 | | 25 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA65R225 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 996 pf @ 400 V | - | 29W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Irfb4710pbf | 3.0500 | | 9148 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB4710 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 75A (TC) | 10V | 14mohm @ 45a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 6160 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRFR13N15DTR | - | | 8000 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 14a (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 86W (TC) |
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