RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IPP052NE7N3GXKSA1	2.9400	RFQ	6	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP052		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				75 V	80a (TC)	10V	5.2mohm @ 80a, 10v	3.8V @ 91 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	4750 pf @ 37.5 V	-	150W (TC)
IRF640NSPBF	-	RFQ	1663	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				200 V	18a (TC)	10V	150mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	1160 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IPB77N06S212ATMA2	-	RFQ	4092	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB77N06		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				55 V	77a (TC)	10V	11.7mohm @ 38a, 10v	4V @ 93 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	158W (TC)
IPB80N06S3L-05	-	RFQ	5388	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				55 V	80a (TC)	5V, 10V	4.5mohm @ 69a, 10v	2.2V @ 115 µA	273 NC @ 10 V	± 16V	13060 pf @ 25 V	-	165W (TC)
IRFR5305TRPBF	-	RFQ	4473	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001573302	EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P				55 V	31a (TC)	10V	65mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	110W (TC)
STT1900N16P55XPSA1	476.1600	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	STT1900				Controlador de 1 fase: TODOS SCRS			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA													1.6 kV		2 V	17000A @ 50Hz	200 MA											2 SCRS
IRF6644	-	RFQ	2829	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MN			Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ mn	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	SP001574786	EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal				100 V	10.3a (TA), 60a (TC)	10V	13mohm @ 10.3a, 10v	4.8V @ 150 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	2210 pf @ 25 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
Auirgs4062d1trl	-	RFQ	6005	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirgs4062	Estándar		246 W			D²pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800					400V, 24a, 10ohm, 15V																						102 ns						Zanja	600 V	59 A	72 A	1.77v @ 15V, 24a	532 µJ (Encendido), 311 µJ (apaguado)	77 NC	19ns/90ns
D901S45T	-	RFQ	2357	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Monte del Chasis	Do-200ad	D901S45		Estándar				-	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP000091324	EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						4500 V		3.5 V @ 2500 A		250 mA @ 4500 V	-40 ° C ~ 125 ° C	1225A	-
Auirlr2703	-	RFQ	1727	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001523052	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal				30 V	20A (TC)	4.5V, 10V	45mohm @ 14a, 10v	1V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IPDD60R045CFD7XTMA1	11.6200	RFQ	7552	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 10-PowerSop	IPDD60		Mosfet (Óxido de metal)				PG-HDSOP-10-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.700			N-canal				600 V	61a (TC)		45mohm @ 18a, 10v	4.5V @ 900 µA	79 NC @ 10 V	± 20V	3194 pf @ 400 V	-	379W (TC)
BAS28E6327HTSA1	0.4900	RFQ	12	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BAS28		Estándar				PG-SOT-143-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																					2 Independientes	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	100 na @ 75 V	150 ° C (Máximo)
BSM25GB120DN2	34.7300	RFQ	23	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				200 W		Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	9	Medio puente																																-	1200 V	38 A		3V @ 15V, 25A				800 µA	No	1.65 NF @ 25 V
T1851N70TOHXPSA1	3.0000	RFQ	3380	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Un 200af	T1851N70				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2				350 Ma													7 kV	2880 A	2.5 V	50000A @ 50Hz	350 Ma	1830 A										1 SCR
BAW56SE6327BTSA1	-	RFQ	8150	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	Baw56		Estándar				PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																					2 Par de Ánodo Común	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
IRF6668TRPBF	2.1200	RFQ	5	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MZ	IRF6668		Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ mz	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal				80 V	55A (TC)	10V	15mohm @ 12a, 10v	4.9V @ 100 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRLBA1304P	-	RFQ	5106	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 273AA			Mosfet (Óxido de metal)				Super-220 ™ (To-273AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLBA1304P	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				40 V	185A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 110a, 10v	1V @ 250 µA	140 NC @ 4.5 V	± 16V	7660 pf @ 25 V	-	300W (TC)
SPD30N08S2-22	-	RFQ	3504	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD30N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				75 V	30A (TC)	10V	21.5mohm @ 25A, 10V	4V @ 80 µA	57 NC @ 10 V	± 20V	1950 pf @ 25 V	-	136W (TC)
Auirfr2607ztrl	-	RFQ	8483	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirfr2607		Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001518630	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal				75 V	42a (TC)	10V	22mohm @ 30a, 10v	4V @ 50 µA	51 NC @ 10 V	± 20V	1440 pf @ 25 V	-	110W (TC)
BSP88E6327	-	RFQ	7910	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT223-4	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				240 V	350MA (TA)	2.8V, 4.5V	6ohm @ 350mA, 10V	1.4V @ 108 µA	6.8 NC @ 10 V	± 20V	95 pf @ 25 V	-	1.7w (TA)
BSC030N03LSGATMA1	1.1800	RFQ	24	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC030		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal				30 V	23a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	3mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	4300 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 69W (TC)
D1481N68TXPSA1	-	RFQ	7464	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		Apretar	DO-200AC, K-PUK	D1481N68		Estándar				-	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						6800 V		1.8 V @ 2500 A		50 Ma @ 6800 V	-40 ° C ~ 160 ° C	2200A	-
SPD14N06S2-80	-	RFQ	1611	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD14N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				55 V	17a (TC)	10V	80mohm @ 7a, 10v	4V @ 14 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 25 V	-	30W (TC)
BFR360FH6327XTSA1	0.5000	RFQ	68	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-723	BFR360			210MW			PG-TSFP-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						15.5dB																												9V	35mA									NPN	90 @ 15 Ma, 3V	14GHz	1DB @ 1.8GHz
ISP650P06NMXTSA1	1.5500	RFQ	3863	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	ISP650		Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			Canal P				60 V	3.7a (TA)	10V	65mohm @ 3.7a, 10v	4V @ 1.037MA	39 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 30 V	-	1.8W (TA), 4.2W (TC)
IPB80R290C3AATMA1	-	RFQ	9854	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				IPB80R							descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000
IPD30N06S4L23ATMA1	-	RFQ	8219	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD30N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				60 V	30A (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 10 µA	21 NC @ 10 V	± 16V	1560 pf @ 25 V	-	36W (TC)
IRFR3303TRL	-	RFQ	1036	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	= 94-4737	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal				30 V	33A (TC)	10V	31mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 25 V	-	57W (TC)
IRF7603TR	-	RFQ	3677	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal				30 V	5.6a (TA)		35mohm @ 3.7a, 10v	1V @ 250 µA	27 NC @ 10 V		520 pf @ 25 V	-
IRF8721GPBF	-	RFQ	4300	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001555790	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal				30 V	14a (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 14a, 10v	2.35V @ 25 µA	12 NC @ 4.5 V	± 20V	1040 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)