SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Resistencia @ if, f Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
IPI100N04S4H2AKSA1 Infineon Technologies IPI100N04S4H2AKSA1 -
RFQ
ECAD 3147 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 100a, 10v 4V @ 70 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 7180 pf @ 25 V - 115W (TC)
IRF8010SPBF Infineon Technologies IRF8010SPBF -
RFQ
ECAD 5468 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 15mohm @ 45a, 10V 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 3830 pf @ 25 V - 260W (TC)
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI037N08N3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI037N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 80 V 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8110 pf @ 40 V - 214W (TC)
BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies Bsc0702lsatma1 1.7400
RFQ
ECAD 1330 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0702 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 49 µA 30 NC @ 4.5 V ± 20V 4400 pf @ 30 V Estándar 83W (TC)
IRF7752TR Infineon Technologies IRF7752TR -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) IRF775 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 4.6a 30mohm @ 4.6a, 10V 2V @ 250 µA 9NC @ 4.5V 861pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
AUIRFR3607 Infineon Technologies Auirfr3607 -
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr3607 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521766 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 56a (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10v 4V @ 100 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3070 pf @ 50 V - 140W (TC)
IRFR4104TRRPBF Infineon Technologies IRFR4104TRPBF -
RFQ
ECAD 1464 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR4104 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPB060N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB060N15N5ATMA1 7.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 136a (TC) 8V, 10V 6mohm @ 68a, 10v 4.6V @ 180 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 75 V - 250W (TC)
IRGP4790-EPBF Infineon Technologies IRGP4790-EPBF -
RFQ
ECAD 4407 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 455 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001549734 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 75a, 10ohm, 15V - 650 V 140 A 225 A 2V @ 15V, 75a 2.5MJ (Encendido), 2.2MJ (apagado) 210 NC 50ns/200ns
SPI20N60CFD Infineon Technologies SPI20N60CFD 1.9300
RFQ
ECAD 168 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 168 N-canal 600 V 20.7a (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 208W (TC)
IPA80R1K4P7 Infineon Technologies IPA80R1K4P7 -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 PACK STOTO descascar 0000.00.0000 1 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 70 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 500 V - 24W (TC)
SPA15N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA15N65C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa15n65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 280mohm @ 9.4a, 10V 3.9V @ 675 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 34W (TC)
SIPC03S2N03LX3MA1 Infineon Technologies SIPC03S2N03LX3MA1 0.3144
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños SIPC03 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000014961 0000.00.0000 5,000
AUIRF3415 Infineon Technologies Auirf3415 -
RFQ
ECAD 5883 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516548 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 200W (TC)
AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies AIMDQ75R060M1HXUMA1 9.3056
RFQ
ECAD 1250 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-AMDQ75R060M1HXUMA1TR 750
BGR420H6327 Infineon Technologies BGR420H6327 0.1700
RFQ
ECAD 222 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 120MW PG-SOT343-4-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 26dB 13V 25 Ma NPN - - 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
IPI08CN10N G Infineon Technologies IPI08CN10N G -
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI08C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 95A (TC) 10V 8.5mohm @ 95a, 10v 4V @ 130 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 6660 pf @ 50 V - 167W (TC)
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R900P7SATMA1 0.7800
RFQ
ECAD 7992 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN70R900 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60 µA 6.8 NC @ 10 V ± 16V 211 pf @ 400 V - 6.5W (TC)
IRAM256-2067A2 Infineon Technologies IRAM256-2067A2 -
RFQ
ECAD 5436 0.00000000 Infineon Technologies iMotion ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero 29 Módulo de Powerssip, 21 cables, formados de cables IGBT descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 80 3 fase 20 A 600 V 2000 VRMS
BAS7004E6327 Infineon Technologies BAS7004E6327 0.0800
RFQ
ECAD 8739 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS7004 Schottky PG-SOT23 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo)
T4003NH52TOHMOLIXPSA1 Infineon Technologies T4003NH52TMOLIXPSA1 -
RFQ
ECAD 1600 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo 120 ° C (TJ) Monte del Chasis Un 200af T4003NH52 BG-T17240L-1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 100 mA 5.2 kV 5340 A 105000A @ 50Hz 1.8 V 4990 A Recuperación
AUIRLR3915TRL Infineon Technologies Auirlr3915trl -
RFQ
ECAD 4634 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520744 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 30A (TC) 14mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 92 NC @ 10 V 1870 pf @ 25 V - 120W (TC)
BAT15-05WH6327XTSA3 Infineon Technologies BAT15-05WH6327XTSA3 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 PG-SOT323-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000 110 Ma 100 MW 0.5pf @ 0V, 1MHz Schottky - 1 par Cátodo Común 4v 5.5ohm @ 50 mm, 1 MHz
T660N26TOFXPSA1 Infineon Technologies T660N26TOFXPSA1 229.2333
RFQ
ECAD 2053 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Apretar Do-200ab, B-PUK T660N26 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 300 mA 2.6 kV 1500 A 2.2 V 13000A @ 50Hz 250 Ma 660 A 1 SCR
IPU075N03L G Infineon Technologies IPU075N03L G -
RFQ
ECAD 2445 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ipu075n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 15 V - 47W (TC)
IRF6631TR1PBF Infineon Technologies IRF6631TR1PBF -
RFQ
ECAD 6794 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 13A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 13a, 10v 2.35V @ 25 µA 18 NC @ 4.5 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BB 565-02V E7902 Infineon Technologies BB 565-02V E7902 -
RFQ
ECAD 2422 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BB 565 PG-SC79-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 2.2pf @ 28V, 1MHz Soltero 30 V 11 C1/C28 -
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS119L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 2.3V @ 50 µA 2.5 NC @ 10 V ± 20V 78 pf @ 25 V - 360MW (TA)
BFP 182W H6327 Infineon Technologies BFP 182W H6327 0.0700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 250MW PG-SOT343-4 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 22dB 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF7103PBF Infineon Technologies IRF7103PBF -
RFQ
ECAD 9067 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal N (Dual) 50V 3A 130mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 30NC @ 10V 290pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

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    Volumen de RFQ promedio diario

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