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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIPC26N60CFDX1SA1 | - |  | 7916 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Caja | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000015120 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc858be6433htma1 | 0.0489 | | 8440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4266D-EPBF | - | | 4468 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 455 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 75a, 10ohm, 15V | 170 ns | - | 650 V | 140 A | 300 A | 2.1V @ 15V, 75a | 2.5MJ (Encendido), 2.2MJ (apagado) | 210 NC | 50ns/200ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD22N08S2L50ATMA1 | 1.3000 | | 5376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD22N08 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 75 V | 27a (TC) | 5V, 10V | 50mohm @ 50A, 10V | 2V @ 31 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 630 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF9332TRPBF | 0.8000 | | 469 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF9332 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 9.8a (TA) | 4.5V, 10V | 17.5mohm @ 9.8a, 10v | 2.4V @ 25 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV74E6327 | 0.0200 | | 4900 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV74 | Estándar | To-236ab | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 215MA (DC) | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7455PBF | - | | 6364 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 2.8V, 10V | 7.5mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 56 NC @ 5 V | ± 12V | 3480 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICA32V07X1SA1 | - | | 6989 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000960548 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM200GB170DLCHOSA1 | - | | 8298 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primestack ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | BSM200 | 1660 W | Estándar | Módulo | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Medio puente | - | 1700 V | 400 A | 3.2V @ 15V, 200a | 5 Ma | No | 15 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF540Z | - | | 8503 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF540Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGP20N65H5XKSA1 | 2.7600 | | 7029 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IGP20N65 | Estándar | 125 W | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 10a, 32ohm, 15V | - | 650 V | 42 A | 60 A | 2.1V @ 15V, 20a | 170 µJ (Encendido), 60 µJ (apaguado) | 48 NC | 18ns/156ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC120NB | - | | 9144 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC120NB | Obsoleto | 1 | - | 100 V | 9.4a | - | 210mohm @ 9.4a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR1010ZTRLPBF | 0.7149 | | 8864 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001564960 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3717 | - | | 10000 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 20 V | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 33 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2890 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bfp720h6327xtsa1 | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP720 | 100MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10.5dB ~ 28.5dB | 4.7V | 25 Ma | NPN | 160 @ 13MA, 3V | 45 GHz | 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7503TR | - | | 8846 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7503 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 2.4a | 135mohm @ 1.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 210pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDW10G65C5FKSA1 | - | | 8089 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IDW10G65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 400 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 300pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS28E6433HTMA1 | 0.1041 | | 5718 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BAS28 | Estándar | PG-SOT-143-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 80 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF150R12W1H3FB11BOMA1 | 58.5000 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | DF150 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 24 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL314PEH6327XTSA1 | - | | 3466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL314 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 1.5a | 140mohm @ 1.5a, 10v | 2V @ 6.3 µA | 2.9nc @ 10V | 294pf @ 15V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | 90.3700 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | FF33MR12 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 30 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bc856ue6327htsa1 | 0.1250 | | 3350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | BC856 | 250MW | PG-SC74-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC120N03MSGATMA1 | 0.6600 | | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 11a (TA), 39A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKW75N65EL5XKSA1 | 9.2400 | | 1735 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKW75N65 | Estándar | 536 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75a, 4ohm, 15V | 114 ns | - | 650 V | 80 A | 300 A | 1.35V @ 15V, 75a | 1.61MJ (Encendido), 3.2mj (apaguado) | 436 NC | 40ns/275ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSC010NE2LSATMA1 | 1.7200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC010 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 39A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 12 V | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3715ZCSPBF | - | | 7149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CHIPT0110L3E6762SX2XA1 | - | | 3653 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | La Última Vez Que Compre | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001155730 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC050N0LSG | 1.0000 | | 8581 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR133WE6327 | - | | 7553 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | BCR133 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R360P7 | - | | 7911 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 |
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