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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FP75R12N2T7B16BPSA1 | 179.6900 |  | 8397 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 1.55V @ 15V, 75a | 14 µA | Si | 15.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6619 | 2.6500 | | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mx | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 30A (TA), 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 30a, 10V | 2.45V @ 250 µA | 57 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5040 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| F475R12KS4BPSA1 | 194.0000 | | 1500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F475R12 | 500 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 100 A | 3.75V @ 15V, 75a | 5 Ma | Si | 5.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC072N025S G | - | | 8721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 15A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 40a, 10V | 2V @ 30 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 2230 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLSL4030PBF | 4.5600 | | 7490 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRLSL4030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11360 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD25DP06NMATMA1 | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD25DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 6.5a (TC) | 10V | 250mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 270 µA | 10.6 NC @ 10 V | ± 20V | 420 pf @ 30 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6610TR1 | - | | 5039 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SQ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sq | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 20 V | 15A (TA), 66A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1520 pf @ 10 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bfp780h6327xtsa1 | - | | 4004 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP780 | 600MW | PG-SOT343-4-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 27dB | 6.1V | 120 Ma | NPN | 85 @ 90mA, 5V | 900MHz | 1.2db ~ 2.4db @ 900MHz ~ 3.5GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR 740L3 E6327 | - | | 6012 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | BFR 740 | 160MW | PG-TSLP-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 24db | 4.7V | 30mera | NPN | 160 @ 25mA, 3V | 42 GHz | 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLU8203PBF | - | | 2653 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLU8203PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2430 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3808StrrPBF | - | | 9626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570154 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 106a (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 5310 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bby5705we6327htsa1 | - | | 9109 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BBY57 | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.5pf @ 4V, 1 MHz | 1 par Cátodo Común | 10 V | 4.5 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IQFH99N06NM5ATMA1 | 2.4512 | | 1165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP50R12N2T7PB11BPSA1 | 145.8300 | | 3919 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico con freno | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 50 A | 1.8V @ 15V, 50A | 10 µA | Si | 11.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKQ120N60TAXKSA1 | - | | 2136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKQ120n | Estándar | 833 W | PG-TO247-3-46 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 120a, 3ohm, 15V | 280 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 160 A | 480 A | 2V @ 15V, 120a | 4.1MJ (Encendido), 2.8MJ (apaguado) | 772 NC | 33ns/310ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| F450R12KS4BPSA1 | 134.5400 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F450R12 | 355 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | - | 1200 V | 70 A | 3.75V @ 15V, 50A | 5 Ma | Si | 3.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BBY5702WH6327XTSA1 | - | | 9474 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-80 | BBY57 | SCD-80 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 5.5pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 10 V | 4.5 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMT65R048M1HXUMA1 | 14.7100 | | 6980 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-HSOF-8-1 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650 V | - | 18V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI180N10N3GXKSA1 | 1.0571 | | 7182 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI180 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 43a (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 33a, 10v | 3.5V @ 33 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 50 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3704ZTRPBF | - | | 9353 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1190 pf @ 10 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfu1010z | - | | 5339 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | - | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001516086 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | - | 42a (TC) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM75GAL120DN2HOSA1 | - | | 5287 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Bsm75gal120 | 625 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Interruptor Único | - | 1200 V | 105 A | 3V @ 15V, 75a | 1.4 Ma | No | 5.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirf3805s | - | | 9188 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518016 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 160A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 290 NC @ 10 V | ± 20V | 7960 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5L015ATMA1 | 1.2811 | | 3054 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-43 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 235a (TJ) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 60a, 10v | 2.2V @ 94 µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 8193 pf @ 30 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM100GD120DN2BDLA1 | - | | 5687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM100 | 680 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Puente completo | - | 1200 V | 150 A | 3V @ 15V, 100A | 2 MA | No | 6.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3315Strl | - | | 4426 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 21a (TC) | 10V | 82mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD200N15N3GBTMA1 | - | | 2157 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD200N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 50A (TC) | 8V, 10V | 20mohm @ 50a, 10v | 4V @ 90 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 75 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTS282ZE3180AATMA2 | 6.7900 | | 7958 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | BTS282 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 49 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 36a, 10v | 2V @ 240 µA | 232 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | Diodo de Deteca de Temperatura | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfr8401 | - | | 4370 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR8401 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 50 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FF600R12KE3NOSA1 | - | | 8344 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF600R12 | 2800 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Independientes | - | 1200 V | 850 A | 2.15V @ 15V, 600A | 5 Ma | No |
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