SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRLR8113TRPBF Infineon Technologies IRLR8113TRPBF -
RFQ
 ECAD 8614 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 94a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 250 µA 32 NC @ 4.5 V ± 20V 2920 pf @ 15 V - 89W (TC)
BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS138NH643333TMA1 0.3900
RFQ
 ECAD 5592 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 230 mA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 230 mm, 10V 1.4V @ 26 µA 1.4 NC @ 10 V ± 20V 41 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IGW40N60TPXKSA1 Infineon Technologies IGW40N60TPXKSA1 3.2500
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW40N60 Estándar 246 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10.1ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 67 A 120 A 1.8V @ 15V, 40A 1.06mj (Encendido), 610 µJ (apaguado) 177 NC 18ns/222ns
IPB136N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB136N08N3GATMA1 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 45a (TC) 6V, 10V 13.9mohm @ 45a, 10v 3.5V @ 33 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1730 pf @ 40 V - 79W (TC)
FF500R17KE4BOSA1 Infineon Technologies FF500R17KE4BOSA1 389.6700
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF500R17 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1700 V 500 A 2.3V @ 15V, 500A 1 MA No 45 NF @ 25 V
IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1 0.8300
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN80R4 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 1.5a (TC) 10V 4.5ohm @ 400 mA, 10V 3.5V @ 20 µA 4 NC @ 10 V ± 20V 80 pf @ 500 V - 6W (TC)
IPP60R520C6 Infineon Technologies IPP60R520C6 -
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 8.1A (TC) 10V 520mohm @ 2.8a, 10V 3.5V @ 230 µA 23.4 NC @ 10 V ± 20V 512 pf @ 100 V - 29W (TC)
IPB09N03LA G Infineon Technologies IPB09N03LA G -
RFQ
 ECAD 7350 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB09N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
IRF7210PBF Infineon Technologies IRF7210PBF -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554134 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 12 V 16a (TA) 2.5V, 4.5V 7mohm @ 16a, 4.5V 600mV @ 500 µA (min) 212 NC @ 5 V ± 12V 17179 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
BCR 164F E6327 Infineon Technologies BCR 164F E6327 -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie Sot-723 BCR 164 250 MW PG-TSFP-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 kohms 10 kohms
IPP881NE7NGXKSA1 Infineon Technologies IPP881NE7NGXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7046 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Alcanzar sin afectado Obsoleto 1
IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP126N10N3GXKSA1 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP126 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 58a (TC) 6V, 10V 12.3mohm @ 46a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 94W (TC)
PX8244HDMG008XTMA1 Infineon Technologies Px8244hdmg008xtma1 -
RFQ
 ECAD 6730 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto PX8244HD descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado Obsoleto 1
AUIRF7313QTR Infineon Technologies Auirf7313qtr 2.4100
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AuIRF7313 Mosfet (Óxido de metal) 2.4w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a 29mohm @ 6.9a, 10v 3V @ 250 µA 33NC @ 10V 755pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IPS60R360PFD7SAKMA1 Infineon Technologies IPS60R360PFD7SAKMA1 1.4100
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ PFD7 Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPS60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 10a (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 140 µA 12.7 NC @ 10 V ± 20V 534 pf @ 400 V - 43W (TC)
IRFR3711PBF Infineon Technologies IRFR3711PBF -
RFQ
 ECAD 4764 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001552178 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
SPD30N03S2L07GBTMA1 Infineon Technologies SPD30N03S2L07GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10v 2V @ 85 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies BSC040N10NS5SCATMA1 3.9800
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN BSC040 Mosfet (Óxido de metal) PG-WSON-8-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-BSC040N10NS5SCATMA1CT EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 140A (TC) 6V, 10V 4mohm @ 50a, 10v 3.8V @ 95 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 50 V - 3W (TA), 167W (TC)
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R180P7SAUMA1 1.8000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10v 4V @ 280 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1081 pf @ 400 V - 72W (TC)
64-4112PBF Infineon Technologies 64-4112pbf -
RFQ
 ECAD 1719 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 -
IRL2910STRL Infineon Technologies IRL2910Strl -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 55A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 29a, 10v 2V @ 250 µA 140 NC @ 5 V ± 16V 3700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPAW60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies IPAW60R360P7SXKSA1 1.4600
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ipaw60 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 45 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 555 pf @ 400 V - 22W (TC)
SPP04N50C3XKSA1 Infineon Technologies Spp04n50c3xksa1 -
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp04n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000681022 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 560 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 25 V - 50W (TC)
IPB60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R280CFD7ATMA1 2.8500
RFQ
 ECAD 9606 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R280 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 280mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 180 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 807 pf @ 400 V - 51W (TC)
SPD02N50C3BTMA1 Infineon Technologies SPD02N50C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD02N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-311 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 80 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 190 pf @ 25 V - 25W (TC)
IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon Technologies IAUA180N08S5N026AUMA1 3.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-Powersfn Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-5-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 180A (TJ) 6V, 10V 2.6mohm @ 90a, 10v 3.8V @ 100 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 5980 pf @ 40 V - 179W (TC)
IRF7704TR Infineon Technologies IRF7704TR -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 40 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 46mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 4.5 V ± 20V 3150 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
IM323S6GXKMA1 Infineon Technologies IM323S6GXKMA1 9.9800
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Módulo de 26 Poderos (1.043 ", 26.50 mm) IGBT IM323S6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 240 Inversor de 3 fase 6 A 600 V 2000 VRMS
D400N22BVFXPSA1 Infineon Technologies D400N22BVFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AA, DO-8, Semento D400n Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2200 V 40 mA @ 2200 V -40 ° C ~ 180 ° C 450A -
IDB18E120ATMA1 Infineon Technologies IDB18E120ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7113 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IDB18 Estándar PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.15 V @ 18 A 195 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 31A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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