SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IPD90N06S4-07ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S4-07ATMA2 -
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD90 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 - No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 90A (TC) 10V 6.9mohm @ 90a, 10v 4V @ 40 µA 56 NC @ 10 V ± 20V - 79W (TC)
IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB055N08NF2SATMA1 1.8400
RFQ
ECAD 782 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB055N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V 94a (TC) 6V, 10V 5.5mohm @ 60a, 10v 3.8V @ 55 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 40 V - 107W (TC)
BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies Bsc0501nsiatma1 1.5500
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0501 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 29a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 2.5W (TA), 50W (TC)
BSM75GP60BOSA1 Infineon Technologies BSM75GP60BOSA1 -
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo Bsm75g 310 W Rectificador de Puente Trifásico Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico - 600 V 100 A 2.45V @ 15V, 75a 500 µA Si 3.3 NF @ 25 V
F3L75R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies F3L75R12W1H3B27BOMA1 67.1700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo F3L75R12 275 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico - 1200 V 45 A 1.7V @ 15V, 30a 1 MA Si 4.4 NF @ 25 V
IPP60R280E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280E6XKSA1 -
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R280 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10v 3.5V @ 430 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
IMBG65R030M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R030M1HXTMA1 19.3500
RFQ
ECAD 6254 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA IMBG65 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO263-7-12 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IMBG65R030M1HXTMA1CT EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 63A (TC) 18V 42mohm @ 29.5a, 18V 5.7V @ 8.8MA 49 NC @ 18 V +23V, -5V 1643 pf @ 400 V - 234W (TC)
AUIRF3205 Infineon Technologies AuIRF3205 3.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 AuIRF3205 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519502 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 8mohm @ 62a, 10v 4V @ 250 µA 146 NC @ 10 V ± 20V 3247 pf @ 25 V - 200W (TC)
SPU07N60S5IN Infineon Technologies SPU07N60S5IN -
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
IPD10N03LA Infineon Technologies IPD10N03LA -
RFQ
ECAD 9907 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD10N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1358 pf @ 15 V - 52W (TC)
IRFSL7787PBF Infineon Technologies IRFSL7787PBF -
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL7787 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 76a (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 46a, 10v 3.7V @ 100 µA 109 NC @ 10 V ± 20V 4020 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPP65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R420CFDXKSA2 2.4600
RFQ
ECAD 3173 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R420 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 300 µA 31.5 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
TD92N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TD92N14KOFHPSA1 -
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 130 ° C Monte del Chasis Módulo TD92N Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 15 200 MA 1.4 kV 160 A 1.4 V 2050a @ 50Hz 120 Ma 104 A 1 scr, 1 diodo
IRF1404ZSTRRPBF Infineon Technologies IRF1404ZSTRRPBF -
RFQ
ECAD 1027 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 180A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10v 4V @ 150 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 25 V - 200W (TC)
IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA2 9.8000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10v 4.5V @ 200 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 400 V - 171W (TC)
IRF830PBF Infineon Technologies IRF830PBF -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF830 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 610 pf @ 25 V - 74W (TC)
IPP045N10N3G Infineon Technologies IPP045N10N3G -
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 - 0000.00.0000 1 N-canal 100 V 137a (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 150 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD075N03LGATMA1 0.7100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD075 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 15 V - 47W (TC)
BC856AE6327 Infineon Technologies BC856AE6327 0.0200
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 330 MW PG-SOT23-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF2807ZSTRRPBF Infineon Technologies IRF2807ZSTRRPBF -
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001563194 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 75A (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3270 pf @ 25 V - 170W (TC)
IPA60R280P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies IPA60R280P7SE8228XKSA1 0.9364
RFQ
ECAD 2050 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R280 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 280mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 190 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 761 pf @ 400 V - 24W (TC)
BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies Bsc0902nsatma1 1.2100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0902 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 24a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R065C7XKSA1 9.8000
RFQ
ECAD 975 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10v 4V @ 850 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 400 V - 171W (TC)
IRF3707ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF3707ZSTRLPBF -
RFQ
ECAD 1882 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001563142 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 25 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 57W (TC)
SPP15N60CFDHKSA1 Infineon Technologies Spp15n60cfdhksa1 -
RFQ
ECAD 6208 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp15n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 13.4a (TC) 10V 330mohm @ 9.4a, 10V 5V @ 750 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 25 V - 156W (TC)
PTFA082201FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA082201FV4R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 4684 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA082201 894MHz Ldmos H-37260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 1.95 A 220W 18dB - 30 V
IRFB5620PBF Infineon Technologies IRFB5620PBF 3.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB5620 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001565852 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 25A (TC) 10V 72.5mohm @ 15a, 10v 5V @ 100 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 50 V - 144W (TC)
BSP135IXTSA1 Infineon Technologies Bsp135ixtsa1 1.0300
RFQ
ECAD 981 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 1V @ 94 µA 3.7 NC @ 5 V ± 20V 98 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
AUIRFS3107TRL Infineon Technologies Auirfs3107trl 6.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs3107 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 195a (TC) 10V 3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9370 pf @ 50 V - 370W (TC)
PTFA191001F V4 Infineon Technologies PTFA191001F V4 -
RFQ
ECAD 5728 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA191001 1.96 GHz Ldmos H-37248-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 10 µA 900 mA 44dbm 17dB - 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock