SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BG 3230 E6327 Infineon Technologies BG 3230 E6327 -
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz Mosfet PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 6,000 2 Canal N (Dual) 25 Ma - 24db 1.3db 5 V
BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP125L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 120MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 2.3V @ 94 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BSP135L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7659 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 1V @ 94 µA 4.9 NC @ 5 V ± 20V 146 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.8w (TA)
BSP299 E6327 Infineon Technologies BSP299 E6327 -
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 400 mA (TA) 10V 4ohm @ 400mA, 10V 4V @ 1MA ± 20V 400 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BSS138W E6433 Infineon Technologies BSS138W E6433 -
RFQ
 ECAD 1565 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 280MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.4V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 43 pf @ 25 V - 500MW (TA)
BCR141E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR141E6327HTSA1 0.0517
RFQ
 ECAD 4863 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR141 250 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 130 MHz 22 kohms 22 kohms
SPB80N06S2L-05 Infineon Technologies SPB80N06S2L-05 -
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 7530 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies SPD15N06S2L-64 -
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD15N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 19a (TC) 4.5V, 10V 64mohm @ 8a, 10v 2V @ 14 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 445 pf @ 25 V - 47W (TC)
SPD26N06S2L-35 Infineon Technologies SPD26N06S2L-35 -
RFQ
 ECAD 4335 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD26N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 30A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 13a, 10v 2V @ 26 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 68W (TC)
SPD30N06S2L-13 Infineon Technologies SPD30N06S2L-13 -
RFQ
 ECAD 3269 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 30A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10v 2V @ 80 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 25 V - 136W (TC)
SPI16N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI16N50C3HKsa1 -
RFQ
 ECAD 5671 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi16n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 560 V 16a (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10v 3.9V @ 675 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 160W (TC)
SPI70N10L Infineon Technologies Spi70n10l -
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi70n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000014005 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 70A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 50a, 10v 2V @ 2mA 240 NC @ 10 V ± 20V 4540 pf @ 25 V - 250W (TC)
SPI80N08S2-07R Infineon Technologies SPI80N08S2-07R -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 7.3mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 5830 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPP100N08S2L-07 Infineon Technologies SPP100N08S2L-07 -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp100n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 75 V 100A (TC) 10V 6.8mohm @ 68a, 10v 2V @ 250 µA 246 NC @ 10 V ± 20V 7130 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPP10N10L Infineon Technologies Spp10n10l -
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp10n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 10.3a (TC) 4.5V, 10V 154mohm @ 8.1a, 10v 2V @ 21 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 444 pf @ 25 V - 50W (TC)
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spp11n60cfdxksa1 -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp11n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10v 5V @ 500 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
SPP80N04S2-04 Infineon Technologies SPP80N04S2-04 -
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6980 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPP80N06S2-09 Infineon Technologies SPP80N06S2-09 -
RFQ
 ECAD 6617 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 9.1mohm @ 50A, 10V 4V @ 125 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 3140 pf @ 25 V - 190W (TC)
SPU04N60S5BKMA1 Infineon Technologies SPU04N60S5BKMA1 -
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Spu04n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200 µA 22.9 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
SPW11N60S5FKSA1 Infineon Technologies SPW11N60S5FKSA1 -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SPW11N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 5.5V @ 500 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 1460 pf @ 25 V - 125W (TC)
SIDC05D60C6X1SA2 Infineon Technologies SIDC05D60C6X1SA2 -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC05 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.95 V @ 15 A 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A -
SIDC08D120H6X1SA1 Infineon Technologies SIDC08D120H6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 9701 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC08 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.6 v @ 10 a 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SIDC53D120H6X1SA3 Infineon Technologies SIDC53D120H6X1SA3 -
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir Sidc53d Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.6 V @ 100 A 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 100A -
SIPC06N60C3 Infineon Technologies SIPC06N60C3 -
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013362 EAR99 8541.29.0040 1
SIPC69N50C3X1SA2 Infineon Technologies SIPC69N50C3X1SA2 -
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo Sipc69 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0040 1
SN7002W E6433 Infineon Technologies SN7002W E6433 -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SN7002W Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 230 mA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 230mA, 10V 1.8V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 45 pf @ 25 V - 500MW (TA)
SPB04N60S5ATMA1 Infineon Technologies SPB04N60S5ATMA1 -
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB04N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200 µA 22.9 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies SPB100N03S2-03 G -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 100A (TC) 10V 3mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7020 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies SPB100N04S2L-03 -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 25 V - 300W (TC)
SPB21N10 G Infineon Technologies SPB21N10 G -
RFQ
 ECAD 1172 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB21N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 21a (TC) 10V 80mohm @ 15a, 10v 4V @ 44 µA 38.4 NC @ 10 V ± 20V 865 pf @ 25 V - 90W (TC)
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

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