SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF009N04NF2SATMA1 3.7200
RFQ
ECAD 774 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPF009 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-U02 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 49a (TA), 302a (TC) 6V, 10V 0.9mohm @ 100a, 10V 3.4V @ 249 µA 315 NC @ 10 V ± 20V 15000 pf @ 20 V - 3.8W (TA), 375W (TC)
BFR181WE6327 Infineon Technologies BFR181WE6327 -
RFQ
ECAD 4933 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 175MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 19dB 12V 20 Ma NPN 70 @ 5mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BSP297 E6327 Infineon Technologies BSP297 E6327 -
RFQ
ECAD 9285 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 660MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1.8V @ 400 µA 16.1 NC @ 10 V ± 20V 357 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IPD230N06LG Infineon Technologies IPD230N06LG -
RFQ
ECAD 2888 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 30A (TC) 23mohm @ 30a, 10v 2V @ 49 µA 42 NC @ 10 V 1500 pf @ 30 V -
BC847B-B5003 Infineon Technologies BC847B-B5003 0.0200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-11 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
94-4582 Infineon Technologies 94-4582 -
RFQ
ECAD 5405 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF5305 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 60mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
BC856BE6327 Infineon Technologies BC856BE6327 -
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 330 MW PG-SOT23-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 11,960 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFR5305TRL Infineon Technologies IRFR5305TRL -
RFQ
ECAD 2128 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557064 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRGP6690DPBF Infineon Technologies IRGP6690DPBF -
RFQ
ECAD 3112 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 483 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001533082 EAR99 8541.29.0095 400 400V, 75a, 10ohm, 15V 90 ns - 600 V 140 A 225 A 1.95V @ 15V, 75a 3.1MJ (Encendido), 2.8MJ (apaguado) 140 NC 85NS/222NS
FS150R12N3T4B80BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N3T4B80BPSA1 348.9700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Activo FS150R12 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10
FF4MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF4MR12KM1HPHPSA1 509.2150
RFQ
ECAD 3596 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo FF4MR12 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 8 -
IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies IPD70R950CEAUMA1 -
RFQ
ECAD 8270 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 7.4a (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 150 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 68W (TC)
IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD090N03LGATMA1 0.7900
RFQ
ECAD 97 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD090 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 15 V - 42W (TC)
BSS127IXTSA1 Infineon Technologies BSS127IXTSA1 0.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 V 21 Ma (TA) 4.5V, 10V 500ohm @ 16 Ma, 10v 2.6V @ 8 µA 0.65 NC @ 10 V ± 20V 21 pf @ 25 V - 500MW (TA)
IPP90R500C3XKSA1 Infineon Technologies IPP90R500C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 5579 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP90R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 900 V 11a (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 740 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 100 V - 156W (TC)
BSC094N03S G Infineon Technologies BSC094N03S G -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 14.6a (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 35a, 10v 2V @ 25 µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 52W (TC)
IRFR3709ZTRRPBF Infineon Technologies IRFR3709ZTRRPBF -
RFQ
ECAD 5452 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 86a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2330 pf @ 15 V - 79W (TC)
BTS282ZE3230 Infineon Technologies BTS282ZE3230 -
RFQ
ECAD 4727 0.00000000 Infineon Technologies Tempfet® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-7 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-7-12 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 19 N-canal 49 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 36a, 10v 2V @ 240 µA 232 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFZ48VSPBF Infineon Technologies IRFZ48VSPBF 1.0000
RFQ
ECAD 3688 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 72a (TC) 12mohm @ 43a, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V 1985 pf @ 25 V -
ISS06P011LXTSA1 Infineon Technologies ISS06P011LXTSA1 -
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto ISS06P - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001647734 Obsoleto 0000.00.0000 3.000
BAS7006E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS7006E6327HTSA1 0.3600
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS7006 Schottky PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo)
AUIRF1010EZS Infineon Technologies Auirf1010bs -
RFQ
ECAD 5532 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirf1010 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516450 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10v 4V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS50R12W1T7B11BOMA1 61.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C Monte del Chasis Módulo FS50R12 - Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 - - 1200 V 50 A - 7.9 µA No 11.1 NF @ 25 V
BAW56B5000 Infineon Technologies Baw56b5000 0.0200
RFQ
ECAD 364 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo Baw56 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 10,000
BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp843h6327xtsa1 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP843 125MW PG-SOT343-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 13.5db ~ 24.5db 2.25V 55mA NPN 150 @ 15 mm, 1.8v - 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
IRG7PH42UD1-EP Infineon Technologies IRG7PH42UD1-EP -
RFQ
ECAD 8818 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG7PH42 Estándar 313 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 600V, 30a, 10ohm, 15V Zanja 1200 V 85 A 200 A 2V @ 15V, 30a 1.21mj (apaguado) 180 NC -/270ns
IPP65R280E6 Infineon Technologies IPP65R280E6 -
RFQ
ECAD 2745 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 650 V 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 440 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
ACCESSORY30790NOSA1 Infineon Technologies Acesorio30790nosa1 -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Acesorio3 - Alcanzar sin afectado 448-accesory30790nosa1 EAR99 8542.39.0001 1
BAS40-05E6327 Infineon Technologies BAS40-05E6327 1.0000
RFQ
ECAD 4145 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky PG-SOT23-3-11 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 40 V 120 mA (DC) 1 V @ 40 Ma 1 µA @ 30 V 150 ° C
F4200R12N3H3FB11BPSA1 Infineon Technologies F4200R12N3H3FB11BPSA1 476.3700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Activo F4200R - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock