SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
SPP07N60CFDHKSA1 Infineon Technologies Spp07n60cfdhksa1 -
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 6.6a (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10V 5V @ 300 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies IKQ120N60TXKSA1 13.4300
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKQ120 Estándar 833 W PG-TO247-3-46 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 120a, 3ohm, 15V 241 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 160 A 480 A 2V @ 15V, 120a 6.2MJ (Encendido), 5.9mj (apaguado) 703 NC 50ns/565ns
BAV99E6327 Infineon Technologies BAV99E6327 -
RFQ
ECAD 1889 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 Estándar PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
SIDC02D60C8F1SA1 Infineon Technologies SIDC02D60C8F1SA1 -
RFQ
ECAD 8239 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie Morir SIDC02 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.95 v @ 6 a 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 6A -
ITS6035SEPKXUMA1 Infineon Technologies ITS6035SEPKXUMA1 1.9865
RFQ
ECAD 1342 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3.000
94-3449 Infineon Technologies 94-3449 -
RFQ
ECAD 7978 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7342 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRF7457 Infineon Technologies IRF7457 -
RFQ
ECAD 7643 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7457 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 20 V 15a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 3100 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IPB070N06L G Infineon Technologies IPB070N06L G -
RFQ
ECAD 5998 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB070N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10v 2V @ 150 µA 126 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 30 V - 214W (TC)
IPW60R180C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R180C7XKSA1 4.4800
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R180 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 180mohm @ 5.3a, 10v 4V @ 260 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1080 pf @ 400 V - 68W (TC)
IGA30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGA30N60H3XKSA1 -
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IGA30 Estándar 43 W PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400V, 30A, 10.5ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 18 A 120 A 2.4V @ 15V, 30a 1.17mj 165 NC 18ns/207ns
BSO4822T Infineon Technologies BSO4822T -
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12.7a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 12.7a, 10V 2V @ 55 µA 26.2 NC @ 5 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies IPD80R1K0CEATMA1 1.7400
RFQ
ECAD 3968 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD80R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 5.7a (TC) 10V 950mohm @ 3.6a, 10V 3.9V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 785 pf @ 100 V - 83W (TC)
IRF8306MTR1PBF Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF -
RFQ
ECAD 9727 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF8306 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico MX descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 23a (TA), 140a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 23a, 10v 2.35V @ 100 µA 38 NC @ 4.5 V ± 20V 4110 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 2.1W (TA), 75W (TC)
IRLML6401TR Infineon Technologies IRLML6401TR -
RFQ
ECAD 3029 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 4.3a (TA) 50mohm @ 4.3a, 4.5V 950MV @ 250 µA 15 NC @ 5 V 830 pf @ 10 V -
IRGS4615DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4615DTRRPBF -
RFQ
ECAD 3083 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 99 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001549926 EAR99 8541.29.0095 800 400V, 8a, 47ohm, 15V 60 ns - 600 V 23 a 24 A 1.85V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado) 19 NC 30ns/95ns
IPF04N03LA G Infineon Technologies IPF04N03LA G -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPF04N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-23 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 50A, 10V 2V @ 30 µA 41 NC @ 5 V ± 20V 5199 pf @ 15 V - 115W (TC)
IRFP150NPBF Infineon Technologies IRFP150NPBF 2.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP150 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 42a (TC) 10V 36mohm @ 23a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 160W (TC)
IRLMS6702TRPBF Infineon Technologies IRLMS6702TRPBF -
RFQ
ECAD 7010 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IRLMS6702 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 2.4a (TA) 2.7V, 4.5V 200mohm @ 1.6a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 8.8 NC @ 4.5 V ± 12V 210 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
IRFB41N15D Infineon Technologies Irfb41n15d -
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 41a (TC) 10V 45mohm @ 25A, 10V 5.5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2520 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRF3415SPBF Infineon Technologies IRF3415SPBF -
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
62-0063PBF Infineon Technologies 62-0063pbf -
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7476 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 12 V 15a (TA) 2.8V, 4.5V 8mohm @ 15a, 4.5V 1.9V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 12V 2550 pf @ 6 V - 2.5W (TA)
IRF7240PBF Infineon Technologies IRF7240PBF -
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554144 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 40 V 10.5a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10.5a, 10v 3V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 9250 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFSL7437TRLPBF Infineon Technologies IRFSL7437TRLPBF -
RFQ
ECAD 1293 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001567740 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 195a (TC) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10v 3.9V @ 150 µA 225 NC @ 10 V ± 20V 7330 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRF3707ZPBF Infineon Technologies IRF3707ZPBF -
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 25 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 57W (TC)
IRFS4115-7PPBF Infineon Technologies IRFS4115-7PPBF -
RFQ
ECAD 6891 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001567554 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 105A (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10v 5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 5320 pf @ 50 V - 380W (TC)
SIDC161D170HX1SA2 Infineon Technologies SIDC161D170HX1SA2 -
RFQ
ECAD 2743 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC161D Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1700 V 1.8 V @ 300 A 27 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
SN7002N E6327 Infineon Technologies SN7002N E6327 -
RFQ
ECAD 2267 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SN7002N Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 45 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IRF7201TRPBF Infineon Technologies IRF7201TRPBF 0.9200
RFQ
ECAD 1638 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7201 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 7.3a (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.3a, 10v 1V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
IPI80N04S403AKSA1 Infineon Technologies IPI80N04S403AKSA1 2.4800
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N04 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 53 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 5260 pf @ 25 V - 94W (TC)
IRF530NSTRRPBF Infineon Technologies Irf530nstrrpbf -
RFQ
ECAD 1377 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554040 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 17a (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock