SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IPC60R520E6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R520E6UNSAWNX6SA1 -
RFQ
ECAD 8984 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IPC60R - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000857794 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
AUIRFS4127 Infineon Technologies Auirfs4127 -
RFQ
ECAD 1727 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs4127 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 72a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 5380 pf @ 50 V - 375W (TC)
IRF7853TRPBF Infineon Technologies IRF7853TRPBF 1.4500
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7853 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 8.3a (TA) 10V 18mohm @ 8.3a, 10v 4.9V @ 100 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPP60R230P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R230P6XKSA1 -
RFQ
ECAD 1024 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 16.8a (TC) 10V 230mohm @ 6.4a, 10V 4.5V @ 530 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 100 V - 126W (TC)
2SD300C17A4HPSA1 Infineon Technologies 2SD300C17A4HPSA1 -
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1
BA595E6359HTMA1 Infineon Technologies BA595E6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 2971 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BA595 PG-SC79-2-1 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000 50 Ma 0.6pf @ 10V, 1 MHz PIN - Single 50V 7ohm @ 10mA, 100MHz
IPI50R350CP Infineon Technologies IPI50R350CP -
RFQ
ECAD 3112 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 550 V 10a (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1020 pf @ 100 V - 89W (TC)
SPB80N04S2-04 Infineon Technologies SPB80N04S2-04 -
RFQ
ECAD 6810 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.4mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6980 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFH5204TR2PBF Infineon Technologies IRFH5204TR2PBF -
RFQ
ECAD 8553 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vqfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 40 V 22a (TA), 100a (TC) 4.3mohm @ 50A, 10V 4V @ 100 µA 65 NC @ 10 V 2460 pf @ 25 V -
BCW60FFE6327 Infineon Technologies BCW60FFE6327 -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar EAR99 8541.21.0075 1 32 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
BSS126H6327XTSA1 Infineon Technologies BSS126H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6388 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 V 21 Ma (TA) 0V, 10V 500ohm @ 16 Ma, 10v 1.6V @ 8 µA 2.1 NC @ 5 V ± 20V 28 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 500MW (TA)
IPB09N03LAT Infineon Technologies IPB09N03LAT -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB09N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000016271 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
IRFB3206PBF Infineon Technologies IRFB3206PBF 2.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB3206 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6540 pf @ 50 V - 300W (TC)
IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies IMYH200R100M1HXKSA1 30.9700
RFQ
ECAD 1972 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Imyh200 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) PG-TO247-4-U04 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 2000 V 26a (TC) 15V, 18V 131mohm @ 10a, 18V 5.5V @ 6MA 55 NC @ 18 V +20V, -7V - 217W (TC)
T1700N16H75VTXPSA1 Infineon Technologies T1700N16H75VTXPSA1 352.9900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - - T1700N - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4 - -
AUIRF7316QTR Infineon Technologies Auirf7316qtr 2.9100
RFQ
ECAD 931 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AuIRF7316 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 30V - 58mohm @ 4.9a, 10v 3V @ 250 µA 34nc @ 10V 710pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FF1MR12KM1HP Infineon Technologies FF1MR12KM1HP -
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo FF1MR12 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 448-FF1MR12KM1HP EAR99 8541.29.0095 1 -
IPF010N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF010N06NF2SATMA1 4.2800
RFQ
ECAD 768 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPF010 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-U02 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 44a (TA), 293A (TC) 6V, 10V 1.05mohm @ 100a, 10v 3.3V @ 246 µA 305 NC @ 10 V ± 20V 13800 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 300W (TC)
PSDC217E3730833NOSA1 Infineon Technologies PSDC217E3730833NOSA1 -
RFQ
ECAD 3596 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto PSDC217 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
IRF7704TRPBF Infineon Technologies IRF7704TRPBF -
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 40 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 46mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 4.5 V ± 20V 3150 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
IRGIB6B60KDPBF-INF Infineon Technologies IRGIB6B60KDPBF-INF 1.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 38 W Paquete TO220 completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 480v, 16a, 23ohm, 15V 91 ns - 600 V 11 A 22 A 2.2V @ 15V, 5A 600 µJ (Encendido), 580 µJ (apagado) 18.2 NC 60ns/160ns
IRFH5104TRPBF Infineon Technologies IRFH5104TRPBF -
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vqfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001564192 EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 24a (TA), 100a (TC) 10V 3.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 100 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 3120 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 114W (TC)
BAS16WE6433HTMA1 Infineon Technologies BAS16WE6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 6165 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAS16 Estándar PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
BAR90098LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies Bar90098lrhe6327xtsa1 -
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) 4-xfdfn Bar90098lrhe PG-TSLP-4-7 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 100 mA 250 MW 0.35pf @ 1V, 1 MHz PIN - 2 Independiente 80V 800mohm @ 10 Ma, 100MHz
IPSA70R600CEAKMA1 Infineon Technologies IPSA70R600Ceakma1 0.4985
RFQ
ECAD 6662 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPSA70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 700 V 10.5a (TC) 10V 600mohm @ 1a, 10v 3.5V @ 210 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 474 pf @ 100 V - 86W (TC)
IGT40R070D1E8220ATMA1 Infineon Technologies IGT40R070D1E8220ATMA1 -
RFQ
ECAD 5167 0.00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IGT40R070 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 400 V 31a (TC) - - 1.6V @ 2.6mA ± 10V 382 pf @ 320 V - 125W (TC)
GATELEADWHBN661XXPSA1 Infineon Technologies Gateleadwhbn661xxpsa1 29.6100
RFQ
ECAD 9608 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - - Gateleadwhbn661 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - -
BAT240AE6433HTMA1 Infineon Technologies BAT240AE6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT240A Schottky PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 240 V 400 mA (DC) 900 MV @ 400 Ma 5 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo)
FZ2400R17HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ2400R17HP4HOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ2400 15500 W Estándar - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Interruptor Único - 1700 V 2400 A 2.25V @ 15V, 2.4ka 5 Ma No 195 NF @ 25 V
F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 132.1400
RFQ
ECAD 2551 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - - - F3L200 Estándar - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 18 Soltero - - No
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock