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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI80N04S403AKSA1 | 2.4800 |  | 4516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI80N04 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 53 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 5260 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLR2705TR | - | | 2287 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 28a (TC) | 4V, 10V | 40mohm @ 17a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFSL7437TRLPBF | - | | 1293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567740 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.8mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 150 µA | 225 NC @ 10 V | ± 20V | 7330 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7464PBF | - | | 2047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,085 | N-canal | 200 V | 1.2a (TA) | 10V | 730mohm @ 720 mm, 10v | 5.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 280 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3707ZPBF | - | | 2786 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 25 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1210 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIDC23D60E6X1SA5 | - | | 6867 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC23D | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPQC60T017S7XTMA1 | 11.5917 | | 2894 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IPQC60T017S7XTMA1TR | 750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD95R1K2P7ATMA1 | 1.6400 | | 2120 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD95R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 950 V | 6a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.7a, 10v | 3.5V @ 140 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 478 pf @ 400 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFI4019H-117PXKMA1 | 2.9900 | | 1269 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-5 Paqueto completamente, Pechos Formados | Irfi4019 | Mosfet (Óxido de metal) | 18W (TC) | Un entero de 220-5 pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 Canal N (Dual) | 150V | 8.7a (TC) | 95mohm @ 5.2a, 10V | 4.9V @ 50 µA | 20NC @ 10V | 810pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC883N03LS G | - | | 7853 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 34 V | 17A (TA), 98A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP100N08N3GHKSA1 | - | | 3358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000474188 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 80 V | 70A (TC) | 6V, 10V | 10mohm @ 46a, 10v | 3.5V @ 46 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 40 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC070N10LS5ATMA1 | 2.7000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC070 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 14a (TA), 79A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 2.3V @ 49 µA | 20 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2700 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FD800R33KL2C-K_B5 | - | | 9368 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKW40N120CH7XKSA1 | 9.4200 | | 4521 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKW40N120 | Estándar | 330 W | PG-TO247-3-U06 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 120 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 82 A | 160 A | 2.15V @ 15V, 40A | 1.69mj (Encendido), 920 µJ (apaguado) | 290 NC | 36NS/336NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB804SF2E6327HTSA1 | - | | 5862 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BB804 | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 47.5pf @ 2V, 1MHz | 1 par Cátodo Común | 18 V | 1.71 | C2/C8 | 200 @ 2v, 100mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR380L3E6327XTMA1 | 0.5400 | | 3975 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | BFR380 | 380MW | PG-TSLP-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 7.5dB ~ 16.5dB | 9V | 80mera | NPN | 90 @ 40mA, 3V | 14GHz | 0.5dB ~ 2.1db @ 1.8Ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL1004Strlpbf | - | | 3201 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL1004 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 78a, 10v | 1V @ 250 µA | 100 NC @ 4.5 V | ± 16V | 5330 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buz73hxksa1 | - | | 9624 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 7a (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRPBF | 1.1800 | | 22 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR540 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 10V | 28.5mohm @ 21a, 10v | 4V @ 50 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL211SPL6327 | - | | 5573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -P | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSOP6-6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 67mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.2V @ 25 µA | 12.4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 654 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD100N03S2L-04 | - | | 7936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-5, DPAK (4 cables + Pestaña), TO-252Ad | SPD100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-5-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 50A, 10V | 2V @ 100 µA | 89.7 NC @ 10 V | ± 20V | 3320 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW60B | 0.0400 | | 4286 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,000 | 32 V | 100 mA | 20NA | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 180 @ 2mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGLR60R190D1XUMA1 | 10.9800 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolgan ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Ganfet (Nitruro de Galio) | PG-TSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 600 V | 12.8a (TC) | - | - | 1.6V @ 960 µA | -10V | 157 pf @ 400 V | - | 55.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPU02N60C3 | - | | 4846 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG A 251-3-21 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 600 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 3.9V @ 80 µA | 12.5 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC80740B5003XT | - | | 1625 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ika10n60t | 1.0000 | | 5403 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 30 W | PG-TO20-3-31 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 10a, 23ohm, 15V | 115 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 11.7 A | 30 A | 2.05V @ 15V, 10a | 160 µJ (Encendido), 270 µJ (apaguado) | 62 NC | 12ns/215ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irf7241tr | - | | 1249 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q1522574 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 40 V | 6.2a (TA) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 6.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3220 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC69SN60C3X2SA1 | - | | 5909 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirlu3114z-701trl | 1.0800 | | 39 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-Aurirlu3114z-701trl-448 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 42a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 56 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3810 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4630DTRRPBF | - | | 5052 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 206 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001534256 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 18a, 22ohm, 15V | 100 ns | - | 600 V | 47 A | 54 A | 1.95V @ 15V, 18a | 95 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) | 35 NC | 40ns/105ns |
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