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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
BAV99E6327	-	RFQ	1889	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAV99		Estándar				PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																					Conexión de la Serie de 1 par	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
IRFC4127EB	-	RFQ	5240	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Obsoleto	-	Montaje en superficie	Morir			-				Morir	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1			-				200 V	76a (TA)	-	-	-		-		-	-
SIDC02D60C8F1SA1	-	RFQ	8239	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	Morir	SIDC02		Estándar				Morir	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						600 V		1.95 v @ 6 a		27 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	6A	-
T1410N06TOFXPSA1	190.1500	RFQ	7	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 140 ° C	Monte del Chasis	Do-200ab, B-PUK	T1410N06				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	9				300 mA													600 V	2500 A	1.5 V	23000A @ 50Hz	250 Ma	1490 A										1 SCR
ITS6035SEPKXUMA1	1.9865	RFQ	1342	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Activo											-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				3.000
94-3449	-	RFQ	7978	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7342		Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal P (Dual)						55V	3.4a		105mohm @ 3.4a, 10v	1V @ 250 µA	38nc @ 10V		690pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
Ika15n65et6xksa2	1.8400	RFQ	495	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Ika15n65	Estándar		45 W			PG-TO20-3-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50					400V, 11.5a, 47ohm, 15V																						69 ns						Parada de Campo de Trinchera	650 V	17 A	57.5 A	1.9V @ 15V, 11.5a	230 µJ (Encendido), 110 µJ (apaguado)	37 NC	30ns/117ns
IRF7457	-	RFQ	7643	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7457	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal				20 V	15a (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	42 NC @ 4.5 V	± 20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
IPB070N06L G	-	RFQ	5998	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB070N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				60 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 80a, 10v	2V @ 150 µA	126 NC @ 10 V	± 20V	4300 pf @ 30 V	-	214W (TC)
IPW60R180C7XKSA1	4.4800	RFQ	2080	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW60R180		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal				600 V	13a (TC)	10V	180mohm @ 5.3a, 10v	4V @ 260 µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1080 pf @ 400 V	-	68W (TC)
IRF6616TRPBF	-	RFQ	9620	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF6616		Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ mx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal				40 V	19a (TA), 106a (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 19a, 10v	2.25V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IGA30N60H3XKSA1	-	RFQ	7539	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IGA30	Estándar		43 W			PG-TO20-3-31	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500					400V, 30A, 10.5ohm, 15V																												Parada de Campo de Trinchera	600 V	18 A	120 A	2.4V @ 15V, 30a	1.17mj	165 NC	18ns/207ns
BSO4822T	-	RFQ	7757	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				30 V	12.7a (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 12.7a, 10V	2V @ 55 µA	26.2 NC @ 5 V	± 20V	1640 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irf7477tr	-	RFQ	5044	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95			N-canal				30 V	14a (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 14a, 10v	2.5V @ 250 µA	38 NC @ 4.5 V	± 20V	2710 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
BFP450	0.2200	RFQ	118	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.21.0075	1.385
Irf3711zl	-	RFQ	9758	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf3711zl	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal				20 V	92a (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 15a, 10v	2.45V @ 250 µA	24 NC @ 4.5 V	± 20V	2150 pf @ 10 V	-	79W (TC)
Ff600r17me4b11bosa1	-	RFQ	5337	Infineon Technologies	ECONODUAL ™ 3	Una granela	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF600R17					Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6	2 Independientes																																Parada de Campo de Trinchera	1700 V			2.3V @ 15V, 600A				1 MA	Si	48 NF @ 25 V
Irfz44estrl	-	RFQ	9649	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001552444	EAR99	8541.29.0095	800			N-canal				60 V	48a (TC)	10V	23mohm @ 29a, 10v	4V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1360 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPD80R1K0CEATMA1	1.7400	RFQ	3968	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD80R1		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				800 V	5.7a (TC)	10V	950mohm @ 3.6a, 10V	3.9V @ 250 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	785 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IRF7331TRPBF	-	RFQ	5449	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF733		Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)						20V	7A		30mohm @ 7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	20NC @ 4.5V		1340pf @ 16V	Puerta de Nivel Lógico
Bfp196we6327htsa1	-	RFQ	9547	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP196			700MW			PG-SOT343-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						12.5db ~ 19db																												12V	150 Ma									NPN	70 @ 50mA, 8V	7.5 GHz	1.3db ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IGT60R070D1ATMA1	-	RFQ	4321	Infineon Technologies	Coolgan ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-POWERSFN	IGT60R070		Ganfet (Nitruro de Galio)				PG-HSOF-8-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal				600 V	31a (TC)	-	-	1.6V @ 2.6mA		-10V	380 pf @ 400 V	-	125W (TC)
IRF8306MTR1PBF	-	RFQ	9727	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF8306		Mosfet (Óxido de metal)				DirectFet ™ Isométrico MX	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				30 V	23a (TA), 140a (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 23a, 10v	2.35V @ 100 µA	38 NC @ 4.5 V	± 20V	4110 pf @ 15 V	Diodo Schottky (Cuerpo)	2.1W (TA), 75W (TC)
Irfz46nlpbf	0.7733	RFQ	5563	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRFZ46		Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				55 V	53A (TC)	10V	16.5mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	1696 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 107W (TC)
IRLML6401TR	-	RFQ	3029	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Mosfet (Óxido de metal)				Micro3 ™/SOT-23	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P				12 V	4.3a (TA)		50mohm @ 4.3a, 4.5V	950MV @ 250 µA	15 NC @ 5 V		830 pf @ 10 V	-
BSL215CL6327HTSA1	-	RFQ	4596	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	BSL215		Mosfet (Óxido de metal)	500MW			PG-TSOP6-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Vecino del canal						20V	1.5a		140mohm @ 1.5a, 4.5V	1.2V @ 3.7 µA	0.73nc @ 4.5V		143pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
IRGS4615DTRRPBF	-	RFQ	3083	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		99 W			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001549926	EAR99	8541.29.0095	800					400V, 8a, 47ohm, 15V																						60 ns						-	600 V	23 a	24 A	1.85V @ 15V, 8a	70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado)	19 NC	30ns/95ns
IPF04N03LA G	-	RFQ	8559	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPF04N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-23	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal				25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 50A, 10V	2V @ 30 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	5199 pf @ 15 V	-	115W (TC)
IRFP150NPBF	2.5800	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP150		Mosfet (Óxido de metal)				To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25			N-canal				100 V	42a (TC)	10V	36mohm @ 23a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IRFS3006PBF	-	RFQ	6800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal				60 V	195a (TC)	10V	2.5mohm @ 170a, 10V	4V @ 250 µA	300 NC @ 10 V	± 20V	8970 pf @ 50 V	-	375W (TC)