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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPB12CNE8N G Infineon Technologies IPB12CNE8N G -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB12C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 85 V 67a (TC) 10V 12.9mohm @ 67a, 10v 4V @ 83 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 40 V - 125W (TC)
BFP450 Infineon Technologies BFP450 0.2200
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0075 1.385
BCR10PNH6730XTMA1 Infineon Technologies Bcr10pnh6730xtma1 -
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR10 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 kohms 10 kohms
AIHD06N60RFATMA1 Infineon Technologies Aihd06n60rfatma1 -
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Aihd06 Estándar 100 W PG-TO252-3-313 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001346850 EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 6a, 23ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 12 A 18 A 2.5V @ 15V, 6a 90 µJ (Encendido), 90 µJ (apaguado) 48 NC 8ns/105ns
IPW60R180C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R180C7XKSA1 4.4800
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R180 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 180mohm @ 5.3a, 10v 4V @ 260 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1080 pf @ 400 V - 68W (TC)
IRF6616TRPBF Infineon Technologies IRF6616TRPBF -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF6616 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 40 V 19a (TA), 106a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10v 2.25V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 3765 pf @ 20 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPW60R0706P Infineon Technologies IPW60R0706P -
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-IPW60R0706P-448 1
IRF6201TRPBF Infineon Technologies IRF6201TRPBF -
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 27a (TA) 2.5V, 4.5V 2.45mohm @ 27A, 4.5V 1.1V @ 100 µA 195 NC @ 4.5 V ± 12V 8555 pf @ 16 V - 2.5W (TA)
IRF3711ZL Infineon Technologies Irf3711zl -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf3711zl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 92a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 79W (TC)
ICA22V11X1SA1 Infineon Technologies ICA22V11X1SA1 -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001083682 Obsoleto 0000.00.0000 1
SPP07N60CFDHKSA1 Infineon Technologies Spp07n60cfdhksa1 -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 6.6a (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10V 5V @ 300 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
BSC022N03SG Infineon Technologies BSC022N03SG -
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 28a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50A, 10V 2V @ 110 µA 64 NC @ 5 V ± 20V 8290 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 104W (TC)
IRFZ44ESTRL Infineon Technologies Irfz44estrl -
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001552444 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 48a (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1360 pf @ 25 V - 110W (TC)
IKA15N65ET6XKSA2 Infineon Technologies Ika15n65et6xksa2 1.8400
RFQ
 ECAD 495 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ika15n65 Estándar 45 W PG-TO20-3-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 11.5a, 47ohm, 15V 69 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 17 A 57.5 A 1.9V @ 15V, 11.5a 230 µJ (Encendido), 110 µJ (apaguado) 37 NC 30ns/117ns
IRF3314STRR Infineon Technologies IRF3314STRR -
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V - 10V - - ± 20V - -
IRF3709ZSTRL Infineon Technologies Irf3709zstrl -
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2130 pf @ 15 V - 79W (TC)
IRFHM830DTR2PBF Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF -
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vqfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (3x3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 20A (TA), 40A (TC) 4.3mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 50 µA 27 NC @ 10 V 1797 pf @ 25 V -
IPB070N06L G Infineon Technologies IPB070N06L G -
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB070N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10v 2V @ 150 µA 126 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 30 V - 214W (TC)
MA13034801NDSA1 Infineon Technologies MA13034801NDSA1 -
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Alcanzar sin afectado 448-MA13034801NDSA1 EAR99 8541.29.0095 1
BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies Bsc0921ndiatma1 1.7400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0921 Mosfet (Óxido de metal) 1W PG-TISON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 17a, 31a 5mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 8.9nc @ 4.5V 1025pf @ 15V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
BC850BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC850BE6327HTSA1 0.0532
RFQ
 ECAD 2301 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies BSO615NGXUMA1 1.1700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101, SIPMOS® Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO615 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 2.6a 150mohm @ 2.6a, 4.5V 2V @ 20 µA 20NC @ 10V 380pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FF600R17ME4B11BOSA1 Infineon Technologies Ff600r17me4b11bosa1 -
RFQ
 ECAD 5337 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF600R17 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1700 V 2.3V @ 15V, 600A 1 MA Si 48 NF @ 25 V
IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies IKQ120N60TXKSA1 13.4300
RFQ
 ECAD 3847 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKQ120 Estándar 833 W PG-TO247-3-46 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 120a, 3ohm, 15V 241 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 160 A 480 A 2V @ 15V, 120a 6.2MJ (Encendido), 5.9mj (apaguado) 703 NC 50ns/565ns
IRF7458TRPBF Infineon Technologies IRF7458TRPBF 1.7000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7458 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 14a (TA) 10V, 16V 8mohm @ 14a, 16V 4V @ 250 µA 59 NC @ 10 V ± 30V 2410 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BAV99E6327 Infineon Technologies BAV99E6327 -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 Estándar PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
IRFC4127EB Infineon Technologies IRFC4127EB -
RFQ
 ECAD 5240 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir - Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - 200 V 76a (TA) - - - - - -
IFF300B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies IFF300B12ME4PB11BPSA1 232.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo IFF300 20 MW Estándar Ag-ECONOD-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 300 A 2.1V @ 15V, 300A 3 MA Si
IRF2907ZSPBF Infineon Technologies IRF2907ZSPBF -
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 160A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 270 NC @ 10 V ± 20V 7500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R078M2HXTMA1 7.3945
RFQ
 ECAD 6421 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IMBG120R078M2HXTMA1TR 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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