SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IM393M6FXKLA1 Infineon Technologies IM393M6FXKLA1 -
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 26 PowerSip, 22 cables, formados de cables IGBT IM393M6 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 540 Inversor de 3 fase 10 A 600 V 2000 VRMS
BSC035N10NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC035N10NS5ATMA1 3.6000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC035 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 50A, 10V 3.8V @ 115 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 6500 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 156W (TC)
FP100R12N2T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP100R12N2T7B11BPSA1 216.9100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 1.5V @ 15V, 100A 10 µA Si 21.7 NF @ 25 V
BSP615S2LHUMA1 Infineon Technologies BSP615S2LHUMA1 -
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000801002 EAR99 8541.29.0095 1,000 -
IPS65R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies IPS65R1K4C6AKMA1 -
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS65R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 20V 225 pf @ 100 V - 28W (TC)
IRLU3103PBF Infineon Technologies IRLU3103PBF -
RFQ
 ECAD 6476 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10v 1V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 16V 1600 pf @ 25 V - 107W (TC)
IRG8P40N120KD-EPBF Infineon Technologies IRG8P40N120KD-EPBF -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG8P Estándar 305 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001542136 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 25A, 10ohm, 15V 80 ns - 1200 V 60 A 75 A 2V @ 15V, 25A 1.6mj (Encendido), 1.8mj (apaguado) 240 NC 40ns/245ns
IPU07N03LA Infineon Technologies IPU07N03LA -
RFQ
 ECAD 4382 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU07N Mosfet (Óxido de metal) P-to251-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 30A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 40 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2653 pf @ 15 V - 83W (TC)
IRFR825PBF Infineon Technologies IRFR825PBF -
RFQ
 ECAD 9122 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557146 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 500 V 6a (TC) 10V 1.3ohm @ 3.7a, 10v 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1346 pf @ 25 V - 119W (TC)
IPB022N12NM6ATMA1 Infineon Technologies IPB022N12NM6ATMA1 3.5792
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IPB022N12NM6ATMA1TR 1,000
SIGC61T60NCX1SA3 Infineon Technologies SIGC61T60NCX1SA3 -
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC61T60 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 300V, 75a, 3ohm, 15V Escrutinio 600 V 75 A 225 A 2.5V @ 15V, 75a - 65ns/170ns
SIGC81T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC81T60SNCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 4051 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC81T60 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 100A, 3.3OHM, 15V Escrutinio 600 V 100 A 300 A 2.5V @ 15V, 100A - 65ns/450ns
IRLR3103PBF Infineon Technologies IRLR3103PBF -
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10v 1V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 16V 1600 pf @ 25 V - 107W (TC)
IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies Ika08n65h5xksa1 2.4000
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ika08n65 Estándar 31.2 W PG-to20-3-111 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 48OHM, 15V 40 ns - 650 V 10.8 A 24 A 2.1V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 30 µJ (apaguado) 22 NC 11ns/115ns
BAV70W Infineon Technologies BAV70W 0.0200
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAV70 Estándar Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 75 V 150 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
IPA50R520CP Infineon Technologies IPA50R520CP -
RFQ
 ECAD 5792 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 7.1a (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 100 V - 66W (TC)
PTAC240502FCV1XWSA1 Infineon Technologies PTAC240502FCV1XWSA1 -
RFQ
 ECAD 7767 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic 65 V Monte del Chasis H-37248-4 2.62GHz ~ 2.4GHz Ldmos H-37248-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001153422 EAR99 8541.29.0095 50 - 120 Ma 50W 14.2db - 28 V
IPD053N06N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD053N06N3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD053N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 90A (TC) 10V 5.3mohm @ 90a, 10v 4V @ 58 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 30 V - 115W (TC)
IRFR5410TR Infineon Technologies IRFR5410TR -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 13a (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 66W (TC)
SIPC26N60S5X1SA1 Infineon Technologies SIPC26N60S5X1SA1 -
RFQ
 ECAD 5869 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000272382 EAR99 8541.29.0040 1
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 198.2300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo F3L11MR12 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 18
D721S35TXPSA1 Infineon Technologies D721S35TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis DO-200AC, K-PUK D721S35 Estándar DO-200AC, K-PUK descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 3500 V 3.5 V @ 2500 A 140 mA @ 3500 V 125 ° C 1080a -
IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies IPU60R1K0Ceakma2 0.3733
RFQ
 ECAD 4643 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 4.3a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 130 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 61W (TC)
ITS6035SEPKXUMA1 Infineon Technologies ITS6035SEPKXUMA1 1.9865
RFQ
 ECAD 1342 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3.000
IRF7477TR Infineon Technologies Irf7477tr -
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 38 NC @ 4.5 V ± 20V 2710 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
94-3449 Infineon Technologies 94-3449 -
RFQ
 ECAD 7978 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7342 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRF7457 Infineon Technologies IRF7457 -
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7457 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 20 V 15a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 3100 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
94-3250 Infineon Technologies 94-3250 -
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MQ IRF6604 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mq descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 12a (TA), 49A (TC) 4.5V, 7V 11.5mohm @ 12a, 7v 2.1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 12V 2270 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 42W (TC)
T1410N06TOFXPSA1 Infineon Technologies T1410N06TOFXPSA1 190.1500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 140 ° C Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK T1410N06 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 9 300 mA 600 V 2500 A 1.5 V 23000A @ 50Hz 250 Ma 1490 A 1 SCR
BC80716E6327 Infineon Technologies BC80716E6327 0.0300
RFQ
 ECAD 432 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-11 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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