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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFHM8235TRPBF | - |  | 8216 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 V | 16a (TA) | 4.5V, 10V | 7.7mohm @ 20a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1040 pf @ 10 V | - | 3W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3803Strr | - | | 8470 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001550338 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 71a, 10V | 1V @ 250 µA | 140 NC @ 4.5 V | ± 16V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS7437TRL7PP | 2.5900 | | 117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IRFS7437 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 150 µA | 225 NC @ 10 V | ± 20V | 7437 pf @ 25 V | - | 231W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI80N04S303AKSA1 | - | | 7380 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 120 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 7300 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ICA32V06X1SA1 | - | | 5737 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000960546 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD390N18SOFHPSA1 | 121.0300 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Monte del Chasis | Módulo | TD390N18 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 150 Ma | 1.8 kV | 520 A | 2 V | 9500A @ 50Hz | 150 Ma | 380 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF1400R12IP4PBOSA1 | 733.5100 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF1400 | 1400000 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 1400 A | 2.05V @ 15V, 1400A | 5 Ma | Si | 82 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLI520N | - | | 5782 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLI520N | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 8.1A (TC) | 4V, 10V | 180mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS16E6433HTMA1 | 0.0369 | | 6202 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS50R12KT4B11BPSA1 | - | | 6469 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS50R12 | 280 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 50 A | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | Si | 2.8 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS100R12N2T4BPSA2 | 203.2973 | | 5065 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS100R12 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 MA | Si | 6.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUC60N06S5N074ATMA1 | 1.1600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-33 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 60A (TJ) | 7V, 10V | 7.4mohm @ 30a, 10v | 3.4V @ 19 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1461 pf @ 30 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT500N18KOFHPSA2 | 377.8400 | | 7553 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT500N18 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 1.8 kV | 900 A | 2.2 V | 17000A @ 50Hz | 250 Ma | 500 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGW50N65H5FKSA1 | 5.2200 | | 3818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IGW50N65 | Estándar | 305 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | - | 650 V | 80 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 520 µJ (Encendido), 180 µJ (apaguado) | 120 NC | 21ns/180ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS30B60KPBF | - | | 3821 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRGS30 | Estándar | 370 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 78 A | 120 A | 2.35V @ 15V, 30a | 350 µJ (Encendido), 825 µJ (apagado) | 102 NC | 46ns/185ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPN04N60S5 | - | | 1970 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Spn04n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 800 mA (TA) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 5.5V @ 200 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIDC08D60C6 | - | | 6306 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | SIDC08 | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000015029 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3205StrlPBF | 2.1600 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF3205 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 110A (TC) | 10V | 8mohm @ 62a, 10v | 4V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 3247 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bdp948h643333xtma1 | 0.5094 | | 3228 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BDP948 | 5 W | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200MA, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS340NWH6327XTSA1 | - | | 3549 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ 2 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 880MA (TA) | 4.5V, 10V | 400mohm @ 880 mA, 10V | 2V @ 1.6 µA | 0.7 NC @ 10 V | ± 20V | 41 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB018N10N5ATMA1 | 6.7800 | | 440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 | 144.5800 | | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | DF8MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW | Ag-Easy1b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 Canal | 1200V | 45a | 16.2mohm @ 50a, 18V | 5.15V @ 20MA | 149NC @ 18V | 4400pf @ 800V | CARBURO DE SILICIO (SIC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS670S2LH6433XTMA1 | 0.5100 | | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | BSS670 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 4.5V, 10V | ± 20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB020NE7N3GATMA1 | 6.9900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB020 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 2mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 273 µA | 206 NC @ 10 V | ± 20V | 14400 pf @ 37.5 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4RC10UDTRP | - | | 5247 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRG4RC10 | Estándar | 38 W | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001533544 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 480V, 5A, 100OHM, 15V | 28 ns | - | 600 V | 8.5 A | 34 A | 2.6V @ 15V, 5A | 140 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) | 15 NC | 40ns/87ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T700N18TOFXPSA1 | - | | 4853 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Do-200ab, B-PUK | T700N | Soltero | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 mA | 2.2 kV | 1500 A | 2.2 V | 13500A @ 50Hz | 250 Ma | 700 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TD305N16KOFHPSA1 | 191.5900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TD305N16 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.6 kV | 520 A | 2 V | 10500A @ 50Hz | 200 MA | 305 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU60R1K0Ceakma2 | 0.3733 | | 4643 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU60R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 600 V | 4.3a (TC) | 10V | 1ohm @ 1.5a, 10v | 3.5V @ 130 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 100 V | - | 61W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sgp02n60xksa1 | - | | 7403 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sgp02n | Estándar | 30 W | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 2A, 118OHM, 15V | Escrutinio | 600 V | 6 A | 12 A | 2.4V @ 15V, 2a | 64 µJ | 14 NC | 20ns/259ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MA13034801NDSA1 | - | | 3299 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 448-MA13034801NDSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 |
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