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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IPB80N04S403ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S403ATMA1 2.4800
RFQ
 ECAD 916 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.3mohm @ 80a, 10v 4V @ 53 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 5260 pf @ 25 V - 94W (TC)
IRL3713SPBF Infineon Technologies IRL3713SPBF -
RFQ
 ECAD 1689 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001558042 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 260a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 38a, 10v 2.5V @ 250 µA 110 NC @ 4.5 V ± 20V 5890 pf @ 15 V - 330W (TC)
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPS65R1K0Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS65R Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 4.3a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 200 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 37W (TC)
D820N28TXPSA1 Infineon Technologies D820N28TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis DO-200AA, A-PUK D820N28 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2800 V 1.25 V @ 750 A 40 Ma @ 2800 V -40 ° C ~ 180 ° C 820a -
IPW60R037CSFDXKSA1 Infineon Technologies IPW60R037CSFDXKSA1 11.7600
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 Infineon Technologies CFSD de Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R037 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 54a (TC) 10V 37mohm @ 32.6a, 10v 4.5V @ 1.63MA 136 NC @ 10 V ± 20V 5623 pf @ 400 V - 245W (TC)
IPF015N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPF015N10N5ATMA1 7.1200
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
PTFA210701EV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA210701EV4R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie H-36265-2 PTFA210701 2.14 GHz Ldmos H-36265-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 550 Ma 18W 16.5dB - 30 V
IPB120N04S404ATMA1 Infineon Technologies IPB120N04S404ATMA1 -
RFQ
 ECAD 5216 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 3.6mohm @ 100a, 10V 4V @ 40 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 25 V - 79W (TC)
IPD25DP06LMATMA1 Infineon Technologies IPD25DP06LMATMA1 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD25DP06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 6.5a (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 6.5a, 10V 2V @ 270 µA 13.8 NC @ 10 V ± 20V 420 pf @ 30 V - 28W (TC)
BF5020WE6327 Infineon Technologies BF5020we6327 0.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 8 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 - Mosfet PG-SOT343-4-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100na 10 Ma - 32db 1.2db 5 V
IRFB3806PBF Infineon Technologies IRFB3806PBF 1.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB3806 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001572380 EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 60 V 43a (TC) 10V 15.8mohm @ 25A, 10V 4V @ 50 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 50 V - 71W (TC)
BAS1602WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS1602WH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-80 BAS1602 Estándar SCD-80 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R280PFD7SAUMA1 1.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ PFD7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-344 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 280mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 180 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 656 pf @ 400 V - 51W (TC)
IRLIZ44NPBF Infineon Technologies IRLIZ44NPBF -
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 30A (TC) 4V, 10V 22mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 45W (TC)
IRFHM8330TRPBF Infineon Technologies IRFHM8330TRPBF -
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 16a (TA) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 25 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 25 V - 2.7W (TA), 33W (TC)
AUIRFS3607TRL Infineon Technologies Auirfs3607trl -
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs3607 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520722 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10v 4V @ 100 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3070 pf @ 50 V - 140W (TC)
IRF1902GPBF Infineon Technologies IRF1902GPBF -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001571184 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 20 V 4.2a (TA) 85mohm @ 4a, 4.5V 700mv @ 250 µA 7.5 NC @ 4.5 V 310 pf @ 15 V - -
BSO301SP Infineon Technologies BSO301SP -
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500
BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC117N08NS5ATMA1 1.6400
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC117 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 49a (TC) 6V, 10V 11.7mohm @ 25A, 10V 3.8V @ 22 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
FP25R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies FP25R12KT4B15BOSA1 -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 2 Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FP25R12 160 W Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 25 A 2.15V @ 15V, 25A 1 MA Si 1.45 NF @ 25 V
BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSR315PH6327XTSA1 0.6000
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSR315 Mosfet (Óxido de metal) PG-SC59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 620 Ma (TA) 4.5V, 10V 800mohm @ 620 mm, 10v 2V @ 160 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 176 pf @ 25 V - 500MW (TA)
IRFS23N15DTRLP Infineon Technologies IRFS23N15DTRLP -
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 23a (TC) 10V 90mohm @ 14a, 10v 5.5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 136W (TC)
IRFR9N20DTRL Infineon Technologies Irfr9n20dtrl -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 9.4a (TC) 10V 380mohm @ 5.6a, 10V 5.5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 25 V - 86W (TC)
IKA06N60TXKSA1 Infineon Technologies Ika06n60txksa1 2.0900
RFQ
 ECAD 922 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ika06n60 Estándar 28 W PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 6a, 23ohm, 15V 123 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 10 A 18 A 2.05V @ 15V, 6a 200 µJ 42 NC 9.4ns/130ns
BCW67AE6327 Infineon Technologies BCW67AE6327 0.0300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 800 Ma 20NA (ICBO) 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 200MHz
BF5020WH6327 Infineon Technologies BF5020WH6327 0.1500
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 8 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 - Mosfet PG-SOT343-4-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100na 10 Ma - 32db 1.2db 5 V
IRFS7540PBF Infineon Technologies IRFS7540PBF -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 110A (TC) 6V, 10V 5.1mohm @ 65a, 10V 3.7V @ 100 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 4555 pf @ 25 V - 160W (TC)
IPP029N06NAKSA1 Infineon Technologies IPP029N06NAKSA1 2.8200
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP029 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 24a (TA), 100a (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 100a, 10V 2.8V @ 75 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 30 V - 3W (TA), 136W (TC)
IRLS3036TRRPBF Infineon Technologies IRLS3036TRPBF -
RFQ
 ECAD 9712 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001553300 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250 µA 140 NC @ 4.5 V ± 16V 11210 pf @ 50 V - 380W (TC)
BCX42E6433HTMA1 Infineon Technologies Bcx42e6433htma1 0.1152
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX42 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 125 V 800 Ma 10 µA PNP 900mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 200Ma, 1V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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