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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCR 141S H6727 | - |  | 2141 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR 141 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 5MA, 5V | 130MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB60R199CPAATMA1 | 2.0801 | | 8619 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R199 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000539966 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 199mohm @ 9.9a, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1520 pf @ 100 V | - | 139W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7807D1PBF | - | | 6890 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570520 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R160C6XKSA1 | 4.5000 | | 3111 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 23.8a (TC) | 10V | 160mohm @ 11.3a, 10V | 3.5V @ 750 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 1660 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BBY6502VH6327XTSA1 | 0.5300 | | 40 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BBY6502 | PG-SC79-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.8pf @ 4.7V, 1MHz | Soltero | 15 V | 10.9 | C0.3/c4.7 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI120N06S403AKSA2 | - | | 6484 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI120N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001028772 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 3.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 120 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 13150 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT330N12KOFHPSA2 | - | | 6599 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT330N12 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001271500 | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.6 kV | 520 A | 2 V | 12500A @ 50Hz | 200 MA | 330 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R600PFD7SAUMA1 | 1.1000 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ PFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 6a (TC) | 10V | 600mohm @ 1.7a, 10V | 4.5V @ 80 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 20V | 344 pf @ 400 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA240451E V1 R250 | - | | 5675 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Goldmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Fin Lidera | 2.48GHz | Ldmos | H-30265-2 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10 µA | 450 Ma | 45W | 14dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP10R12W1T7BOMA1 | 45.8200 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | EasyPim ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP10R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Easy1b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 10 A | - | 4.5 µA | Si | 1.89 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB60R280C6ATMA1 | - | | 8616 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R280 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10v | 3.5V @ 430 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6614 | - | | 9561 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico st | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ st | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 40 V | 12.7a (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3mohm @ 12.7a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 29 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2560 pf @ 20 V | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirf7304q | - | | 3145 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Auirf7304 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519450 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 90mohm @ 2.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 22NC @ 4.5V | 610pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | T740N24TOFXPSA1 | - | | 1848 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Do-200ab, B-PUK | T740N | Soltero | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 mA | 2.6 kV | 1500 A | 2.2 V | 13000A @ 50Hz | 250 Ma | 745 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4690D-EPBF | - | | 2070 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 454 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001545146 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 75a, 10ohm, 15V | 155 ns | - | 600 V | 140 A | 225 A | 2.1V @ 15V, 75a | 2.47MJ (Encendido), 2.16mj (apaguado) | 150 NC | 50ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC042N03ST | - | | 3834 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000014715 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 20A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 50A, 10V | 2V @ 50 µA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | 3660 pf @ 15 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bcv26e6327htsa1 | 0.0815 | | 5261 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCV26 | 360 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4069-EPBF | - | | 1658 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 268 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001545038 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 35a, 10ohm, 15V | Zanja | 600 V | 76 A | 105 A | 1.85V @ 15V, 35A | 390 µJ (ON), 632 µJ (OFF) | 104 NC | 46ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI100N10S305AKSA1 | - | | 1631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 10V | 5.1mohm @ 100a, 10V | 4V @ 240 µA | 176 NC @ 10 V | ± 20V | 11570 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDB6HK360N16PBOSA1 | 216.1600 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TDB6HK360 | Puente, 3 Formas - SCR/Diodos | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 6 | 220 Ma | 1.6 kV | 360 A | 2 V | 3000A @ 50Hz | 100 mA | 210 A | 3 scr, 3 diodos | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPT111N20NFDATMA1 | 9.7500 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT111 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 96a (TC) | 10V | 11.1mohm @ 96a, 10v | 4V @ 267 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 100 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R280P6FKSA1 | 3.1800 | | 43 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R280 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001017086 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.2a, 10V | 4.5V @ 430 µA | 25.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP80N03S4L03AKSA1 | 3.3200 | | 3963 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N03 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 90 µA | 140 NC @ 10 V | ± 16V | 9750 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS87E6327T | - | | 1265 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT89-4-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 240 V | 260MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 260 mm, 10v | 1.8V @ 108 µA | 5.5 NC @ 10 V | ± 20V | 97 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD150N26KOFHPSA1 | - | | 1857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TD150N | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 2.6 kV | 350 A | 2 V | 4500A @ 50Hz | 200 MA | 223 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPD06N60C3ATMA1 | 1.1020 | | 6574 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD06N60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.9a, 10v | 3.9V @ 260 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKFW50N65ES5XKSA1 | 8.0600 | | 214 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKFW50 | Estándar | 127 W | PG-HSIP247-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 69 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 74 A | 160 A | 1.7V @ 15V, 40A | 860 µJ (Encendido), 400 µJ (apagado) | 95 NC | 19ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7706 | - | | 4160 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P | 30 V | 7a (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2211 pf @ 25 V | - | 1.51W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfz44e | - | | 9337 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz44e | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 48a (TC) | 10V | 23mohm @ 29a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1360 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfz24nl | - | | 7286 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz24nl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) |
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