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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Irf520nstrl	-	RFQ	8651	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal									100 V	9.7a (TC)	10V	200mohm @ 5.7a, 10v	4V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 48W (TC)
IM393M6FXKLA1	-	RFQ	1885	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Módulo de 26 PowerSip, 22 cables, formados de cables	IGBT	IM393M6							descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	540	Inversor de 3 fase							10 A	600 V	2000 VRMS
PX3746DQSM1383XUMA1	-	RFQ	2936	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto						PX3746DD							-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1
IRF2804StrlpBF	3.5600	RFQ	457	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IRF2804		Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal									40 V	75A (TC)	10V	2mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 25 V	-	300W (TC)
BSZ097N04LSGATMA1	1.0000	RFQ	8706	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		BSZ097		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal									40 V	12a (TA), 40a (TC)	4.5V, 10V	9.7mohm @ 20a, 10v	2V @ 14 µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 20 V	-	2.1W (TA), 35W (TC)
IRFI1010NPBF	-	RFQ	7210	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero				Mosfet (Óxido de metal)				Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal									55 V	49a (TC)	10V	12mohm @ 26a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 25 V	-	58W (TC)
IRFM460	-	RFQ	9238	Infineon Technologies	Hexfet®	Bolsa	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)				Mosfet (Óxido de metal)				Un 254AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Q1134250	EAR99	8541.29.0095	1		N-canal									500 V	19a (TC)	10V	270mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	190 NC @ 10 V	± 20V	4300 pf @ 25 V	-	250W (TC)
SPW12N50C3FKSA1	-	RFQ	7112	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		SPW12N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	240		N-canal									560 V	11.6a (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10v	3.9V @ 500 µA	49 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IRL3715SPBF	-	RFQ	6978	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal									20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
BSZ110N06NS3GATMA1	0.8900	RFQ	14	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn		BSZ110		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal									60 V	20A (TC)	10V	11mohm @ 20a, 10v	4V @ 23 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 30 V	-	2.1W (TA), 50W (TC)
6ms24017p43w39873nosa1	-	RFQ	2244	Infineon Technologies	ModStack ™	Banda	Obsoleto		-25 ° C ~ 55 ° C	Monte del Chasis	Módulo		6ms24017			14500 W		Estándar	Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8543.70.9860	1	Inversor trifásico																												-	1700 V	1100 A	-			Si
IRF7463	-	RFQ	2781	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7463	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal									30 V	14a (TA)	2.7V, 10V	8mohm @ 14a, 10v	2V @ 250 µA	51 NC @ 4.5 V	± 12V	3150 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IRF4104PBF	2.0900	RFQ	998	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IRF4104		Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100		N-canal									40 V	75A (TC)	10V	5.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRL3103STRLPBF	-	RFQ	5322	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal									30 V	64a (TC)	4.5V, 10V	12mohm @ 34a, 10v	1V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 16V	1650 pf @ 25 V	-	94W (TC)
94-4796	-	RFQ	5493	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IRF1010		Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal									55 V	85A (TC)	10V	11mohm @ 43a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3210 pf @ 25 V	-	180W (TC)
Auirfp4110	7.2200	RFQ	4055	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Auirfp4110		Mosfet (Óxido de metal)				To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001517386	EAR99	8541.29.0095	25		N-canal									100 V	120a (TC)	10V	4.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250 µA	210 NC @ 10 V	± 20V	9620 pf @ 50 V	-	370W (TC)
Illh5034tr2pbf	-	RFQ	4963	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	8Powervdfn				Mosfet (Óxido de metal)				8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal									40 V	29a (TA), 100a (TC)		2.4mohm @ 50A, 10V	2.5V @ 150 µA	82 NC @ 10 V		4730 pf @ 25 V	-
Ff450r06me3bosa1	214.7420	RFQ	5422	Infineon Technologies	ECONODUAL ™ 3	Banda	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo		FF450R06			1250 W		Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	2 Independientes																												Parada de Campo de Trinchera	600 V	550 A	1.9V @ 15V, 450a		5 Ma	Si	28 NF @ 25 V
TD600N16KOFTIMHPSA1	402.3100	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo		TD600N16				Conexión de la Serie - SCR/Diodo			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2				300 mA																	1.6 kV	1050 A	2 V	21000A @ 50Hz	250 Ma	600 A		1 scr, 1 diodo
PTFA092201E V1	-	RFQ	6370	Infineon Technologies	-	Banda	Descontinuado en sic	65 V		Monte del Chasis	H-36260-2		PTFA092201	960MHz	Ldmos				H-36260-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	35			10 µA		1.85 A	220W	18.5dB																				-						30 V
BSS306NL6327HTSA1	-	RFQ	1317	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal									30 V	2.3a (TA)	4.5V, 10V	57mohm @ 2.3a, 10v	2V @ 11 µA	1.5 NC @ 5 V	± 20V	275 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
Ptfb193408svv1r250xtma1	-	RFQ	5575	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	H-34275G-6/2			1.99 GHz	Ldmos				H-34275G-6/2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001028958	Obsoleto	0000.00.0000	250	Fuente Común Dual		-		2.65 A	80W	19dB																				-						30 V
FF300R17ME7B11BPSA1	216.0200	RFQ	1731	Infineon Technologies	ECONODUAL ™, Trenchstop ™	Banda	Activo		-	Monte del Chasis	Módulo							Estándar	Agóndo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				10	Soltero																												Parada de Campo de Trinchera	1700 V	300 A	-			No
Bg3123re6327htsa1	-	RFQ	1200	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	8 V		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BG3123	800MHz	Mosfet				PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		25 Ma, 20 Ma		14 MA	-	25db																				1.8db						5 V
Auirl7732s2tr	1.7700	RFQ	5438	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SC		Auirl7732		Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ sc	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal									40 V	14a (TA)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 35a, 10v	2.5V @ 50 µA	33 NC @ 4.5 V	± 16V	2020 pf @ 25 V	-	2.2W (TA), 41W (TC)
IPD13N03LA G	-	RFQ	2316	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD13N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal									25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	12.8mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	8.3 NC @ 5 V	± 20V	1043 pf @ 15 V	-	46W (TC)
IPW65R029CFD7XKSA1	16.2400	RFQ	205	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		IPW65R029		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal									650 V	69a (TC)		29mohm @ 35.8a, 10V	4.5V @ 1.79mA	145 NC @ 10 V	± 20V	7149 pf @ 400 V	-	305W (TC)
BC847PNE6327BTSA1	-	RFQ	1064	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BC847			250MW			PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														45V	100mA			15NA (ICBO)			NPN, PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IRFI4410ZPBF	2.7300	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Irfi4410		Mosfet (Óxido de metal)				Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal									100 V	43a (TC)	10V	9.3mohm @ 26a, 10v	4V @ 150 µA	110 NC @ 10 V	± 30V	4910 pf @ 50 V	-	47W (TC)
IPS60R280PFD7SAKMA1	0.8016	RFQ	6032	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		IPS60R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal									600 V	12a (TC)	10V	280mohm @ 3.6a, 10V	4.5V @ 180 µA	15.3 NC @ 10 V	± 20V	656 pf @ 400 V	-	51W (TC)