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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF7477PBF Infineon Technologies IRF7477PBF -
RFQ
 ECAD 3781 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001575216 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 38 NC @ 4.5 V ± 20V 2710 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
SGB20N60ATMA1 Infineon Technologies Sgb20n60atma1 -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgb20n Estándar 179 W PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20a, 16ohm, 15V Escrutinio 600 V 40 A 80 A 2.4V @ 15V, 20a 440 µJ (Encendido), 330 µJ (apagado) 100 NC 36NS/225NS
IPA60R360P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies IPA60R360P7SE8228XKSA1 0.8421
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 22W (TC)
IPC50R045CPX2SA1 Infineon Technologies IPC50R045CPX2SA1 -
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - - - IPC50R - - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IRFB4215 Infineon Technologies IRFB4215 -
RFQ
 ECAD 9056 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFB4215 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 115A (TC) 10V 9mohm @ 54a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 4080 pf @ 25 V - 270W (TC)
IRF7480MTRPBF Infineon Technologies IRF7480MTRPBF 2.5900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico me IRF7480 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ isométrico me descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 40 V 217a (TC) 6V, 10V 1.2mohm @ 132a, 10v 3.9V @ 150 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 6680 pf @ 25 V - 96W (TC)
IRF7490PBF Infineon Technologies IRF7490PBF -
RFQ
 ECAD 9294 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.800 N-canal 100 V 5.4a (TA) 10V 39mohm @ 3.2a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 1720 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
BUZ73AL Infineon Technologies Buz73al -
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 5.5a (TC) 5V 600mohm @ 3.5a, 5V 2v @ 1 mapa ± 20V 840 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFR4105ZTRLPBF Infineon Technologies IRFR4105ZTRLPBF -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001560656 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
IPW65R035CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R035CFD7AXKSA1 19.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ CFD7A Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R035 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 63A (TC) 10V 35mohm @ 35.8a, 10v 4.5V @ 1.79mA 145 NC @ 10 V ± 20V 7149 pf @ 400 V - 305W (TC)
IRF7201TRPBF Infineon Technologies IRF7201TRPBF 0.9200
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7201 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 7.3a (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.3a, 10v 1V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
IRLI3705NPBF Infineon Technologies IRLI3705NPBF 2.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IRLI3705 Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 52a (TC) 4V, 10V 10mohm @ 28a, 10v 2V @ 250 µA 98 NC @ 5 V ± 16V 3600 pf @ 25 V - 58W (TC)
IRF3707SPBF Infineon Technologies IRF3707SPBF -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1990 pf @ 15 V - 87W (TC)
IRF7404PBF Infineon Technologies IRF7404PBF -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 20 V 6.7a (TA) 2.7V, 4.5V 40mohm @ 3.2a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 50 NC @ 4.5 V ± 12V 1500 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFZ46NLPBF Infineon Technologies Irfz46nlpbf 0.7733
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFZ46 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1696 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 107W (TC)
SS07N70AKMA1 Infineon Technologies SS07N70AKMA1 -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Ss07n - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 -
SPD03N50C3BTMA1 Infineon Technologies SPD03N50C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 560 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.9V @ 135 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRLIB4343 Infineon Technologies IRLIB4343 -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLIB4343 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 19a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10v 1V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 50 V - 39W (TC)
DD350N18KHPSA1 Infineon Technologies DD350N18KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto Monte del Chasis Módulo DD350N18 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1800 V 350A 1.28 V @ 1000 A 30 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C
IRF7704GTRPBF Infineon Technologies IRF7704GTRPBF -
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 40 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 46mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 4.5 V ± 20V 3150 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
IRFH8318TR2PBF Infineon Technologies IRFH8318TR2PBF -
RFQ
 ECAD 2816 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 27a (TA), 120A (TC) 3.1mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 50 µA 41 NC @ 10 V 3180 pf @ 10 V -
IPD050N03LGBTMA1 Infineon Technologies IPD050N03LGBTMA1 0.4157
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000254716 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
D3501N42TVFXPSA1 Infineon Technologies D3501N42TVFXPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Do-200ae D3501N42 Estándar BG-D12035K-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 4200 V 100 mA @ 4200 V 160 ° C (Máximo) 4870a -
AUIRFS8405TRL Infineon Technologies Auirfs8405trl -
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs8405 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100 µA 161 NC @ 10 V ± 20V 5193 pf @ 25 V - 163W (TC)
AIDK08S65C5ATMA1 Infineon Technologies AIDK08S65C5ATMA1 5.9900
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolSic ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Aidk08 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-AIDK08S65C5ATMA1CT EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 8A 248pf @ 1V, 1 MHz
BAS 3020B E6327 Infineon Technologies BAS 3020B E6327 -
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAS 3020 Schottky PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 600 MV @ 2 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A 70pf @ 1V, 1 MHz
IPP90N06S4L04AKSA1 Infineon Technologies IPP90N06S4L04AKSA1 -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP90N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10v 2.2V @ 90 µA 170 NC @ 10 V ± 16V 13000 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPA60R385CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R385CPXKSA1 2.8100
RFQ
 ECAD 3357 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R385 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 100 V - 31W (TC)
BSB013NE2LXIXUMA1 Infineon Technologies BSB013NE2LXIXUMA1 1.9500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson BSB013 Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 36A (TA), 163A (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 12 V - 2.8W (TA), 57W (TC)
BFR181WE6327 Infineon Technologies BFR181WE6327 -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 175MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 19dB 12V 20 Ma NPN 70 @ 5mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
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AD9208BBPZ-3000

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