SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRFHM9391TRPBF Infineon Technologies IRFHM9391TRPBF -
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 14.6mohm @ 11a, 10v 2.4V @ 25 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 1543 pf @ 25 V - 2.6W (TA)
IRF7703TRPBF Infineon Technologies IRF7703TRPBF -
RFQ
 ECAD 4926 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 40 V 6a (TA) 4.5V, 10V 28mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 62 NC @ 4.5 V ± 20V 5220 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies IPB70N10S3L12ATMA1 2.9700
RFQ
 ECAD 1896 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB70N10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 70A (TC) 4.5V, 10V 11.8mohm @ 70a, 10v 2.4V @ 83 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 5550 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB039N10N3GATMA1 3.0400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB039 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 160A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 160 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
PTFA191001F V4 Infineon Technologies PTFA191001F V4 -
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA191001 1.96 GHz Ldmos H-37248-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 10 µA 900 mA 44dbm 17dB - 30 V
94-2309PBF Infineon Technologies 94-2309pbf -
RFQ
 ECAD 7575 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo - 94-2309 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
FZ750R65KE3C1NOSA1 Infineon Technologies FZ750R65KE3C1NOSA1 160.0000
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ750R65 3000000 W Estándar A-IHV190-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único Parada de Campo de Trinchera 6500 V 750 A 3.4V @ 15V, 750a 5 Ma No 205 nf @ 25 V
BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies BSS87H6327ftSA1 0.6100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BSS87 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT89-4-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 240 V 260MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 260 mm, 10v 1.8V @ 108 µA 5.5 NC @ 10 V ± 20V 97 pf @ 25 V - 1W (TA)
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC028N06LS3GATMA1 3.1600
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC028 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 23a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 50A, 10V 2.2V @ 93 µA 175 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 139W (TC)
SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1 1.0000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD09P06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 9.7a (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 6.8a, 10v 2V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRFU4615PBF Infineon Technologies Irfu4615pbf 1.9100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU4615 Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10v 5V @ 100 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 50 V - 144W (TC)
IRFL024NTR Infineon Technologies Irfl024ntr -
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 2.8a (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250 µA 18.3 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRLZ44ZSTRRPBF Infineon Technologies IRLZ44ZSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 7983 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568860 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 51a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10v 3V @ 250 µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1620 pf @ 25 V - 80W (TC)
BUZ111S Infineon Technologies Buz111s 0.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 80a, 10v 4V @ 240 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 300W (TC)
AUIRFR9024NTRL Infineon Technologies Auirfr9024ntrl 1.8600
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr9024 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 55 V 11a (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
BSS7728NH6327XTSA2 Infineon Technologies BSS7728NH6327XTSA2 0.3900
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101, SIPMOS® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS7728 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.3V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 56 pf @ 25 V - 360MW (TA)
BAT6406E6327HTSA1 Infineon Technologies BAT6406E6327HTSA1 0.5200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, BAT64 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT6406 Schottky PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 40 V 250 Ma 750 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
IRFU2407 Infineon Technologies IRFU2407 -
RFQ
 ECAD 8326 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU2407 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 26mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 110W (TC)
2SP0320T2A0FF600R12NPSA1 Infineon Technologies 2SP0320T2A0FF600R12NPSA1 -
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R080CFD7AXTMA1 4.2843
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 22 poderos Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-22-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 750 N-canal 650 V 36A (TC) 10V 80mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 630 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2513 pf @ 400 V - 223W (TC)
BC846BWE6327 Infineon Technologies BC846BWE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 734 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 330 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IDW20C65D2XKSA1 Infineon Technologies IDW20C65D2XKSA1 2.5500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Rápido 2 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 IDW20C65 Estándar PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001174446 EAR99 8541.10.0080 240 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 650 V 10A 2.2 v @ 10 a 30 ns 40 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C
IRFS17N20DTRLP Infineon Technologies IRFS17N20DTRLP -
RFQ
 ECAD 5063 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001578336 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 16a (TC) 10V 170mohm @ 9.8a, 10v 5.5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 140W (TC)
IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB20N60H3ATMA1 2.1400
RFQ
 ECAD 5311 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IGB20N60 Estándar 170 W PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20a, 14.6ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 80 A 2.4V @ 15V, 20a 690 µJ 120 NC 16ns/194ns
IPI80N06S2L05AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S2L05AKSA1 -
RFQ
 ECAD 2347 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 4.8mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFZ46NL Infineon Technologies Irfz46nl -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz46nl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1696 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 107W (TC)
SPD08N05L Infineon Technologies SPD08N05L -
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 500
BC848BE6327 Infineon Technologies BC848BE6327 -
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 9,427 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
PTFA260851F V1 R250 Infineon Technologies PTFA260851F V1 R250 -
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Fin Lidera PTFA260851 2.68 GHz Ldmos H-31248-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 900 mA 85W 14dB - 28 V
BC849CWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC849CWH6327XTSA1 0.0534
RFQ
 ECAD 5352 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC849 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
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AD9208BBPZ-3000

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