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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IRFSL3507	-	RFQ	2908	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRFSL350			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFSL3507	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							75 V	97a (TC)	10V	8.8mohm @ 58a, 10v	4V @ 100 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3540 pf @ 50 V	-	190W (TC)
BC80725E6327HTSA1	0.0300	RFQ	54	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3					330 MW		PG-SOT23	descascar					EAR99	8541.21.0075	1																																			45 V	500 mA							100NA (ICBO)	PNP	700mv @ 50 mm, 500 mA	160 @ 100mA, 1V	200MHz
SN7002N E6327	-	RFQ	2267	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SN7002N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal							60 V	200MA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500 mA, 10V	1.8V @ 26 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	45 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
IPP80N04S404AKSA1	2.2700	RFQ	500	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N04			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							40 V	80a (TC)	10V	4.6mohm @ 80a, 10v	4V @ 35 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	3440 pf @ 25 V	-	71W (TC)
IPA050N10NM5SXKSA1	2.8600	RFQ	9613	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA050			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220 Paqueto completo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							100 V	66a (TC)	6V, 10V	5mohm @ 33a, 10v	3.8V @ 84 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	4700 pf @ 50 V	-	38W (TC)
FB15R06KL4B1BOMA1	-	RFQ	3365	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto												-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	20
IQD005N04NM6ATMA1	1.9298	RFQ	2001	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Activo												-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-IQD005N04NM6ATMA1TR			5,000
Spp15n60cfdhksa1	-	RFQ	6208	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp15n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							650 V	13.4a (TC)	10V	330mohm @ 9.4a, 10V	5V @ 750 µA	84 NC @ 10 V	± 20V	1820 pf @ 25 V	-	156W (TC)
IPB180N10S402ATMA1	6.6100	RFQ	243	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	IPB180			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal							100 V	180A (TC)	10V	2.5mohm @ 100a, 10v	3.5V @ 275 µA	200 NC @ 10 V	± 20V	14600 pf @ 25 V	-	300W (TC)
D911sh45t	-	RFQ	5847	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Do-200ad	D911sh45			Estándar			-	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP000091218	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									4500 V	6 V @ 2500 A		100 mA @ 4500 V	0 ° C ~ 140 ° C	1140A	-
PTFA082201FV4R250XTMA1	-	RFQ	4684	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA082201		894MHz	Ldmos			H-37260-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	250			10 µA			1.95 A	220W	18dB																	-																	30 V
IRFB5620PBF	3.0700	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB5620			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001565852	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							200 V	25A (TC)	10V	72.5mohm @ 15a, 10v	5V @ 100 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1710 pf @ 50 V	-	144W (TC)
IGA03N120H2	-	RFQ	8606	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar			29 W		PG-TO20-3-31	descascar					EAR99	8542.39.0001	1					800V, 3a, 82ohm, 15V																													-	1200 V	8.2 A	9 A	2.8V @ 15V, 3A	140 µJ (Encendido), 150 µJ (apaguado)	8.6 NC	9.2NS/281NS
IKZ75N65EL5XKSA1	10.9400	RFQ	3114	Infineon Technologies	Trenchstop ™ 5	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	IKZ75N65	Estándar			536 W		PG-TO247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 75a, 23ohm, 15V																							59 ns						-	650 V	100 A	300 A	1.35V @ 15V, 75a	1.57mj (Encendido), 3.2mj (apaguado)	436 NC	120ns/275ns
IRFH5303TR2PBF	-	RFQ	5915	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn				Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal							30 V	23a (TA), 82a (TC)	4.5V, 10V	4.2mohm @ 49a, 10V	2.35V @ 50 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	2190 pf @ 15 V	-	3.6W (TA), 46W (TC)
IRF60DM206	2.7800	RFQ	2858	Infineon Technologies	StrongIrfet ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Directfet ™ isométrico me	IRF60DM206			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ isométrico me	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal							60 V	130A (TC)	6V, 10V	2.9mohm @ 80a, 10v	3.7V @ 150 µA	200 NC @ 10 V	± 20V	6530 pf @ 25 V	-	96W (TC)
DZ950N44KS01HPSA1	1.0000	RFQ	2417	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre			Monte del Chasis	Módulo	DZ950N44			Estándar			BG-PB70-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									4400 V			100 mA @ 4400 V	160 ° C (Máximo)	950A	-
IRLR3717TRLPBF	-	RFQ	7272	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001567384	EAR99	8541.29.0095	6,000		N-canal							20 V	120a (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 15a, 10v	2.45V @ 250 µA	31 NC @ 4.5 V	± 20V	2830 pf @ 10 V	-	89W (TC)
IRF3704ZCSTRP	-	RFQ	5525	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal							20 V	67a (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 21a, 10v	2.55V @ 250 µA	13 NC @ 4.5 V	± 20V	1220 pf @ 10 V	-	57W (TC)
IRD3CH42DD6	-	RFQ	2622	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto					IRD3CH42							descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1
SPP03N60S5XKSA1	-	RFQ	3029	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp03n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							600 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	5.5V @ 135 µA	16 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 25 V	-	38W (TC)
Acesorio36522nosa1	-	RFQ	7103	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto					Acesorio3							-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1
IRF7326D2PBF	-	RFQ	7836	Infineon Technologies	Fetky ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001559796	EAR99	8541.29.0095	95		Canal P							30 V	3.6a (TA)	4.5V, 10V	100mohm @ 1.8a, 10V	1V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 25 V	Diodo Schottky (Aislado)	2W (TA)
IPS70R600Ceakma2	-	RFQ	6578	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPS70R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	SP001471318	EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal							700 V	10.5a (TJ)	10V	600mohm @ 1a, 10v	3.5V @ 210 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	474 pf @ 100 V	-	86W (TC)
T720N18TOFXPSA1	187.7750	RFQ	5117	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre		-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	Do-200ab, B-PUK	T720N18					Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	6				300 mA															1.8 kV	1500 A	1.5 V	14500A @ 50Hz	250 Ma	720 A									1 SCR
Si3443dv	-	RFQ	5431	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6				Mosfet (Óxido de metal)			Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*SI3443DV	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P							20 V	4.4a (TA)	2.5V, 4.5V	65mohm @ 4.4a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 12V	1079 pf @ 10 V	-	2W (TA)
BSZ0945NDXTMA1	-	RFQ	5112	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-	-		BSZ0945			-				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001673810	EAR99	8541.29.0095	5,000		-								-	-	-	-		-			-
IPW60R280P6FKSA1	3.1800	RFQ	43	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW60R280			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001017086	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal							600 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 430 µA	25.5 NC @ 10 V	± 20V	1190 pf @ 100 V	-	104W (TC)
BCP49E6327	-	RFQ	4715	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA					1.5 W		PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																																			60 V	500 mA							100NA (ICBO)	NPN - Darlington	1V @ 100 µA, 100 mA	10000 @ 100mA, 5V	200MHz
Bsp135ixtsa1	1.0300	RFQ	981	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal							600 V	120MA (TA)	0V, 10V	45ohm @ 120 mA, 10V	1V @ 94 µA	3.7 NC @ 5 V	± 20V	98 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)