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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | T920N04TOFXPSA1 | 179.9175 |  | 6154 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 140 ° C | Apretar | DO-200AA, A-PUK | T920N04 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 200 MA | 600 V | 1500 A | 2 V | 13500A @ 50Hz | 200 MA | 925 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLR120NTRR | - | | 3565 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4V, 10V | 185mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bfn27e6327htsa1 | 0.0812 | | 2327 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BFN27 | 360 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 300 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 30 @ 30mA, 10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfi9530n | - | | 7090 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 7.7a (TA) | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | 860 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SP0115T2B0FF45017NPSA1 | - | | 1965 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SDP06S60 | - | | 4855 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sdp06s | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 1.7 v @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 300pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU3708 | - | | 4386 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFU3708 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 61a (TC) | 2.8V, 10V | 12.5mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 24 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2417 pf @ 15 V | - | 87W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4BC20F-S | - | | 5187 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 60 W | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4BC20F-S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 9a, 50ohm, 15V | - | 600 V | 16 A | 64 A | 2V @ 15V, 9a | 70 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) | 27 NC | 24ns/190ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bts247ze3062aatma2 | 2.7319 | | 5700 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb | BTS247 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-5-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 12a, 10v | 2V @ 90 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 1730 pf @ 25 V | Diodo de Deteca de Temperatura | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC080N03MSGATMA1 | 0.8700 | | 29 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC080 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 13A (TA), 53A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80N06S2L06AKSA2 | - | | 7372 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 69a, 10v | 2V @ 180 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4740DPBF | - | | 1832 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 250 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001535780 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 24a, 10ohm, 15V | 170 ns | - | 650 V | 60 A | 72 A | 2V @ 15V, 24a | 520 µJ (Encendido), 240 µJ (apaguado) | 70 NC | 24ns/73ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLU3715PBF | - | | 9053 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLU3715PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1060 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLU3114ZPBF | - | | 9300 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567310 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 42a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 56 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3810 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R170CFD7XKSA1 | 4.9200 | | 9794 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R170 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 14a (TC) | 10V | 170mohm @ 6a, 10v | 4.5V @ 300 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1199 pf @ 400 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT330N12KOFHPSA2 | - | | 6599 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 130 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT330N12 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001271500 | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.6 kV | 520 A | 2 V | 12500A @ 50Hz | 200 MA | 330 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR24 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 24a (TC) | 10V | 95mohm @ 14a, 10v | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 890 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA032N06N3 G | - | | 4049 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 84a (TC) | 10V | 3.2mohm @ 80a, 10v | 4V @ 118 µA | 165 nc @ 10 V | ± 20V | 13000 pf @ 30 V | - | 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG5K200HF12B | - | | 5865 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo Powir® 62 | 1250 W | Estándar | POWIR® 62 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001532554 | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | - | 1200 V | 400 A | 2.6V @ 15V, 200a | 2 MA | No | 26 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4BC20KD-S | - | | 4206 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 60 W | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irg4bc20kd-s | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 9a, 50ohm, 15V | 37 ns | - | 600 V | 16 A | 32 A | 2.8V @ 15V, 9a | 340 µJ (Encendido), 300 µJ (apagado) | 34 NC | 54ns/180ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SKW15N120FKSA1 | - | | 3352 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Skw15n | Estándar | 198 W | PG-TO247-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 800V, 15A, 33OHM, 15V | 65 ns | Escrutinio | 1200 V | 30 A | 52 A | 3.6V @ 15V, 15a | 1.9mj | 130 NC | 18ns/580ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4BC40W-SPBF | - | | 6719 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRG4BC40 | Estándar | 160 W | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480v, 20a, 10ohm, 15V | - | 600 V | 40 A | 160 A | 2.5V @ 15V, 20a | 110 µJ (Encendido), 230 µJ (apaguado) | 98 NC | 27ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PC60U-PPBF | - | | 3387 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PC60 | Estándar | 520 W | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irg4pc60u-ppbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 40a, 5ohm, 15V | - | 600 V | 75 A | 300 A | 2V @ 15V, 40A | 280 µJ (Encendido), 1.1MJ (apaguado) | 310 NC | 39ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3607PBF | - | | 7588 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 75 V | 56a (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10v | 4V @ 100 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3070 pf @ 50 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS816NW L6327 | - | | 1522 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.4a (TA) | 1.8V, 2.5V | 160mohm @ 1.4a, 2.5V | 750MV @ 3.7 µA | 0.6 NC @ 2.5 V | ± 8V | 180 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS30R06W1E3BOMA1 | 42.0600 | | 47 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS30R06 | 150 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 60 A | 2V @ 15V, 30a | 1 MA | Si | 1.65 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS606NH6327XTSA1 | 0.5800 | | 6969 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BSS606 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 3.2a (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3.2a, 10v | 2.3V @ 15 µA | 5.6 NC @ 5 V | ± 20V | 657 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS4010-7PPBF | - | | 4993 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 190a (TC) | 10V | 4mohm @ 110a, 10v | 4V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 9830 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC856SH6327XTSA1 | 0.0824 | | 2291 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R099C6X1SA1 | - | | 3960 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | IPC60 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000745326 | 0000.00.0000 | 1 | - |
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