SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFU3711PBF Infineon Technologies Irfu3711pbf -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu3711pbf EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRFR3704ZTRL Infineon Technologies IRFR3704ZTRL -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 60A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1190 pf @ 10 V - 48W (TC)
BCX5216H6433XTMA1 Infineon Technologies BCX5216H643333XTMA1 0.1920
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5216 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
IPA60R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R299CPXKSA1 2.1301
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R299 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10v 3.5V @ 440 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 33W (TC)
IRAM109-015SD Infineon Technologies IRAM109-015SD -
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 Infineon Technologies iMotion ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 19-Powersip, 13 cables, formados de cables Mosfet descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001548260 EAR99 8542.39.0001 300 Medio puente 2 A 500 V -
BC808-40WE6327 Infineon Technologies BC808-40WE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW PG-SOT23-3-11 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 200MHz
IRF7665S2TR1PBF Infineon Technologies IRF7665S2TR1PBF -
RFQ
 ECAD 9426 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SB Mosfet (Óxido de metal) DirectFet SB descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 4.1a (TA), 14.4a (TC) 10V 62mohm @ 8.9a, 10v 5V @ 25 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 515 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 30W (TC)
IPD60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R280CFD7ATMA1 2.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 280mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 180 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 807 pf @ 400 V - 51W (TC)
IPP60R060P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R060P7XKSA1 6.8000
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 48a (TC) 10V 60mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2895 pf @ 400 V - 164W (TC)
BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR108E6327HTSA1 0.3600
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR108 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170 MHz 2.2 kohms 47 kohms
FF1400R17IP4BOSA1 Infineon Technologies FF1400R17IP4BOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF1400 955000 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1700 V 1400 A 2.2V @ 15V, 1400A 5 Ma Si 110 NF @ 25 V
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon Technologies IPB020NE7N3GATMA1 6.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB020 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 2mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 273 µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14400 pf @ 37.5 V - 300W (TC)
IRFP7430PBF Infineon Technologies Irfp7430pbf 4.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP7430 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 40 V 195a (TC) 6V, 10V 1.3mohm @ 100a, 10v 3.9V @ 250 µA 460 NC @ 10 V ± 20V 14240 pf @ 25 V - 366W (TC)
IRF7468TRPBF Infineon Technologies IRF7468TRPBF -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 9.4a (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 9.4a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 4.5 V ± 12V 2460 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies IPD30N03S4L14ATMA1 0.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD30N03 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 13.6mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 10 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
IRF3805S-7PPBF Infineon Technologies IRF3805S-7PPBF -
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 140a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 7820 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRF7821GTRPBF Infineon Technologies IRF7821GTRPBF -
RFQ
 ECAD 1445 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13.6a (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRGR3B60KD2PBF Infineon Technologies IRGR3B60KD2PBF -
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRGR3B60KD2PBF Estándar 52 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 3A, 100OHM, 15V 77 ns Escrutinio 600 V 7.8 A 15.6 A 2.4V @ 15V, 3a 62 µJ (Encendido), 39 µJ (apaguado) 13 NC 18ns/110ns
SPP04N80C3XK Infineon Technologies Spp04n80c3xk -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp04n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10v 3.9V @ 240 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 100 V - 63W (TC)
TT92N16KOF Infineon Technologies TT92N16KOF 158.4600
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Activo -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3845-TT92N16KOF EAR99 1 200 MA 1.6 kV 1.4 V 2 SCRS
T390N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T390N16TOFXPSA1 112.7400
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200AA T390N16 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 18 200 MA 1.6 kV 600 A 2 V 4900A @ 50Hz 150 Ma 381 A 1 SCR
BFP182WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bfp182we6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 6349 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP182 250MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 22dB 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
SIDC23D120H6X1SA1 Infineon Technologies SIDC23D120H6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 6709 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC23D Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.6 V @ 35 A 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
BAS4004E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS4004E6327HTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS4004 Schottky PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 40 V 120 mA (DC) 1 V @ 40 Ma 100 ps 1 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
IPB80P04P405ATMA2 Infineon Technologies IPB80P04P405ATMA2 3.1500
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 80a (TC) 5.2mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 151 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 125W (TC)
AUIRFB8409 Infineon Technologies Auirfb8409 10.8200
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Auirfb8409 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TC) 10V 1.3mohm @ 100a, 10v 3.9V @ 250 µA 450 NC @ 10 V ± 20V 14240 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRFB41N15D Infineon Technologies Irfb41n15d -
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 41a (TC) 10V 45mohm @ 25A, 10V 5.5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2520 pf @ 25 V - 200W (TC)
IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R360P7XKSA1 2.1100
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 41W (TC)
IPB017N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB017N06N3GATMA1 3.6700
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB017 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 180A (TC) 10V 1.7mohm @ 100a, 10v 4V @ 196 µA 275 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 30 V - 250W (TC)
65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies 65DN06B02ELEMXPSA1 616.8400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Apretar DO-200AC, K-PUK 65DN06 Estándar BG-D-ELEM-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 890 MV @ 8000 A 100 mA @ 600 V 180 ° C (Max) 15130A -
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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